公开(公告)号：CN101516788B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200780035793.9

申请日：2007-09-14

Applicant: 梯巨股份有限公司 ,  鹤见曹达株式会社 ,  东亚合成株式会社

Inventor： 刑部次功 ,  猪子正宪 ,  土屋泰志

IPC: B63B13/00 ,  C02F1/50 ,  C02F1/70 ,  C02F1/76

CPC classification number: C02F1/70 ,  C02F1/76 ,  C02F2103/008 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  C02F2303/04 ,  C02F2303/185

Abstract: 本发明公开了用于杀灭船舶的船舱或压载罐中的压载水中的细菌、微生物或者生物的压载水处理方法。所述方法的特征在于：通过使用次氯酸盐将所述压载水中的残留氯浓度调节至1～1000质量ppm以杀灭所述细菌、微生物或者生物，然后通过使用亚硫酸盐将残留氯从所述压载水除去。

公开(公告)号：CN102217009A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980146041.9

申请日：2009-11-18

Applicant: 东亚合成株式会社 ,  鹤见曹达株式会社

Inventor： 井原孝

IPC: H01B13/00 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01B5/14 ,  H05K1/09 ,  H05K3/06

CPC classification number: H05K3/06 ,  G03F7/093 ,  G03F7/40 ,  G03F7/422 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0329

Abstract: 本发明提供一种剥离性优良且在从导电性高分子膜剥离抗蚀膜时抑制导电性聚合物膜端部的变色的、具有图案化导电性高分子膜的基板的制造方法。该制造方法特征在于，依次包含以下工序：形成在基板上依次具有导电性高分子膜和图案化抗蚀膜的基板的工序；根据抗蚀膜的图案蚀刻导电性高分子膜的工序；及利用剥离液剥离导电性高分子膜上的抗蚀膜的工序，所述剥离液含有有机溶剂(A)5～40重量％与有机溶剂(B)60～95重量％，所述有机溶剂(A)选自由N-烷基吡咯烷酮、羧酸酰胺化合物、二烷基亚砜及醚化合物构成的组，所述有机溶剂(B)选自由烷内酯、碳酸亚烷基酯及多元醇构成的组。

公开(公告)号：CN101681131A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880020064.0

申请日：2008-05-27

Applicant: 东亚合成株式会社 ,  鹤见曹达株式会社 ,  长濑化成株式会社 ,  长濑产业株式会社

Inventor： 井原孝

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明的目的是提供从导电性高分子剥离抗蚀剂膜时不仅剥离性优异，且未对导电性高分子有不良影响的剥离剂，及提供导电性高分子上的抗蚀剂膜的剥离方法。另外，提供具有导电性良好、已图案化的导电性高分子的基板。本发明的导电性高分子上的抗蚀剂膜的剥离剂，其特征在于含有选自如下非质子性有机溶剂(a)和有机溶剂(b)中的至少一种有机溶剂：非质子性有机溶剂(a)为选自二烷基砜类、二烷基亚砜类、碳酸亚烃酯类及烷内酯类中且不含有氮原子的非质子性有机溶剂，有机溶剂(b)为化学结构中具有氮原子且为伯胺化合物、仲胺化合物及有机季铵盐以外的有机溶剂。

公开(公告)号：CN101523517A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036318.3

申请日：2007-09-13

Applicant: 鹤见曹达株式会社 ,  东亚合成株式会社

Inventor： 井原孝 ,  藤本孝弘

IPC: H01B13/00 ,  C08J7/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: H05K3/067 ,  H01L21/32134 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0037 ,  H05K1/09 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0329

Abstract: 本发明的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明的导电性蚀刻液，其特征为其是选自由下列所组成的族群中的蚀刻液：(1)含有超过0.5重量％、70重量％以下的(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量％以上、30重量％以下的Ce(SO4)2的蚀刻液；(2)含有超过0.5重量％、30重量％以下的(NH4)4Ce(SO4)4的蚀刻液；(3)作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液；(4)包括含有5重量％以上的盐酸、含有20重量％以上的硝酸，(盐酸浓度+0.51×硝酸浓度)的值为35重量％以下、且(盐酸浓度+0.5×硝酸浓度)的值为30重量％以上的亚硝酰氯的蚀刻液；(5)含有3重量％以上、40重量％以下的溴酸化合物，且含有4重量％以上的无机酸的蚀刻液；(6)含有6重量％以上、40重量％以下的氯酸化合物，且含有7重量％以上的卤化氢的蚀刻液；(7)含有0.001重量％以上、20重量％以下的高锰酸化合物的蚀刻液；以及(8)含有3重量％以上、30重量％以下的六价铬化合物的蚀刻液。

公开(公告)号：CN102633289A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210050133.0

申请日：2004-12-17

Applicant: 鹤见曹达株式会社

Inventor： 松木诗路士

IPC: C01G3/02 ,  C25D21/14 ,  C25D3/38

Abstract: 本发明涉及镀铜材料及镀铜方法。根据本发明，能得到纯度98.5及以上、对含有机物添加剂的镀液具有高溶解性，适于用作镀铜材料的氧化铜粉。上述氧化铜粉是通过使碱式碳酸铜粉在非还原环境下，在电加热炉中，在400℃的温度下加热20分钟，进行热分解而得。所得氧化铜粉在将X射线衍射光谱(-1，1，1)面的峰强设为I、结晶完成的基准氧化铜粉的X射线衍射光谱(-1，1，1)面的峰强设为Is时，上述氧化铜粉的峰强I与基准氧化铜粉的峰强Is的峰强比I/Is小于等于0.36。这种结构的氧化铜粉对含有机物添加剂的镀液具有很高的溶解性。

公开(公告)号：CN101999097A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200980112820.7

申请日：2009-07-23

Applicant: 东亚合成株式会社 ,  鹤见曹达株式会社

Inventor： 田口裕务

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/023 ,  H01B13/00

CPC classification number: G03F7/322 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/093 ,  H05K1/09 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0329 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明为形成导电层的方法，该导电层为通过在基体表面图案化而配置成的包含导电性高分子的导电层，该方法特征在于，使用包含重氮萘醌及酚醛清漆树脂的正型光致抗蚀剂组合物，并且，用钾离子浓度为0.08～0.20mol/L、共存的钠离子浓度小于0.1mol/L的显影液将使用该光致抗蚀剂组合物得到的抗蚀剂膜显影。

公开(公告)号：CN1840738A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610066930.2

申请日：2006-03-30

Applicant: 鹤见曹达株式会社

Inventor： 松木诗路士

IPC: C23F1/18 ,  C01G3/05

CPC classification number: Y02P10/234

Abstract: 本发明涉及用简便的操作且低成本地除去作为有效金属的铜以外的杂质金属，对蚀刻铜材料后的氯化铜蚀刻废液进行精制的方法。已知使锌、铁等金属的阴离子性配位体与弱碱性阴离子交换树脂接触而被除去。另一方面，氯化铜蚀刻废液中的作为有效金属的铜作为阴离子性配位体存在，但本发明人发现氯化铜蚀刻废液中铜的阴离子性配位体，即使与强或弱碱性阴离子交换树脂接触也几乎不被吸附。因此，由使氯化铜蚀刻废液接触于这些阴离子交换树脂，铁和锌等的阴离子性配位体被该树脂吸附并将其除去，因为铜依然残留在液体中，所以，可以精制氯化铜蚀刻废液。

公开(公告)号：CN1709797A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200410101371.5

申请日：2004-12-17

Applicant: 鹤见曹达株式会社

Inventor： 松木诗路士

IPC: C01G3/02 ,  C25D3/38 ,  C25D21/00

Abstract: 本发明涉及镀铜材料及镀铜方法。根据本发明，能得到纯度98.5及以上、对含有机物添加剂的镀液具有高溶解性，适于用作镀铜材料的氧化铜粉。上述氧化铜粉是通过使碱式碳酸铜粉在非还原环境下，在电加热炉中，在400℃的温度下加热20分钟，进行热分解而得。所得氧化铜粉在将C射线衍射光谱(－1，1，1)面的峰强设为I、结晶完成的基准氧化铜粉的X射线衍射光谱(－1，1，1)面的峰强设为Is时，上述氧化铜粉的峰强I与基准氧化铜粉的峰强Is的峰强比I/Is小于等于0.36。这种结构的氧化铜粉对含有机物添加剂的镀液具有很高的溶解性。

公开(公告)号：CN1220794C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN02116104.6

申请日：2002-04-18

Applicant: 鹤见曹达株式会社

Inventor： 山下达朗 ,  真锅卓己

IPC: C25B1/16

CPC classification number: C25B1/16 ,  C23G1/36

Abstract: 本发明涉及用于精制碱性溶液的装置和方法。其中，电解槽由阳离子交换膜分成阳极室和阴极室。将高杂质浓度基础碱性溶液从基础材料罐提供到阳极室，以及提供从阳极室溢流的循环阳极电解液和从阳极循环罐循环该溢流的循环阳极电解液，和通过精制溶液罐，将低杂质浓度NaOH溶液提供和循环到阳极室。检测循环阳极电解液的浓度，和根据此检测值，控制基础NaOH溶液的提供量，和进行电解。因此，阳极室的NaOH溶液浓度保持稳定，和可以在阳极室获得低杂质浓度的精制NaOH溶液。

公开(公告)号：CN1176844C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN97114388.9

申请日：1997-12-16

Applicant: 鹤见曹达株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 猪子正宪 ,  秋山一则 ,  林健司 ,  富沢幸一 ,  小金井正 ,  小原辰春 ,  大岛末广 ,  荫山光 ,  铃木和幸

IPC: C01B7/01

CPC classification number: B01J10/00 ,  C01B7/01

Abstract: 在将来自氯化氢气发生装置的氯化氢气，通过气体供给管供入吸收容器内，被吸收容器内的水吸收制造盐酸中，以简易的结构能大量有效地获得杂质浓度极低的高纯度盐酸。气体供给管的内壁，至少到合成盐酸、盐酸蒸气或吸收容器内的水逆流或飞散处，使用盐酸不溶出杂质的材料构成。