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公开(公告)号：CN119895678A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202280097866.1
申请日：2022-08-30
Applicant: 华为技术有限公司 , 阿卜杜拉国王科技大学
Abstract: 本发明的实施例涉及包含随机不对称腔的半导体面发射光源。与传统的垂直腔面发射激光器（vertical‑cavity surface‑emitting laser，VCSEL）相比，本文提出的设计产生的光的相干性较低，因此发射光束中相干性伪影（散斑）的密度较低。这对于成像、画面显示、全息和断层扫描应用是可取的。本发明实施例提供了可以通过破坏半导体光源的腔的对称性来降低光的时间和/或空间相干性的不同设计。
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公开(公告)号：CN119404144A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380047659.X
申请日：2023-06-16
Applicant: 沙特阿拉伯石油公司 , 阿卜杜拉国王科技大学
Abstract: 公开了一种用于制造具有代表油气藏的混合润湿性表面的微模型的方法。该方法包括：用光刻胶涂覆亲水性基底的顶表面；用光掩模覆盖光刻胶的顶部；将光刻胶的被覆盖的顶部暴露于UV光，该UV光改变光刻胶的与光掩模的图案相对应的区域的化学性质；去除光掩模；基于光刻胶的与光掩模的图案相对应的区域的化学性质去除该区域；在亲水性基底的顶部沉积疏水性薄膜；以及去除被薄膜覆盖的剩余光刻胶，使得亲水性基底的表面图案化，具有被疏水性薄膜覆盖的区域以及亲水性基底的未覆盖区域，从而在亲水性基底上产生代表微模型的混合润湿性表面。
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公开(公告)号：CN112262480B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980039235.2
申请日：2019-06-10
Applicant: 阿卜杜拉国王科技大学
Inventor： 李晓航
Abstract: 一种发光二极管包括：形成在衬底上的n型氮化铝层，形成在该n型氮化铝层上的多量子阱，以及与该多量子阱相邻地形成的p型氮化铝空穴注入层。该多量子阱包括：第一氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第一氮化铝量子势垒层和第二氮化铝量子势垒层包围，和第二氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第二氮化铝量子势垒层和第三氮化铝量子势垒层包围。该第一氮化铝量子势垒层、第二氮化铝量子势垒层和第三氮化铝量子势垒层中的至少一个具有渐变的铝组分。第一氮化铝量子势垒层与n型氮化铝层相邻，并且第三氮化铝量子势垒层与p型氮化铝空穴注入层相邻。
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公开(公告)号：CN114340764B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202080048641.8
申请日：2020-04-29
Applicant: 阿卜杜拉国王科技大学
Abstract: 实施方案包括通过以下制造薄膜复合碳分子筛膜的方法：在气相渗透条件下，将聚合物层暴露于气相金属有机前驱体，使得气相金属有机前驱体扩散到聚合物层中，与聚合物的官能团反应，以形成无机‑有机复合物；在气相渗透条件下将聚合物层暴露于气相共反应剂，使气相共反应剂扩散到聚合物层中，氧化有机‑无机复合物以形成金属氧化物；将聚合物层进行惰性气氛或真空热解。实施方案还包括薄膜复合碳分子筛，以及利用碳分子筛膜片分离一种或多种化学物质的方法。
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公开(公告)号：CN111466012B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880075677.8
申请日：2018-10-10
Applicant: 阿卜杜拉国王科技大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m2或大于或等于0.04C/m2。利用所选择的用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化物三元合金层是InGaN，并且第二III族氮化物三元合金层是AlGaN、InAlN、BAlN或BGaN。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115698262A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180037221.4
申请日：2021-03-30
Applicant: 阿卜杜拉国王科技大学 , 索尔克生物研究所
Inventor： 皮埃尔·朱利叶斯·马吉斯特雷蒂 , 胡安·卡洛斯·伊斯皮苏阿·贝尔蒙特 , 雷纳·埃尔南德斯·贝尼特斯
IPC: C12N5/074
Abstract: 提供了调节细胞稳态的组合物和方法。所述组合物包括代谢物(C1代谢物和C1代谢物混合物(C1‑MIM)，用于诱导细胞进入与其稳态不同的状态，例如，进入与处理前的原始状态相比分化程度较低的状态。C1代谢物包括甲硫氨酸、SAM(S‑腺苷蛋氨酸)、苏氨酸、甘氨酸、腐胺和半胱氨酸。代谢物用于补充细胞培养基，因此，还提供了补充有公开的代谢物的细胞培养基(补充MIM的培养基)。该方法包括：使细胞与C1代谢物接触足够长的时间以导致将细胞重编程为与其稳态不同的状态，例如，重编程为具有祖细胞样特征的低分化状态(MIM‑细胞)。分离的MIM细胞及其后代可用于多种应用，包括细胞疗法和组织工程。
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公开(公告)号：CN115109241A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110681281.1
申请日：2021-06-18
Applicant: 阿卜杜拉国王科技大学
IPC: C08G63/664 , C08G63/84 , C08G63/87 , C08G64/34 , C08G65/10
Abstract: 本公开描述了可降解环氧乙烷基共聚物，这些共聚物包括无规、递变和嵌段共聚物。例如，本公开描述了通过硼烷活化的环氧乙烷单体与二氧化碳的共聚合反应，而合成可降解亲水性环氧乙烷基共聚物、可降解两亲性环氧乙烷基嵌段共聚物、可降解疏水性聚醚，以及用于合成的材料及方法。
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公开(公告)号：CN114809190A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210564309.8
申请日：2019-04-03
Applicant: 阿卜杜拉国王科技大学
Abstract: 一种收集大气水的装置，其包括具有透光上表面和出水口的冷凝室。装置还包括布置在冷凝室下方的收集大气水的室，该收集大气水的室容纳有收集大气水的材料并具有底表面和顶表面，所述底表面具有接收环境空气的开口，所述顶表面具有开口以允许通过收集大气水的材料由于太阳能辐射到冷凝室的透光上表面上所产生的热量而使从环境空气捕集的大气水进入冷凝室。
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公开(公告)号：CN114514421A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080071060.6
申请日：2020-08-21
Applicant: 阿卜杜拉国王科技大学
Abstract: 一种用于检测红棕榈象鼻虫(RPW)、农场火灾和土壤湿度的集成系统(400)，所述集成系统包括被配置为延伸到树的光纤(220)和连接到光纤(220)的分布式声学传感器(DAS)盒(201)。DAS盒(201)被配置为处理从光纤(220)反射的不同的第一到第三光学信号(422、430、432、436)，以根据第一光学信号(422)确定RPW的存在、根据第二光学信号(430、432)确定沿光纤(220)的位置处的温度，以及根据第三光学信号(436)确定树周围的位置处的湿度。
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