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公开(公告)号：CN100381838C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610071433.1
申请日：2006-03-28
Applicant: 松下电工株式会社 , 财团法人激光技术综合研究所
CPC classification number: G02B1/118 , C23C16/483 , G02B1/11 , G02B1/12
Abstract: 本发明公开了一种减小光学材料的表面上的反射损失的激光表面处理。在光学材料的表面上形成金属膜；通过照射脉冲宽度为1飞秒到100皮秒的超强短脉冲激光束来从所述基板上去除所述金属膜，使得在通过去除所述金属膜所暴露的所述基板的表面上形成精细周期结构。所获得的精细周期结构具有优选为50到1000nm的周期间隔，可以通过改变激光能量密度而控制精细周期结构的周期间隔。
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公开(公告)号：CN114144711B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202080052603.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 公益财团法人激光技术综合研究所 , 松下控股株式会社
Abstract: 本发明增加具有与激发光的波长不同的波长的光的强度。发光装置(1)包括光纤(2)、第一光源单元(11)和第二光源单元(12)。光纤(2)包括光入射部(21)、光出射部(22)和波长转换部(23)。波长转换部(23)设置在光入射部(21)和光出射部(22)之间。波长转换部(23)包含波长转换材料。波长转换材料被激发光激发以产生与激发光相比具有更长波长的自发发射光，并且放大该自发发射光以产生放大自发发射光。第一光源单元(11)使激发光(P1)入射到光入射部(21)上。第二光源单元(12)使种子光(P2)入射到光入射部(21)上，该种子光(P2)使得从被激发光(P1)或放大自发发射光激发的波长转换材料产生受激发射光。
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公开(公告)号：CN114144711A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080052603.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 公益财团法人激光技术综合研究所 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明增加具有与激发光的波长不同的波长的光的强度。发光装置(1)包括光纤(2)、第一光源单元(11)和第二光源单元(12)。光纤(2)包括光入射部(21)、光出射部(22)和波长转换部(23)。波长转换部(23)设置在光入射部(21)和光出射部(22)之间。波长转换部(23)包含波长转换材料。波长转换材料被激发光激发以产生与激发光相比具有更长波长的自发发射光，并且放大该自发发射光以产生放大自发发射光。第一光源单元(11)使激发光(P1)入射到光入射部(21)上。第二光源单元(12)使种子光(P2)入射到光入射部(21)上，该种子光(P2)使得从被激发光(P1)或放大自发发射光激发的波长转换材料产生受激发射光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1450413A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03109544.5
申请日：2003-04-09
Applicant: 财团法人激光技术综合研究所 , 东洋精密工业株式会社
IPC: G03F7/36 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 一种光刻胶剥离除去方法及装置，利用传送装置(C)传送包括带有光刻胶的基板的电路板(K)，来自激光发生装置(10)的所定强度的短脉冲激光被传往光刻胶，通过照射头(12)将激光变换到所定宽度和长度的带状激光并照射到光刻胶上，加宽调整此时的照射激光，使该激光的强度足以在光刻胶和基板的界面上产生热冲击剥离现象，让电路板(K)移动从而使得在光刻胶的全长的范围内将其剥离除去。利用上述光刻胶剥离除去方法及装置，在用光电技术加工处理电路板之类的电子产品时通过光学手段能够把光刻胶全部剥离除去而不会导致环境污染和水资源的浪费等，同时能够提高生产效率。
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公开(公告)号：CN104169777B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380005287.0
申请日：2013-01-17
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 财团法人激光技术综合研究所 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: H01S3/10053 , G01J9/02 , G02B26/06 , G02B27/0905 , G02F1/0121 , G02F1/21 , H01S3/0085 , H01S3/1307 , H01S3/2308 , H01S3/2383
Abstract: 本发明提供一种多光束耦合装置。多光束耦合装置具备相移部、叠加部、观测部及相位控制部。相移部通过使多个激光各自的相位位移，生成多个位移激光。叠加部通过将多个位移激光的每一个和参照光叠加，生成多个叠加激光。观测部生成与观测叠加激光的每一个时出现的空间的干涉图形相关的干涉图形信息。相位控制部基于对叠加激光的每一个得到的干涉图形信息，反馈控制相移部进行的相移，由此，将多个位移激光设定为希望的状态。
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公开(公告)号：CN104169777A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380005287.0
申请日：2013-01-17
Applicant: 三菱重工业株式会社 , 财团法人激光技术综合研究所 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: H01S3/10053 , G01J9/02 , G02B26/06 , G02B27/0905 , G02F1/0121 , G02F1/21 , H01S3/0085 , H01S3/1307 , H01S3/2308 , H01S3/2383
Abstract: 本发明提供一种多光束耦合装置。多光束耦合装置具备相移部、叠加部、观测部及相位控制部。相移部通过使多个激光各自的相位位移，生成多个位移激光。叠加部通过将多个位移激光的每一个和参照光叠加，生成多个叠加激光。观测部生成与观测叠加激光的每一个时出现的空间的干涉图形相关的干涉图形信息。相位控制部基于对叠加激光的每一个得到的干涉图形信息，反馈控制相移部进行的相移，由此，将多个位移激光设定为希望的状态。
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公开(公告)号：CN1841097A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071433.1
申请日：2006-03-28
Applicant: 松下电工株式会社 , 财团法人激光技术综合研究所
CPC classification number: G02B1/118 , C23C16/483 , G02B1/11 , G02B1/12
Abstract: 本发明公开了一种减小光学材料的表面上的反射损失的激光表面处理。在光学材料的表面上形成金属膜；通过照射脉冲宽度为1飞秒到100皮秒的超强短脉冲激光束来从所述基板上去除所述金属膜，使得在通过去除所述金属膜所暴露的所述基板的表面上形成精细周期结构。所获得的精细周期结构具有优选为50到1000nm的周期间隔，可以通过改变激光能量密度而控制精细周期结构的周期间隔。
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公开(公告)号：CN100410811C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN03109544.5
申请日：2003-04-09
Applicant: 财团法人激光技术综合研究所 , 东洋精密工业株式会社
IPC: G03F7/36 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 一种光刻胶剥离除去方法及装置，利用传送装置(C)传送包括带有光刻胶的基板的电路板(K)，来自激光发生装置(10)的所定强度的短脉冲激光被传往光刻胶，通过照射头(12)将激光变换到所定宽度和长度的带状激光并照射到光刻胶上，加宽调整此时的照射激光，使该激光的强度足以在光刻胶和基板的界面上产生热冲击剥离现象，让电路板(K)移动从而使得在光刻胶的全长的范围内将其剥离除去。利用上述光刻胶剥离除去方法及装置，在用光电技术加工处理电路板之类的电子产品时通过光学手段能够把光刻胶全部剥离除去而不会导致环境污染和水资源的浪费等，同时能够提高生产效率。
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