具有造影功能的主动脉破膜穿刺系统

    公开(公告)号:CN113520667B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202110944383.8

    申请日:2021-08-17

    Inventor: 黄献琛 张喜成

    Abstract: 本发明公开了具有造影功能的主动脉破膜穿刺系统,包括导管和套设在导管远端的操作手柄,导管沿其轴向开设第一腔体和第二腔体,第一腔体内穿设有能将导管导入分支血管的第一导丝,第二腔体内装配有穿刺针,穿刺针沿其轴向开设有供第二导丝穿过的导向腔,导管的远端侧壁上开设有与第二腔体导通的侧开口,侧开口处设置有显影标记,穿刺针的远端为有弧形弯曲结构的针头部,针头部能延伸出侧开口进行支架破膜。实现精准破膜的同时,能够便于造影。

    一种水滴型多功能镊子及其收纳盒

    公开(公告)号:CN115429461B

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202211136225.0

    申请日:2022-09-19

    Abstract: 本发明公开了一种水滴型多功能镊子,包括:控制部,以及与控制部连接的第一镊柄和第二镊柄;控制部为水滴型结构,控制部表面设置有进水口和出水口,控制部的内部设置有与进水口和出水口连通的通道;控制部设置有档位调节装置,用于控制第一镊柄和第二镊柄之间的开口夹角;第二镊柄的内部设置有内置通道,内置通道的一端设置有隐形出水口,另一端连通通道;第一镊柄和第二镊柄整体均为S形结构,第一镊柄靠近第二镊柄的一侧设置有照明装置,第二镊柄的一端为勺型结构;通过第一镊柄上的照明装置补充牙椅照明灯未能良好照明的区域,由第二镊柄工作端的隐形出水口将来自控制部的水流引流至对应部位,提高了操作视野和定位精度。

    一种体表囊肿内容物挤排装置

    公开(公告)号:CN117137587A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311335609.X

    申请日:2023-10-16

    Abstract: 本发明公开了一种体表囊肿内容物挤排装置,包括:囊肿罩、挤压组件;所述囊肿罩包括固定筒和移动筒,所述固定筒的下端通过固定组件活动连接所述移动筒,移动筒的下端侧面固定连接所述挤压组件;所述固定筒的上端中部设置有开口组件,开口组件的前端开有方型槽,方型槽上滑动安装有调节块;方型槽的下端中部开有通槽,通槽上滑动安装所述开口组件;开口组件的两侧分别通过球头安装有冲洗管和吸引管;本发明可以完全的将囊肿包裹,并且可以对囊肿进行穿刺或者开切口,在开口之后能对囊肿进行挤压,同时对挤压后的囊液有冲洗和吸引的功能,能保证切口的清洁度;同时本发明能调节长度,可以适用于不同的大小的囊肿,方便实用。

    一种临床护理教学用四肢护理演示装置

    公开(公告)号:CN117037581A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311038653.4

    申请日:2023-08-17

    Inventor: 周玲

    Abstract: 本发明公开了一种临床护理教学用四肢护理演示装置,包括固定枕、躯干固定座、上肢固定座和下肢固定座,所述固定枕和躯干固定座的一端可伸缩连接,两个所述上肢固定座可转动设置在躯干固定座的两侧,两个所述下肢固定座可转动设置在躯干固定座的另一端,所述上肢固定座上开有凹槽,所述下肢固定座上开有凹槽,所述凹槽内设置有气囊。本发明中的演示装置能够实现对临床护理的动作演示,且能够存储演示动作,并能够让学生躺在演示装置内感受患者在被护理时肢体的拉伸情况,后续实现更好的护理。

    定位装置和C型臂X光机
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116831611A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310845447.8

    申请日:2023-07-11

    Inventor: 吴亮

    Abstract: 本发明涉及C型臂X光机领域,具体是定位装置和C型臂X光机;包括第一激光器、第二激光器、第一显影部、第二显影部和具有第三显影部的定位盘;第一激光器和第二激光器分别为一字线激光器;第一显影部和第二显影部分别为直线状;第三显影部为钟表刻度状的坐标;第一激光器、第一显影部、第二激光器和第二显影部被限制为同时沿着同一个旋转路径相对于第三显影部转动,第二激光器和第二显影部被限制为同时沿着同一个弧线路径运动。医护人员可以通过第一显影部、第二显影部和第三显影部,通过计算分别获得第一显影部需要被调整的角度,和第二显影部需要被调整的距离,从而提高了第一显影部和第二显影部的调整的效率。

    深紫外半导体发光器件、其制作方法及深紫外消杀装置

    公开(公告)号:CN116581222A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310864724.X

    申请日:2023-07-14

    Inventor: 李利哲 苏敏

    Abstract: 本发明公开了一种深紫外半导体发光器件、其制作方法及深紫外消杀装置。所述器件包括:半导体结构、P型电极和N型电极,半导体结构包括沿指定方向依次设置的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层,缓冲层和N型层均具有孔洞结构;P型电极包括高功函数材料层和金属电极层,高功函数材料层与P型层电性接触,金属电极层设置在高功函数材料层上;N型电极与N型层电性接触;金属电极层包括沿指定方向依次设置在高功函数材料层上的反射金属层和保护金属层。本发明中的P型电极整体表现出来良好的深紫外反射性能,并显著降低了P型电极对紫外光的吸收,大幅提高了光提取效率,配合具有孔洞结构的缓冲层和N型层,最终获得了优异的深紫外发光效率。

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