公开(公告)号：CN1206712C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02152674.5

申请日：2002-11-29

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  新潟三洋电子株式会社

Inventor： 上原正文 ,  菊地修一 ,  木绵正明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：在第一导电类型的半导体衬底内形成第二导电类型的第一阱区域的步骤；在半导体衬底内形成其杂质浓度比第一阱区域的杂质浓度高的第二导电类型的第二阱区域的步骤；在第一阱区域上形成第一栅绝缘膜的步骤；在第二阱区域上形成比上述第一栅绝缘膜薄的第二栅绝缘膜的步骤；以穿透第一栅绝缘膜和第二栅绝缘膜的条件向第一阱区域和第二阱区域内离子注入第一导电类型的第一杂质，在第一栅绝缘膜之下形成第二离子注入层，在第二栅绝缘膜之下形成第一离子注入层步骤；以及以不穿透第一栅绝缘膜、穿透第二栅绝缘膜的条件，向第二阱区域内离子注入第一导电类型的第二杂质，在第二栅绝缘膜之下形成第三离子注入层的步骤。

公开(公告)号：CN1421909A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152674.5

申请日：2002-11-29

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  新潟三洋电子株式会社

Inventor： 上原正文 ,  菊地修一 ,  木绵正明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L21/2652 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列步骤：在某导电型的半导体衬底内形成第一相反导电型阱区域的步骤；在上述半导体衬底内形成其杂质浓度比上述第一相反导电型阱区域的杂质浓度高的第二相反导电型阱区域的步骤；在上述第一相反导电型阱区域上形成第一栅绝缘膜的步骤；在上述第二相反导电型阱区域上形成比上述第一栅绝缘膜薄的第二栅绝缘膜的步骤；以贯通上述第一和第二栅绝缘膜的条件向上述第一和第二相反导电型阱区域内注入第一某导电型杂质的步骤；以及以不贯通上述第一栅绝缘膜、贯通上述第二栅绝缘膜的条件，向上述第二相反导电型阱区域内注入第二某导电型杂质的离子注入步骤。