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公开(公告)号：CN119779186A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411370765.4
申请日：2024-09-29
Applicant: 应用材料以色列公司
Abstract: 本文公开了一种用于无损深度剖析的方法，所述方法包括将脉冲泵光束投射到样品中、将脉冲探测光束投射到样品中、以及感测从样本中返回的光以获得测量信号。每个探测脉冲经配置为经历由直接在前的泵脉冲引起的从初级声脉冲的布里渊散射，以便在样品内的相应深度处从初级声脉冲散射。所述方法进一步包括执行优化算法，所述优化算法经配置为接收测量信号和/或从所述测量信号获得的处理信号作为输入，以及通过最小化指示测量信号和使用前向模型获得的模拟信号之间的差异的成本函数来输出表征样品的(多个)结构参数的值，所述前向模型模拟脉冲探测光束从至少初级声脉冲的散射。
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公开(公告)号：CN113439276B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202080014800.2
申请日：2020-03-24
Applicant: 应用材料以色列公司
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N20/00
Abstract: 提供一种自动缺陷分类的方法及其系统。所述方法包括：获得提供一组缺陷的物理属性的信息的数据，所述一组缺陷的物理属性可用于区分多个类别中的不同类别的缺陷；训练第一机器学习模型以针对给定缺陷生成提供所述物理属性的值的信息多标签输出向量，从而针对给定缺陷生成多标签描述符；以及使用经训练的第一机器学习模型以生成样本中的缺陷的多标签描述符。所述方法可以进一步包括：获得提供多标签数据集的信息的数据，每个数据集唯一地指示多个类别中的相应类别并且包括物理属性的唯一的一组值；以及通过将分别生成的缺陷的多标签描述符与多标签数据集相匹配来对样本中的缺陷进行分类。
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公开(公告)号：CN119444777A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411064290.6
申请日：2024-08-05
Applicant: 应用材料以色列公司
Abstract: 用于检查半导体样本的系统，该半导体样本包括在相应的不同深度处的多个层，以及多个孔。每个孔具有在样本的表面处的顶部部分以及被容纳在所述层中的一个层中的底部部分。系统包括处理和存储器电路系统(PMC)，该处理和存储器电路系统(PMC)被配置为在不使用形状表征模型的情况下，提供指示孔的检验图像，并且处理检验图像中的孔图像。处理包括分割检验图像并确定指示孔的顶部部分的轮廓的数据，以及进一步分割检验图像并确定指示被封围在孔的顶部的轮廓内的形状的轮廓的数据。
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公开(公告)号：CN115187641B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202210277103.7
申请日：2022-03-21
Applicant: 应用材料以色列公司
Abstract: 本申请公开了用于检查半导体样本的图像生成。提供一种检查半导体样本的系统和方法，包括：获得所述样本的区域的帧序列，所述帧序列由被配置成从多个方向扫描所述区域的电子束工具获取，所述序列包括多个帧组，每组帧从相应方向获取；以及配准所述多个帧组，并且基于所述配准的结果产生所述样本的图像，包括：针对每个方向，在从所述方向获取的所述帧组之间执行第一配准，并且将经配准的帧组组合以生成第一复合帧，从而产生分别对应于所述多个方向的多个第一复合帧；以及在所述多个第一复合帧之间执行第二配准，并且将经配准的多个第一复合帧组合以生成所述样本的所述图像。
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公开(公告)号：CN119205607A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202410829571.X
申请日：2024-06-25
Applicant: 应用材料以色列公司
Abstract: 提供了一种用于检查半导体样本的系统和方法。所述方法包括：获得由检查工具获取的半导体样本的运行时图像；处理运行时图像以创建一个或多个图像条带，每个图像条带包含边缘，并且对于每个图像条带，提取表示在所述图像条带中的边缘的轮廓的拓扑点序列；将每个图像条带的拓扑点序列提供给经训练的机器学习(ML)模型进行处理，并且获得更新的拓扑点序列作为ML模型的输出；以及使用更新的拓扑点序列在运行时图像上获得测量数据，其中所述测量数据在至少一个计量度量方面具有改进的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118781046A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410401770.0
申请日：2024-04-03
Applicant: 应用材料以色列公司
IPC: G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/40 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 提供了一种检查半导体试样的系统和方法。方法包括：获得试样的运行时图像；使用第一机器学习(ML)模型来处理运行时图像，以提取表示运行时图像中的图像块集的运行时特征集；以及将运行时特征集与一组参考特征比较，从而产生指示运行时图像中的一个或多个有缺陷的图像块的异常图。所述一组参考特征通过以下操作在先前生成：基于多个实际图像来获得由第二ML模型生成的多个合成参考图像；以及由第一ML模型处理多个合成参考图像，以针对每个合成参考图像提取表示每个合成参考图像的参考特征集，从而产生所述一组参考特征。
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公开(公告)号：CN118672336A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410291797.9
申请日：2024-03-14
Applicant: 应用材料以色列公司
Inventor： S·Y·普拉佐特奥芬博格 , N·多利
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种高压降噪单元，包括：(i)输入，所述输入被配置为接收高压输入信号(HVIS)；(ii)正隔离供电单元，所述正隔离供电单元被配置为接收HVIS以及输出在HVIS上浮动的正供电信号；(iii)负隔离供电单元，所述负隔离供电单元被配置为接收HVIS以及输出在HVIS上浮动的负供电信号；(iv)低通滤波器，所述低通滤波器被配置为对HVIS进行滤波以提供经滤波的高压信号；以及(v)放大器，所述放大器被配置为接收正供电信号、接收负供电信号、接收经滤波的高压信号，以及放大经滤波的高压信号以提供高压输出信号。
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公开(公告)号：CN118538625A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410198996.5
申请日：2024-02-22
Applicant: 应用材料以色列公司
Abstract: 提供了一种用于对半导体样本进行检查的系统和方法。该方法包括生成与在样本的制造工艺期间依次制造和检查的样本序列相对应的异常得分序列，这包括对于每个给定样本：获得由检查工具采集的给定样本的图像；使用机器学习(ML)模型来处理该图像并获得指示该图像中的图案变化的异常图；以及基于该异常图导出指示给定样本中呈现的图案变化等级的异常得分，其中异常得分以互相关关系和与缺陷检测相关的缺陷度得分互相关，并且具有比缺陷度得分更高的检测敏感度；以及分析异常得分序列以监测持续的工艺稳定性，从而基于互相关关系来提供沿着制造工艺的缺陷相关预测。
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公开(公告)号：CN118537284A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410202843.3
申请日：2024-02-23
Applicant: 应用材料以色列公司
Abstract: 提供了系统和方法，包括：获得包括多个堆叠层的多个给定重叠目标中的每一个的设计数据，使用设计数据的至少部分模拟原本将由电子束检查系统获取的每个给定重叠目标的图像数据，在每个给定重叠目标的实际制造之前使用图像数据确定第二数据，所述第二数据提供每个给定重叠目标在根据设计数据制造后提供满足测量质量标准的重叠测量过程中的测量数据的估计概率的信息，以及使用每个给定重叠目标的第二数据在多个不同重叠目标中选择至少一个最佳重叠目标，其中所述至少一个最佳重叠目标可用于在半导体样本上实际制造。
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公开(公告)号：CN118537282A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410111770.7
申请日：2024-01-26
Applicant: 应用材料以色列公司
Abstract: 提供了系统和方法，其包括针对将在半导体样品上制造的多个不同覆盖目标中的每个给定覆盖目标，所述给定覆盖目标包括多个堆叠的半导体层，获得所述给定覆盖目标的设计图像；将所述设计图像馈送到经训练的机器学习模型，以模拟将由电子束查验系统获取的所述给定覆盖目标的至少一个图像；在实际制造所述给定覆盖目标之前，使用所述至少一个图像来确定提供所述图像中的至少一个模拟覆盖的信息的数据；以及使用提供每个给定覆盖目标的所述至少一个模拟覆盖的信息的所述数据来从所述多个不同覆盖目标中选择至少一个最优覆盖目标，所述最优覆盖目标可用于制造在所述半导体样品上。
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