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公开(公告)号：CN112859549B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202110066176.7
申请日：2021-01-19
Applicant: 宁波南大光电材料有限公司
IPC: G03F7/32
Abstract: 本发明公开了一种减缓AlN基底腐蚀的显影液及其制备方法，该显影液包括以下原料：氢氧化季铵、表面活性剂、消泡剂、抗腐蚀剂和水。本发明所述的减缓AlN基底腐蚀的显影液在制备光刻胶的过程中，对光刻胶的底涂层内或者与光刻胶接触的区域的存在AlN膜的腐蚀较小、减少了显影液的泡沫、增强了显影效果，提高了产品的良品率。
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公开(公告)号：CN114326303B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202111602035.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 宁波南大光电材料有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明适用于材料技术领域，提供了一种高敏光刻胶及其制备方法与应用。所述高纯光敏剂的制备方法包括如下步骤：(1)将光敏剂原料置于预处理后的升华设备的腔体内，于真空度0.01‑10Pa进行第一次升华，得到光敏剂粗品；(2)取出光敏剂粗品，通入氩气使腔体内恢复至常压，然后再次将升华设备进行预处理，将所述光敏剂粗品置于预处理后的腔体内，于真空度1.0×10‑4‑1.0×10‑6Pa进行第二次升华，得到高纯光敏剂。本发明还提供由所述制备方法得到的高敏光刻胶及其应用。本发明采用多次升华工艺、并控制升华的真空度制备高纯光敏剂，制得的高纯光敏剂可用于配制光刻胶，制得的光刻胶显影完全，可有效提高芯片制程的良率。
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公开(公告)号：CN114316123B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111627112.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 宁波南大光电材料有限公司
IPC: C08F220/14 , C08F220/18 , C08F2/00 , G03F7/004
Abstract: 本发明公开的一种利用超临界二氧化碳聚合光刻胶树脂的方法，包括以下步骤：步骤S01：准备好反应容器，将甲基丙烯酸单体以及引发剂投入至反应容器中；步骤S02：通过真空泵将反应容器内空气排出，再补充CO2，反复三次，使釜内充分CO2气氛；步骤S03：加热反应容器至60℃‑100℃，并加入0‑20MPa压力的CO2进行聚合反应；步骤S04：反应结束，冷却反应容器，排出二氧化碳，将产物进行GPC测试。该方法能有效避免有溶剂干扰。
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公开(公告)号：CN113372237B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110488255.7
申请日：2021-05-06
Applicant: 宁波南大光电材料有限公司
IPC: C07C233/78 , C07C231/12 , C09K23/22 , C09K23/18 , G03F7/004
Abstract: 本发明公开了一种用于浸没式光刻胶的含氟表面活性剂，其特征在于包括：R为2至9个碳原子的直链烷烃制备方法包括：2)向第一三口烧瓶内充氮气，并设置恒压滴液漏斗和回流冷凝管；3)将三乙胺、N，N－二甲基乙二胺和二氯甲烷投入第一三口烧瓶；4)向第一三口烧瓶内滴加间苯二甲酰氯，温度0‑10℃，一小时内滴加完；5)将第二氯甲烷溶剂脱除并重结晶中间体B；6)将中间体投入第二三口烧瓶，设置恒压滴液漏斗和回流冷凝管，室温下滴加全氟碘代丁烷的二氯甲烷溶液，1小时滴加完，升温至40℃反应12小时；反应完后旋蒸，将粗产物溶于乙醇，加石油醚至沉淀析出，静置后将沉淀过滤，用乙醇重结晶得到黄色固体；8)导出黄色固体，真空干燥。
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公开(公告)号：CN112898185B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110110177.7
申请日：2021-01-26
Applicant: 宁波南大光电材料有限公司
IPC: C07C273/18 , C07C275/52 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供了一种用于浸没式光刻胶的含氟化合物及其制备方法，该方法包括：在反应容器中加入预备化合物、4‑二甲氨基吡啶、l‑乙基‑(3‑二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐以及三氯甲烷，混合均匀形成反应体系；向反应体系中滴加N,N‑二甲基丙二胺，反应生成含氟化合物；其中，预备化合物的化学结构为n≧1，为整数。本发明还提供一种添加含氟化合物的浸没式光刻胶。采用本技术方案提供的制备工艺制作出的含氟化合物，添加至光刻胶中能够防止纯水中的杂质污染光刻机镜头，有效降低杂质对镜头的污染。采用本发明提供的技术方案替代现有的加疏水层的配方，具有工艺简单、生产周期短、生产效率得到提高、节约生产成本等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114380722A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111651194.8
申请日：2021-12-30
Applicant: 宁波南大光电材料有限公司
IPC: C07C309/17 , C07C303/02 , C07C303/32 , C07C303/44 , G03F7/004
Abstract: 本发明适用于光刻胶技术领域，提供了一种磺酰氟烷烃酯的快速水解方法，包括以下步骤：(1)将磺酰氟烷烃酯溶解于碱溶液中，形成混合溶液；(2)缓慢通入氮气，将容器内氧气排除；(3)升温至60‑130℃后，开启微波，控制微波频率为300MHz～300GHz，微波时间为200～300秒，进行水解反应；(4)向水解反应液中加入弱酸性溶液洗涤、除杂，然后进行脱溶，将固体置于真空烘箱中，50‑85℃过夜干燥。本发明通过微波辅助水解反应，缩短反应时长，得到的水解产物纯度高，杂质少，反应速度快，升温快，无需添加催化剂，后处理工艺简单。还可以通过对微波频率、水解反应温度以及水解反应时间的控制，控制水解程度和水解速率，从而获得不同纯度的磺酰氟烷烃酯水解产物。
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公开(公告)号：CN114326303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111602035.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 宁波南大光电材料有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明适用于材料技术领域，提供了一种高敏光刻胶及其制备方法与应用。所述高纯光敏剂的制备方法包括如下步骤：(1)将光敏剂原料置于预处理后的升华设备的腔体内，于真空度0.01‑10Pa进行第一次升华，得到光敏剂粗品；(2)取出光敏剂粗品，通入氩气使腔体内恢复至常压，然后再次将升华设备进行预处理，将所述光敏剂粗品置于预处理后的腔体内，于真空度1.0×10‑4‑1.0×10‑6Pa进行第二次升华，得到高纯光敏剂。本发明还提供由所述制备方法得到的高敏光刻胶及其应用。本发明采用多次升华工艺、并控制升华的真空度制备高纯光敏剂，制得的高纯光敏剂可用于配制光刻胶，制得的光刻胶显影完全，可有效提高芯片制程的良率。
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公开(公告)号：CN114324213A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111660760.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 宁波南大光电材料有限公司
IPC: G01N21/31 , G01N27/626 , G01N1/44
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高硅基体溶剂中超痕量金属杂质的测定方法，该方法对高硅基体溶剂进行加热，使高硅基体溶剂蒸发完全，加热温度低于所述金属杂质沸点并与所述高硅基体溶剂沸点相同或更高。本发明的方法能准确测定高硅基体溶剂中的金属杂质，且未使用氢氟酸，操作简便，避免了氢氟酸带来的安全问题、降低了检测成本。
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公开(公告)号：CN114315658A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111682269.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 宁波南大光电材料有限公司
IPC: C07C303/32 , C07C309/17
Abstract: 本发明提供了一种磺酸盐烷烃酯的制备方法，所述方法包括如下步骤：将磺酸盐烷烃羧酸和醇溶解于有机溶剂中，形成反应液；在氮气保护条件下，将反应液升温至特定温度，开启微波，在微波条件下进行酯化反应。本发明制备方法，在不采用催化剂的前提下，缩短了反应时间，同时，大大提高磺酸盐烷烃羧酸与烷烃醇或芳香醇反应的反应转化率和产物磺酸盐烷烃酯的纯度。
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公开(公告)号：CN114315580A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111630286.8
申请日：2021-12-28
Applicant: 宁波南大光电材料有限公司
IPC: C07C67/48 , C07C67/58 , C07C67/52 , C07C67/54 , C07C69/653
Abstract: 本发明适用于光刻胶技术领域，提供了一种去除2,2,3,3‑四氟丙基甲基丙烯酸酯中有机盐和金属杂质的方法，包括以下步骤：(1)将2,2,3,3‑四氟丙基甲基丙烯酸酯粗品加入反应容器中，加入阻聚剂；(2)温度控制在50‑100℃，真空度控制在200‑2000Pa，根据不同温度出料，将低沸杂质和2,2,3,3‑四氟丙基甲基丙烯酸酯分不同馏分进行接收；(3)将2,2,3,3‑四氟丙基甲基丙烯酸酯馏分通过颗粒过滤器进行过滤；(4)使用纯水对2,2,3,3‑四氟丙基甲基丙烯酸酯进行洗涤；(5)洗涤完成后，将水相导出，重复多次。本发明的方法得到的2,2,3,3‑四氟丙基甲基丙烯酸酯产品中有机盐含量大幅度降低，同时金属杂质含量单金杂可降低至1ppb以下。
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