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公开(公告)号：CN110010066B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201811397642.4
申请日：2018-11-22
Applicant: 伊格尼斯创新公司
IPC: G09G3/3225
Abstract: 本发明公开了有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器及其新型像素电路和对像素电路进行编程并测量像素电路及其OLED的电流的方法。一个像素电路包括四个TFT晶体管、存储电容器和OLED器件，并且使用通过数据线提供的电压对所述像素电路进行编程。一种方法利用读出电路通过所述数据线测量所述OLED和所述像素电路的电流。
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公开(公告)号：CN107452314B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201710628769.1
申请日：2014-08-11
Applicant: 伊格尼斯创新公司
IPC: G09G3/20 , G09G3/3233
Abstract: 本发明涉及用于要被显示器显示的图像的补偿图像数据的方法和装置。其中，所述显示器具有像素阵列，每个像素包括驱动晶体管和有机发光器件，所述方法包括：确定用于所述阵列中的第一多个像素的补偿数据的第一分布；从所述补偿数据的第一分布提取第一基础补偿值；存储用于所述第一多个像素中的每个像素的δ补偿值；以及将驱动电流供给所述第一多个像素中的每个像素，所述驱动电流基于通过所述第一基础补偿值和针对所述像素存储的所述δ补偿值而被补偿的所述图像数据。
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公开(公告)号：CN105448219B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201510613617.5
申请日：2015-09-23
Applicant: 伊格尼斯创新公司
Inventor： 戈尔拉玛瑞扎·恰吉
IPC: G09G3/00
Abstract: 本发明涉及一种用于补偿显示器中的像素电路的像素数据测量中存在的公共无用信号的方法，所述显示器具有多个像素电路，每个所述像素电路包括存储器件、驱动晶体管和发光器件。通过监测线从第一像素电路测量第一像素数据。通过所述监测线或另一监测线从所述第一像素电路或从第二像素电路测量第二像素数据。使用所测量的第一像素数据和所测量的第二像素数据中的一者来从所测量的第一像素数据和所测量的第二像素数据中的另一者中清除公共无用信号，以产生用于所述第一像素和/或第二像素的参数提取的清除数据。
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公开(公告)号：CN105761671B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201610007145.3
申请日：2016-01-06
Applicant: 伊格尼斯创新公司
Inventor： 戈尔拉玛瑞扎·恰吉 , 里基·依克·黑·奈根 , 尼诺·扎西洛维奇
IPC: G09G3/3208 , G09G3/3233
Abstract: 一种提取有机发光器件的相关曲线的系统和方法。本发明涉及用于使像素阵列中的像素均衡化的系统，所述像素包括在不同的环境和应力条件下有差异地老化的半导体器件，所述系统：从所述阵列中提取至少一个像素参数；基于所提取的像素参数创建所述阵列的应力图案；根据所述应力图案使所述像素受到应力；从受到应力的所述像素中提取所述像素参数；确定从受到应力的所述像素中提取的所述像素参数是否处于预先选择的范围内，且在答案是否定的时：基于从受到应力的所述像素中提取的所述像素参数创建所述阵列的另一应力图案；根据所述另一应力图案使所述像素受到应力；从受到应力的所述像素中提取所述像素参数；以及确定从受到应力的所述像素中提取的所述像素参数是否处于所述预先选择的范围内。
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公开(公告)号：CN105393296B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201480036145.5
申请日：2014-04-23
Applicant: 伊格尼斯创新公司
Inventor： 戈尔拉玛瑞扎·恰吉 , 约瑟夫·马塞尔·迪安 , 亚沙尔·阿齐兹 , 贾维德·贾菲里 , 阿巴斯·霍尔玛蒂 , 刘彤 , 弗拉迪斯拉夫·穆拉维恩 , 贾马尔·索尼 , 尼诺·扎西洛维奇 , 斯特凡·亚力山大
IPC: G09G3/00 , G09G3/3208
Abstract: 一种电压编程显示系统，其允许对面板中的像素的影响的测量，所述系统包括连接至供给线和编程线的有源像素和参考像素。所述参考像素被控制为不会随着时间发生因老化和工作条件而造成的实质性变化。读出电路连接至所述有源像素和所述参考像素以当所述像素被供给有已知的输入信号时从所述像素读取电流、电压和电荷中的至少一者。所述读出电路随着时间发生因老化和工作条件而造成的变化，但是来自所述参考像素的读出值被用来对来自所述有源像素的读出值进行调整以补偿不想要的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105225621B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201510348819.1
申请日：2015-06-23
Applicant: 伊格尼斯创新公司
Inventor： 戈尔拉玛瑞扎·恰吉
IPC: G09G3/00 , G09G3/3225
Abstract: 本发明涉及一种用于确定多个基于阵列的半导体器件中的有机发光器件(OLED)的效率劣化的系统，所述基于阵列的半导体器件具有像素的阵列，且所述像素包括OLED。所述系统确定每个所述基于阵列的半导体器件中的所述OLED的电学运行参数的变化与所述OLED的所述效率劣化之间的关系，通过使用所述基于阵列的半导体器件之中的被选定的一者的所确定的关系来确定所述OLED的所述效率劣化，并且补偿所述效率劣化。可以通过使用与每个所述基于阵列的半导体器件相关的测试OLED来确定所述基于阵列的半导体器件中的所述OLED的所述电学运行参数的变化与所述OLED的所述效率劣化之间的所述关系。
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公开(公告)号：CN107924660B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201680046438.0
申请日：2016-08-06
Applicant: 伊格尼斯创新公司
Inventor： 戈尔拉玛瑞扎·恰吉
IPC: G09G3/3225
Abstract: 公开了对由有源矩阵发光二极管器件(AMOLED)以及其他发射型显示器产生的图像进行补偿的系统和方法。将像素的电输出与参考值进行比较以便调整所述像素的输入。在一些实施例中，积分器用于使用受控积分时间来对像素电流和参考电流进行积分以便生成用于比较的值。
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公开(公告)号：CN105144361B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201480022682.4
申请日：2014-04-21
Applicant: 伊格尼斯创新公司
Abstract: 提供了这样的系统：所述系统用于在制造期间或在紧接着制造之后检测具有薄膜晶体管(TFT)和发光器件(OLED)的显示面板的至少一部分，使得能够对制造过程进行调节以避免缺陷和不均匀性。该系统设置有位于所述显示面板的至少一部分上的连接至信号线的焊接垫和沿着所述显示面板的所选边的探针焊盘。所述探针焊盘通过多个多路复用器连接至所述焊接垫，使得所述探针焊盘的数量小于所述焊接垫的数量。
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公开(公告)号：CN105934789B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201480074120.4
申请日：2014-12-06
Applicant: 伊格尼斯创新公司
IPC: G09G5/00 , G09G3/3225 , H01L51/50
Abstract: 本发明公开了补偿显示器件中的局部化现象的方法和系统。显示器包括像素阵列以及控制系统，控制系统用于调整像素阵列的内容数据信号，以补偿阵列中的像素的老化。控制系统经由至少一个像素的读输入部来测量阵列中的所述至少一个像素的参数。控制器通过使用参数确定局部化现象对像素的影响。经由至少一个像素的读输入部来测量阵列中至少一个像素的特性。调整所测量的特性以降低局部化现象的影响。控制器基于经过调整的所测量的特性来计算调整的老化补偿值。将老化补偿值应用至去往至少一个像素的数据内容信号。
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公开(公告)号：CN110264955A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910383556.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 伊格尼斯创新公司
Inventor： 戈尔拉玛瑞扎·恰吉
IPC: G09G3/3233
Abstract: 本发明涉及显示器系统、控制显示器的系统和电路元件特性的确定方法。其中，所述显示器系统可包括：编程电压源；电压电源；多个像素，每个像素包括像素电路，该电路包括：发光器件，驱动晶体管，驱动晶体管的源极和漏极中的一者连接至电压电源，存储电容器，连接到驱动晶体管的栅极，用于存储栅极电压，第一开关晶体管，控制存储电容器到电压电源的连接，和第二开关晶体管，控制编程电压源到存储电容器的连接；以及控制器，被构造成：在编程操作的第一阶段期间，将编程电压源连接到存储电容器，并且将电压电源连接到存储电容器，以生成存储在存储电容器上的栅极电压，且在发光周期期间，断开存储电容器和电压电源的连接。
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