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公开(公告)号：CN102822944B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180015070.9
申请日：2011-03-23
Applicant: 索泰克公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/02455 , H01L21/02458 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L21/0262
Abstract: 本发明的实施例涉及制造半导体结构的方法，并且涉及通过这类方法构成的半导体结构。在一些实施例中，这些方法可用于制造诸如InGaN的III-V族材料的半导体结构。通过使用多组不同的生长条件生长多个子层来制造半导体层，以提高所得层的均一性，提高所得层的表面粗糙度，和/或使所述层能够生长达到经增大的厚度，而应力弛豫并没有开始。
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公开(公告)号：CN101743618B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880024711.5
申请日：2008-07-25
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
Inventor： 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 埃德·林多 , 苏巴实·马哈詹 , 兰詹·达塔 , 拉胡尔·阿贾伊·特里维迪 , 韩日洙
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02647
Abstract: 本发明提供了用于制造具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性的III族氮化物半导体材料的基本上连续的层的方法。该方法包括在多个以不规则方式排列在模板结构上的III族氮化物材料的柱形物/岛状物的上部外延生长成核和/或引晶。岛状物的上部具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性。本发明还包括具有基本上连续的掩蔽材料层的模板结构，通过该层显露出柱形物/岛状物的上部。本发明可应用于大范围的元素和化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101730926B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200880023838.5
申请日：2008-07-25
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647
Abstract: 本发明提供用于制造具有低缺陷密度的基本上连续的III族氮化物半导体材料层的方法。该方法包括在基础衬底上外延生长成核层、热处理所述成核层和外延生长不连续的掩蔽层。概述的这些方法通过掩蔽、湮灭和聚结促进了缺陷的减少，由此制得具有低缺陷密度的半导体结构体。本发明可应用于大范围的半导体材料，包括元素半导体如Si(硅)与应变Si(sSi)和/或Ge(锗)的组合，以及化合物半导体如II-VI族和III-V族化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101730926A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200880023838.5
申请日：2008-07-25
Applicant: 硅绝缘体技术有限公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647
Abstract: 本发明提供用于制造具有低缺陷密度的基本上连续的III族氮化物半导体材料层的方法。该方法包括在基础衬底上外延生长成核层、热处理所述成核层和外延生长不连续的掩蔽层。概述的这些方法通过掩蔽、湮灭和聚结促进了缺陷的减少，由此制得具有低缺陷密度的半导体结构体。本发明可应用于大范围的半导体材料，包括元素半导体如Si(硅)与应变Si(sSi)和/或Ge(锗)的组合，以及化合物半导体如II-VI族和III-V族化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101282652A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680026519.0
申请日：2006-06-02
Applicant: 亚利桑那董事会(代表亚利桑那大学)
Inventor： 斯图尔特·K·威廉姆斯 , 詹姆斯·B·霍伊英
CPC classification number: A61K9/0024 , A61K35/39 , A61K35/44 , A61L27/3804 , A61L27/3891 , A61M5/14276
Abstract: 本发明提供了一种用于将生物学活性剂提供给对其有需要的受试者的可植入装置，该装置包括一个与生物相容性的、半透性的囊相接触的微血管构建体，其中所述囊包封有能够产生生物学活性剂的一种细胞或多种细胞。本发明还提供了一种用于利用该可植入装置来治疗或预防受试者的紊乱的方法。本发明还提供了用于治疗或预防受试者体内糖尿病的具体方法，该方法包括将包含与生物相容性、半透性的囊相接触的微血管构建体的免疫隔离装置植入受试者，其中所述囊包封有能够产生治疗有效量的胰岛素的一种细胞或多种细胞。还提供了用于血管化和再血管化的组织(包括经改造或基因工程化的组织)的方法。
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公开(公告)号：CN101282652B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200680026519.0
申请日：2006-06-02
Applicant: 亚利桑那董事会(代表亚利桑那大学)
Inventor： 斯图尔特·K·威廉姆斯 , 詹姆斯·B·霍伊英
IPC: A61F2/00
CPC classification number: A61K9/0024 , A61K35/39 , A61K35/44 , A61L27/3804 , A61L27/3891 , A61M5/14276
Abstract: 本发明提供了一种用于将生物学活性剂提供给对其有需要的受试者的可植入装置，该装置包括一个与生物相容性的、半透性的囊相接触的微血管构建体，其中所述囊包封有能够产生生物学活性剂的一种细胞或多种细胞。本发明还提供了一种用于利用该可植入装置来治疗或预防受试者的紊乱的方法。本发明还提供了用于治疗或预防受试者体内糖尿病的具体方法，该方法包括将包含与生物相容性、半透性的囊相接触的微血管构建体的免疫隔离装置植入受试者，其中所述囊包封有能够产生治疗有效量的胰岛素的一种细胞或多种细胞。还提供了用于血管化和再血管化的组织(包括经改造或基因工程化的组织)的方法。
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公开(公告)号：CN102216322A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980146121.4
申请日：2009-09-18
Applicant: 纽约大学 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
CPC classification number: C07K14/4702 , A61K38/00 , C07K7/04 , G01N2500/02
Abstract: 本发明涉及具有一个或多个稳定、内部约束的α-螺旋的肽，并且该肽包含模拟HIF-1α的C-端反式激活结构域的至少一部分的序列。本发明还公开了含有这些肽的药物组合物和使用这些肽的方法，例如减少基因转录、治疗或预防由HIF-1α和CREB-结合蛋白和/或p300的反应介导的病症、减少或防止组织内血管生成、诱导细胞凋亡、降低细胞存活率和/或增殖以及识别CREB-结合蛋白和/或p300的潜在配体。
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公开(公告)号：CN1299411A
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：CN98812752.0
申请日：1998-11-03
Applicant: 亚利桑那董事会(代表亚利桑那大学)
CPC classification number: C12N15/63 , A61K48/00 , C12N15/85 , C12N2830/002 , C12N2830/85 , C12N2840/20
Abstract: 本发明提供了在靶细胞中转基因的表达的方法和组合物。提供了使用可诱导扩增系统来驱动治疗基因或其它所关注的哺乳动物宿主细胞的基因的表达构建体以及相应的方法。在生理性条件下的高层次上的转基因的可诱导表达来自于相对于宿主细胞的基础温度的高温条件下的诱导。
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公开(公告)号：CN102742069B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080019971.0
申请日：2010-05-10
Applicant: 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
CPC classification number: H01M12/08 , H01M12/06 , H01M2300/0025 , H01M2300/0045 , Y02E60/128
Abstract: 本申请涉及使用低温离子液体的电化学金属-空气电池。
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公开(公告)号：CN102742069A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080019971.0
申请日：2010-05-10
Applicant: 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
CPC classification number: H01M12/08 , H01M12/06 , H01M2300/0025 , H01M2300/0045 , Y02E60/128
Abstract: 本申请涉及使用低温离子液体的电化学金属-空气电池。
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