公开(公告)号：CN119430864A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411492712.X

申请日：2024-10-24

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 徐威 ,  丁金铎 ,  葛春桥 ,  陈露 ,  李强 ,  梁齐莹

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种In4Sn3O12靶材及其制备方法。本发明的靶材，致密度≥99.2％，电阻率≤8×10‑4Ω·cm，具有高均匀性。本发明还通过了In4Sn3O12靶材的制备方法，该方法以金属铟和金属锡为原料，通过酸溶解，得到混合的金属盐溶液，将所述混合的金属盐溶液滴入氨水中，沉淀形成氢氧化铟和氢氧化锡沉淀，将所述氢氧化铟和氢氧化锡沉淀干燥后得到混合粉体并升温反应，得到In4Sn3O12粉体，将所述In4Sn3O12粉体通过有机酸活化和造粒，得到造粒粉体，然后将所述造粒粉体通过模具成型，得到素坯，烧结所述素坯，即可得到In4Sn3O12靶材。

公开(公告)号：CN116072326B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202310075230.3

申请日：2023-02-07

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 陈露 ,  葛春桥 ,  柳春锡 ,  廖锋尧 ,  李强 ,  钟威平

IPC: H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光伏电池技术领域，提供了一种氧化铟锡材料及其制备方法和应用，本发明提供的氧化铟锡材料包括特定配比的氧化铟、氧化锡、氧化铪和X的氧化物，X为Ti、Zr、Ce、Ga中的一种或几种，本发明金属氧化物组分中氧化锡的质量含量≤1％，而且掺杂了Hf及X元素，氧化铟锡材料的密度7.0‑7.08g/m3，提高了密度，可以将氧化铟锡材料进一步用于沉积TCO薄膜，增加了对长波段光的透过率(在400‑1200nm之间的透光率达到90.0‑90.5％)，并在(1.43‑1.52)×1020cm‑3低浓度载流子掺杂下，获得80.5‑82.5cm2/V.S的较高的迁移率，可以很好地应用在光伏异质结电池领域。

公开(公告)号：CN118479860A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410542009.9

申请日：2024-04-30

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 罗泽宇 ,  陈露 ,  葛春桥

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，提供了一种氧化镍锌靶材及其制备方法和应用。本发明提供的氧化镍锌靶材的主要原料包括氧化镍和一定比例的掺杂剂，其中掺杂剂为氧化锌，氧化镍掺杂氧化锌后可提高材料的电导率，后续可进一步将氧化镍锌靶材制成薄膜，薄膜透过率高；氧化锌还具有助烧作用，可提高靶材的密度；而且氧化锌相比于其他金属氧化物，具有价格低廉、稳定、纯度高、环保等特点。本发明提供的氧化镍锌靶材的相对密度87.4‑98.2％，电阻率低至2.7×104‑3.5×106Ω·cm，将这些靶材制得薄膜后，薄膜透过率可达到78‑84％，适用于钙钛矿太阳能电池的空穴传输层。

公开(公告)号：CN118459217A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410517965.1

申请日：2024-04-28

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 袁润 ,  高洋 ,  李强

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种Al‑ITZO靶材及其制备方法和应用。本发明的Al‑ITZO靶材制备原料包括氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化铝，还包括粘结剂、增塑剂。本发明的Al‑ITZO靶材在薄膜晶体管(TFT)器件中作为沟道层材料应用时具备高离子迁移率优势，其迁移率最高可以达到38cm2·V‑1·S‑1以上，相较于IGZO具有大幅提升，该Al‑ITZO靶材的亚阈值摆幅(SS)值极低，显示出高稳定性的优势，并且本发明的Al‑ITZO靶材成本更低，原料来源更广泛。本发明还提供该Al‑ITZO靶材的制备方法和应用。

公开(公告)号：CN118186351A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410321538.6

申请日：2024-03-20

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 葛春桥 ,  高洋 ,  罗泽宇 ,  陈露 ,  李强

IPC: C23C14/34

Abstract: 本申请属于贵金属溅射靶材技术领域，本申请公开了一种磁控溅射用镍铂合金靶材的制备方法。本申请中的磁控溅射用镍铂合金靶材的制备方法包括以下步骤：（1）将镍粉和铂粉混合并球磨；（2）热压烧结；（3）熔炼；（4）轧制；（5）退火后进行外形加工制得镍铂合金靶材。本申请制得的磁控溅射用镍铂合金靶材的内部晶粒结构均匀、致密度高，镍铂合金靶材成品率高、晶粒细小溅射更稳定，有利于获得厚度均匀的高质量薄膜。

公开(公告)号：CN118047605A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410197849.6

申请日：2024-02-22

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 杨进明 ,  丁金铎 ,  葛春桥 ,  李强 ,  陈露 ,  钟威平 ,  袁兆明

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/34

Abstract: 本申请属于靶材制备的技术领域，具体公开了一种高密度ITO平面靶材的制备方法。ITO平面靶材的制备方法，包括如下步骤：（1）将氧化铟、氧化锡、改性纳米二氧化钛和无水乙醇混合均匀，然后进行球磨，干燥，过筛，然后再加入Y2O3和改性纳米二氧化硅，进行一次烧结，得到混合物；（2）将步骤（1）得到的混合物以60‑70MPa的压力进行热压处理2‑3h，然后进行二次烧结，得到ITO平面靶材，二次烧结的温度为1800‑2000℃，烧结的时间为8‑10h，升温速率为1.2‑1.5℃/min。本申请制备的ITO平面靶材具有较高的致密性，热压成型效果好，强度较高，在烧结时稳定平整不翘曲。

公开(公告)号：CN115341187B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202211031831.6

申请日：2022-08-26

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 廖锋尧 ,  葛春桥 ,  柳春锡 ,  金志洸 ,  李强 ,  钟威平

IPC: C23C14/35 ,  C22C5/06 ,  C22C1/03 ,  C22F1/14 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种银合金靶材及其制备方法和应用，其包括如下按重量份计算的组分：银95～99.9份；铟0.05～2.5份；金属合金0.05～2.5份；所述金属合金包括镍钒合金和/或铜锰合金。选择以镍钒合金和/或铜锰合金掺杂在银元素中，可以有效提高抗氧化性和抗硫化性能；并且镍钒合金和铜锰合金的加入还能够抑制银元素的迁移，从而抑制凸起。由银合金靶材制备的银合金薄膜可以用于液晶显示器、光记录介质、有机发光二极管中。

公开(公告)号：CN116730710A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310075225.2

申请日：2023-02-07

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 陈露 ,  葛春桥 ,  柳春锡 ,  廖锋尧 ,  李强 ,  钟威平

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明属于光伏电池技术领域，提供了一种高价元素掺杂的氧化铟锡材料及其制备方法和应用，本发明提供的高价元素掺杂的氧化铟锡靶材包括一定配比的氧化铟、氧化锡、X的氧化物，其中X为钼、钨、铬、钽、铌、钒中的一种，本发明提供的氧化铟锡靶材的密度7.08‑7.11g/m3，靶材电阻率(0.003‑0.025)×10‑2Ω·cm，晶粒尺寸5.5‑11.5μm，本发明提供的高价元素掺杂的氧化铟锡靶材可用作光伏电池用靶材，在基材上沉积TCO薄膜，以较低的掺杂量，在保持较低的自由载流子浓度下，提高了TCO薄膜的透光率和迁移率。

公开(公告)号：CN116425514A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310244635.5

申请日：2023-03-15

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 葛春桥 ,  陈露 ,  李强 ,  杨进明 ,  柳春锡

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于光伏电池技术领域，提供了一种多元氧化物掺杂氧化铟基靶材及其制备方法和应用，本发明采用特定含量的SnO2、TiO2、CeO2、X的氧化物、ZrO2、HfO2对氧化铟进行掺杂制得多元氧化物掺杂氧化铟基靶材，X为V、Nb、Cr、Mo、Ta、W中的一种或几种，总掺杂浓度较低，降低烧结温度，多元氧化物掺杂氧化铟基靶材的密度在7.080‑7.121g/m3之间，晶粒尺寸9.8‑12.8μm，靶材具有低掺杂、高密度的特点，由其所制得的TCO薄膜，迁移率达到在43‑75cm2/(V.s)之间，透光率(@400‑1200nm)达到88.5‑90.8％，同时满足高透光率和高迁移率的要求。

公开(公告)号：CN115287494B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211006675.8

申请日：2022-08-22

Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司

Inventor： 葛春桥 ,  廖锋尧 ,  柳春锡 ,  李强 ,  钟威平 ,  金志洸

IPC: C22C5/06 ,  C22C1/02 ,  C22F1/14

Abstract: 本发明公开了一种银合金靶材及其制备方法和应用，其包括如下按质量份计算的组分：银90份～99.8份；铟1份～3份；碱土金属元素0.01份～0.15份；钒0.001份～0.01份。碱土金属元素和钒元素的加入不仅可以提升耐氯腐蚀性能而且还能提升抗硫化性能。由其制备的银合金薄膜可以用于液晶显示器、光记录介质、有机发光二极管中。