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公开(公告)号：CN107001054B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201580064766.9
申请日：2015-11-25
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明公开了一种用于制备包含一氢三卤代硅烷的产物的方法。所述方法包括以下步骤：1)首先向反应器中装入包含新鲜硅和回收的接触物质两者的接触物质，其中所述回收的接触物质是从用于制备一氢三卤代硅烷的无机直接法反应的制备阶段期间或之后获得的；以及此后，2)向所述反应器中供入卤化氢和另外的新鲜硅，从而形成所述产物。
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公开(公告)号：CN104411864B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380036021.2
申请日：2013-07-09
Applicant: 赫姆洛克半导体公司
IPC: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/44 , C23C16/458
CPC classification number: C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/4581
Abstract: 本发明涉及一种制造设备，所述制造设备将材料沉积在承载体上。所述制造设备包括壳体，所述壳体限定腔室。所述壳体限定入口以用于将包含所述材料或其前体的沉积组合物引入所述腔室。所述壳体还限定出口，所述出口穿过所述壳体以用于从所述腔室排出所述沉积组合物。电极穿过所述壳体而设置，其中所述电极至少部分地设置在所述腔室内。托座具有外表面并连接到所述腔室内的所述电极以用于接纳所述承载体。剥离涂层设置在所述托座的所述外表面上以促进所述托座与所述承载体及其上沉积的所述材料的分离，从而收获所述承载体。
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公开(公告)号：CN103648631B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280034617.4
申请日：2012-06-14
Applicant: 赫姆洛克半导体公司
Inventor： 唐·巴拉诺维斯基 , 马修·比肖普 , M·德蒂亚 , 迈克尔·约翰·莫尔纳 , P·克里斯蒂安·纳伯豪斯
IPC: B01J8/18 , C01B33/027 , B01J8/00 , B65G53/46
CPC classification number: B01J8/003 , B01J8/0045 , B01J8/1827 , B01J8/24 , B01J2208/00752 , B01J2208/00761 , B65G53/4658 , F16K5/0605
Abstract: 本发明公开了一种选择性地分配来自容器的室的硅产物的圆顶阀。所述圆顶阀包括限定直通通道的阀本体，所述直通通道与所述容器的所述室连通，以允许所述硅产物离开所述容器。所述圆顶阀还包括限定开口的阀座，所述硅产物通过所述开口进入所述直通通道。所述圆顶阀还包括具有半-半球构型的圆顶本体。所述圆顶本体具有密封表面。所述圆顶本体可在闭合位置和打开位置之间旋转，以允许选择性地分配来自所述容器的所述硅产物。
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公开(公告)号：CN104583122A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380044277.8
申请日：2013-08-26
Applicant: 赫姆洛克半导体公司
IPC: C01B33/027 , B01J8/18 , B01J8/24 , B01J8/44
CPC classification number: B01J8/24 , B01J8/1827 , B01J8/1836 , B01J8/1872 , B01J8/44 , B01J2208/00672 , B01J2208/00752 , B01J2208/00761 , B01J2208/00902 , B01J2208/00938 , B01J2208/00982 , B01J2208/00991 , C01B33/027 , C01B33/03 , G01N15/0255
Abstract: 本发明涉及一种流化床反应器，其包括气体分配器、位于所述气体分配器上方的锥形区段以及位于所述锥形区段上方的扩展头部。所述气体分配器限定多个围绕产物抽吸管的入口，所述产物抽吸管远离所述流化床反应器延伸。所述流化床反应器可用于诸如Geldart B类颗粒和/或Geldart D类颗粒的相对大的颗粒的流化方法，其中所述颗粒处于完全或部分地位于所述锥形区段中的鼓泡流化床中。所述流化床反应器和方法可用于制造多晶硅。
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公开(公告)号：CN103648631A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034617.4
申请日：2012-06-14
Applicant: 赫姆洛克半导体公司
Inventor： 唐·巴拉诺维斯基 , 马修·比肖普 , M·德蒂亚 , 迈克尔·约翰·莫尔纳 , P·克里斯蒂安·纳伯豪斯
IPC: B01J8/18 , C01B33/027 , B01J8/00 , B65G53/46
CPC classification number: B01J8/003 , B01J8/0045 , B01J8/1827 , B01J8/24 , B01J2208/00752 , B01J2208/00761 , B65G53/4658 , F16K5/0605
Abstract: 本发明公开了一种选择性地分配来自容器的室的硅产物的圆顶阀。所述圆顶阀包括限定直通通道的阀本体，所述直通通道与所述容器的所述室连通，以允许所述硅产物离开所述容器。所述圆顶阀还包括限定开口的阀座，所述硅产物通过所述开口进入所述直通通道。所述圆顶阀还包括具有半-半球构型的圆顶本体。所述圆顶本体具有密封表面。所述圆顶本体可在闭合位置和打开位置之间旋转，以允许选择性地分配来自所述容器的所述硅产物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102047750B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980120110.9
申请日：2009-04-13
Applicant: 赫姆洛克半导体公司
IPC: H05B3/03 , C23C16/44 , C01B33/035
CPC classification number: C23C16/4418 , C01B33/035 , H05B3/03
Abstract: 本发明涉及一种用于在载体上沉积材料的制造设备和用于这种制造设备的电极。典型地，载体具有彼此隔开的第一端和第二端。插座设置在载体的每端处。这种制造设备包括限定了腔室的壳体。设置穿过壳体的至少一个电极，其中电极至少部分地设置于腔室内以便联接至插座。电极具有外表面，该外表面具有适于接触插座的接触区域。接触区域涂层设置在电极的外表面的接触区域上。接触区域涂层具有至少9x106姆欧/米的导电系数和在基于室温海水作为电解质的电位序中高于银的抗腐蚀性。
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公开(公告)号：CN102933953A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027579.5
申请日：2011-06-03
Applicant: 赫姆洛克半导体公司
Inventor： 道格·克雷斯佐夫斯基 , 约翰·W·哈德
CPC classification number: G01N21/9505 , G01J3/443 , G01N21/6489 , G01N21/94 , G01N21/9501 , G01N21/9503
Abstract: 本发明提供了用于辨识和量化半导体样品中杂质的光致发光光谱学系统和方法。在一些实施方案中，所述系统和方法包括照明第一样品表面的离焦准直激光束，以及由集光透镜从所述第一表面与大致垂直的第二表面的相交处进行光致发光收集，其中所述第一样品表面被取向为相对于与所述集光透镜平行的位置成约0°至90°的角。
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公开(公告)号：CN102686774A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080052380.3
申请日：2010-10-08
Applicant: 赫姆洛克半导体公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4404 , C01B33/035 , C23C16/4418
Abstract: 一种用于在载体上沉积材料的制造装置和一种与制造装置一起使用的电极。制造装置包括限定腔室的外壳。外壳还限定用于将气体引入腔室的入口和用于将气体从腔室排出的出口。至少一个电极被布置穿过腔室且该电极至少部分地被布置于腔室内。电极包括具有第一端和第二端的轴，以及被布置在轴的端中一个上的头部。电极的头部具有外部表面，该外部表面具有触头。外部涂层被布置在接触区外的电极的外部表面上。根据mm3/N*m测量，外部涂层具有比镍更大的耐磨性。
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公开(公告)号：CN106477582A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610701107.8
申请日：2016-08-22
Applicant: 赫姆洛克半导体公司
Inventor： 约翰·维克托·布奇 , 马克·理查德·斯塔乔维克 , 查尔斯·艾伦·斯蒂比茨
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/24 , C23C16/45512 , C23C16/45593
Abstract: 本发明提供了一种改善反应器中的多晶硅生长的方法，所述方法包括：将包含三氯硅烷和二氯硅烷的氯硅烷进料组合物引入到沉积室中，其中所述沉积室包含基材；将所述氯硅烷进料组合物与氢气共混以形成进料组合物；调整进入到所述沉积室中的氯硅烷和氢气的基线流，以实现预定的总流量和预定的氯硅烷进料组合物设定点；将压力施加到所述沉积室并且将能量施加到所述沉积室中的所述基材以形成多晶硅；测量存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的量并且从存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的目标值确定偏移值；通过与所述二氯硅烷偏移值成反比的量调整所述氯硅烷进料组合物设定点；以及将所述所形成的多晶硅沉积到所述基材上。
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公开(公告)号：CN105165117B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480024787.3
申请日：2014-03-10
Applicant: 赫姆洛克半导体公司
Abstract: 本发明公开了一种感应加热设备，所述感应加热设备包括限定反应室的衬托器。壳体在与所述反应室相反的方向与所述衬托器隔开，并且限定端口。空隙空间限定在所述壳体与所述衬托器之间。感应线圈延伸穿过所述端口并设置在所述空隙空间内以便传导电流以对所述衬托器进行加热，进而对所述反应室进行加热。凸缘包括金属材料并且在所述端口处联接到所述壳体以便密封所述端口，其中所述感应线圈延伸穿过所述凸缘。绝缘体设置在所述凸缘与所述壳体之间以防止电流流入所述壳体。
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