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公开(公告)号:CN101400954B
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200780008222.6
申请日:2007-02-27
Applicant: 波克股份有限公司
Inventor: R·李
IPC: F25B19/00
CPC classification number: F25D19/00 , F25B2500/06 , F25D3/10 , H01F6/04 , Y10S505/899
Abstract: 用于冷却超导体的多槽设备和方法包括包含第一冷冻剂的冷却槽和包含第二冷冻剂的防护槽两者。冷却槽包围超导体,且防护槽包围冷却槽。冷却槽保持在第一压力且是过冷的,而防护槽保持在第二压力且是饱和的。冷却槽和防护槽彼此处于热关系,且第一压力高于第二压力。较佳的是,冷冻剂是液态氮,且超导体是诸如电流限制器的高温超导体。在超导体的热破坏之后,将第一压力恢复到冷却槽且将第二压力恢复到防护槽,以使超导体恢复到超导状态。
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公开(公告)号:CN100537844C
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200410081886.3
申请日:2004-12-31
Applicant: 波克股份有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , C23C26/00
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , H01J37/32844 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 一种通入含氟气流到沉积过程用以保持过程副产物的挥发性并及减少或消除副产物的形成和/或干扰的方法和设备。
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公开(公告)号:CN100418611C
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200410098140.3
申请日:2004-10-17
Applicant: 波克股份有限公司 , 坎能技术股份有限公司
CPC classification number: B01D53/60 , B01D53/50 , B01D53/501 , B01D53/64 , B01D2251/104 , B01D2257/302 , B01D2257/404 , B01D2257/60 , Y02A50/2344
Abstract: 本发明提供一种从气流,例如来自工业过程的烟道气流中,去除污染物的方法和装置。该方法中在气流接触氧化器区域中的氧化剂之前应用一个预洗涤器接触该气流。然后氧化过的气体在一个第一级和第二级洗涤器或者仅一个单级洗涤器中进行处理。
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公开(公告)号:CN100417745C
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN03160359.9
申请日:2003-09-25
Applicant: 波克股份有限公司
IPC: C23C18/16
CPC classification number: B01D15/00 , B01J20/08 , B01J20/103 , B01J20/18 , B01J20/20 , B01J20/3408 , B01J20/3416 , B01J20/3433 , B01J20/3475 , B01J2220/56 , C23C18/1617
Abstract: 一种用于分离并环境友好地处理胺硼烷复合物的方法,包括吸附胺硼烷复合物到载体上,当场在吸附剂上用氧化剂处理所吸附的胺硼烷复合物形成分解产物而不生成氢气,收集分解产物以将其处理。
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公开(公告)号:CN101189134A
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200580046012.7
申请日:2005-12-22
Applicant: 波克股份有限公司
Abstract: 提供了一种可以按照预期处理基板表面的改进方法,该方法包括使用预先选择的触变性蚀刻剂获得优良并且预先确定的基板表面。
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公开(公告)号:CN100387537C
公开(公告)日:2008-05-14
申请号:CN200410069973.7
申请日:2004-07-16
Applicant: 波克股份有限公司
Inventor: A·I·雪利
IPC: C03B37/014 , C03B37/018 , C03C17/22
CPC classification number: C03B37/0144 , B01D53/0462 , B01D53/047 , B01D53/22 , B01D2253/104 , B01D2253/106 , B01D2256/18 , B01D2257/11 , B01D2257/2025 , B01D2257/504 , B01D2257/80 , C03B37/01446 , Y02C10/08 , Y02C10/10
Abstract: 本发明公开从生产光纤的过程中回收并循环氦气和未反应氯气的方法。从固结炉中回收富氦和富氯气流,并对它们进行了分离。富氦气流干燥后与补充氦气混合,富氯气流纯化后与补充氯气混合,因而它们各自可以再被用于光纤生产过程。
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公开(公告)号:CN100377836C
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN03819420.1
申请日:2003-01-28
Applicant: 波克股份有限公司
IPC: B24B1/00
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/08 , B08B7/0092 , H01L21/02065 , H01L21/02074 , H01L21/30625
Abstract: 本发明提供了一种新的适用于清洗半导体表面以及金属、特别是疏水性低K介质膜和CMP侵蚀阻挡膜的表面,以去除后CMP污染物的含水和低温增强(ACE)清洗的改进方法。该方法特别适用于去除尺寸为0.3μm或小于0.3μm的污染物。ACE清洗方法适用于已经经历过化学机械抛光(CMP)的表面。该方法包括这样的步骤:采用含水基的清洗方法清洗表面,至少局部干燥表面,以及之后不久,采用 CO2低温清洗方法清洗表面。该方法能够从疏水性的、由此单独采用含水基清洗技术难以清洁的表面上,去除所述的污染物。
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公开(公告)号:CN101069017A
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200580041324.9
申请日:2005-11-23
Applicant: 波克股份有限公司
IPC: F04B25/00
CPC classification number: F04D19/04 , C23C16/4412 , F04D19/00 , F04D19/046 , F04D25/00 , F04D27/00 , H01L21/67017 , H01L21/67155
Abstract: 本发明是一种用于对若干包含不相容气体的真空处理室进行抽真空的装置和方法。气体被引导至包含预调节装置的低于大气压的消减室。在消减室中处理气体以使它们相容。然后,通过前级泵将相容的气体作为单个气流而从消减室中抽走。
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