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公开(公告)号：CN103235710A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310157476.1
申请日：2013-04-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开一种可逆逻辑超前进位加法器，涉及微电子技术领域。本发明由四级4位可逆超前进位加法器级联构成，每一级4位可逆超前进位加法器分别计算本级的4位本位运算结果以及相对应的进位输出将第一进位输出、第二进位输出、第三进位输出分别输入下一级4位可逆超前进位加法器相应的进位输入端作为其进位输入，第四进位输出进位输出作为16位可逆超前进位加法器的进位输出。本发明使用可逆逻辑的设计方法，来实现16位的超前进位加法器。能够大幅度减少电路延时。同时，遵循可逆逻辑理论的电路设计能够减少能量损耗甚至完全杜绝电路损耗。
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公开(公告)号：CN103226726A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310157479.5
申请日：2013-04-28
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明请求保护一种半无源RFID标签芯片原理标签，涉及射频识别领域。将不同调制类型的信号分别送入可配置解调电路，可配置解调电路对接收的信息进行解调，完成调制解调模块的动态配置来适应不同信道的复杂性；通过读写器指令控制，启动电池供电或读写器提供的能量，以节省功耗，并且能够扩大信息的识别距离，保证信息的有效识别。同时，本发明芯片适用于高速数据通信，具有良好的稳定性和抗噪能力。
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公开(公告)号：CN119906418A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411979423.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种带动态校准的电荷泵电路，属于集成电路技术领域，包括电荷泵主体电路、放电电流补偿电路以及动态校准电路。本发明采用组合MOS管实现充电与放电电流源，提高充放电流源精度并提高电路输出电压摆幅；采用放电电流补偿电路来调整电路的放电电流，提高电路充放电流的匹配性；采用放大器OP2、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M21以及NMOS管M22构成的负反馈动态校准电路，调整流入/流出放大器OP2输出端的电流，从而动态调整电荷泵电路的充放电流，提高电路的充电电流与放电电流的匹配性，进而实现一种带动态校准的电荷泵电路。
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公开(公告)号：CN119806271A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411979422.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路，包括带启动的偏置电路、基极补偿的带隙基准核心电路以及高阶温度补偿电路。本发明采用NPN三极管基极串联电阻技术来抑制NPN三极管基极电流对带隙基准源电路输出电压影响，采用两个NMOS管工作在亚阈值区的栅源电压之差产生的正温度系数电流以及NPN三极管基极‑发射极电压在电阻上产生的负温度系数电流等技术实现的两个高阶温度补偿电流来补偿带隙基准源电路输出电压的温度高阶非线性，进而获得高阶温度补偿的带隙基准电压，从而实现一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路。
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公开(公告)号：CN114705919B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210209200.2
申请日：2022-03-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的电感电流检测电路，包括偏置电路、预放大级电路、第二放大级电路、第三放大级电路及输出级电路。本发明采用三极管Q1与三极管Q3、三极管Q2与三极管Q4分别构成达林顿输入管，减少所述预放大级电路的输入失调电压；采用传输门T1、传输门T2、传输门T3及传输门T4技术，且外部电感电流方向决定此4个传输门开启，使得所述第二放大级电路实现双端输入单端输出，同时采用所述第三放大级电路与所述预放大级电路、所述第二放大级电路构成负反馈系统且采样外部电感电流信号的技术，提高电路对电感电流的采样精度，从而在所述输出级电路的输出端VOUT产生用于电源管理芯片的电感电流的检测信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110798201B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201911197548.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 本发明请求保护一种高速耐压电平转换电路，包括电平转换核心电路及输出反相器等。本发明采用由NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M11、PMOS管M12等6个MOS管作为输入驱动管以及由交叉耦合对管PMOS管M7、PMOS管M8构成锁存器等技术实现高速转换性能，采用MOS管堆栈结构提高电路耐压性能，同时输出反相器中PMOS管M15的源极接外部高电源2VDD以及NMOS管M16的源极接外部低电源VDD，从而实现一种高速耐压的电平转换电路。
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公开(公告)号：CN116073651A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310003736.3
申请日：2023-01-03
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，属于微电子技术领域，包括充电电流补偿电路、电荷泵核心电路及放电电流补偿电路。本发明采用MOS管M13～M15及放大器OP2构成低电压区域充电电流IUP补偿电路，提高低电压区域IUP匹配范围，采用放大器OP5、PMOS管M19及传输门T1构成高电压区域IUP的补偿电路，提高高电压区域IUP匹配范围，采用MOS管M16～M18及放大器OP3构成高电压区域放电电流IDN补偿电路，提高高电压区域IDN匹配范围，采用放大器OP4、NMOS管M20及传输门T6构成低电压区域IDN的补偿电路，提高低电压区域IDN匹配范围，进而提高充/放电电流匹配范围，实现宽匹配范围电荷泵。
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公开(公告)号：CN114489222A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210125137.4
申请日：2022-02-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源芯片的带隙基准电路，包括启动电路、带隙基准核心电路及温度补偿电路。本发明采用电流镜及电流源的嵌位技术使得NPN三极管Q1及NPN三极管Q4具有相同的集电极电压及相同的基极电压，使得电阻R5支路及电阻R6支路上流过相等的正温度系数电流，进而在电阻R4与电阻R5上产生正温度系数电压并与NPN三极管Q2的基极‑发射极电压产生一阶带隙基准电压；采用NPN三极管的基极与发射极短接技术获得反偏PN结，利用反偏PN结的饱和电流产生高阶温度补偿电流并对一阶带隙基准电压进行高阶温度补偿，从而实现一种用于电源芯片的高性能带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN112787503A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110017481.7
申请日：2021-01-07
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种电流可修调的自适应自偏置电荷泵，包括可修调自适应偏置电路及电荷泵核心电路等。本发明可修调自适应偏置电路采用NMOS管M3栅极与电荷泵输出端相连接产生自适应电荷泵输出电压的偏置电流，采用输入端SL1、输入端SL2及输入端SL3分别控制NMOS管M8、NMOS管M9及NMOS管M10的栅极进而产生可修调的偏置电流；电荷泵核心电路中误差放大器op1与误差放大器op2均采用单位增益连接且与4个NMOS开关管及4个PMOS开关管实现自举技术消除电荷泵的电荷共享效应，同时误差放大器op1与误差放大器op2采用并联连接提高电流驱动能力，从而实现一种电流可修调的自适应自偏置电荷泵。
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公开(公告)号：CN112653327A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011548149.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明请求保护一种宽锁定范围低电流失配的电荷泵，包括电荷泵偏置电路及电荷泵核心电路等。本发明电荷泵偏置电路的PMOS管M9采用二极管连接及PMOS管M8栅极与电荷泵输出端相连，在放电状态弥补电荷泵输出电压较低时放电电流较小的问题，增加电荷泵输出端电压动态范围；电荷泵核心电路中误差放大器op1采用单位增益连接，在充/放电转换瞬间能抑制电荷共享效应；PMOS管M17、PMOS管M10分别与误差放大器op2构成反馈补偿电路，充电状态电荷泵输出端电压逐渐上升使得PMOS管M17及PMOS管M10栅极电压降低，充电电流增加，进而增大电荷泵输出端电压动态范围，从而实现一种宽锁定范围低电流失配的电荷泵。
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