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公开(公告)号：CN107315441A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710532707.0
申请日：2017-07-03
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/59
CPC classification number: G05F1/59
Abstract: 一种具有快速瞬态响应的片上低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。包括误差放大器、功率管MP、密勒电容CL、第一分压电阻和第二分压电阻，功率管MP的源极连接输入电压VIN，其漏极通过第一分压电阻和第二分压电阻的串联结构后接地；误差放大器的负向输入端连接基准电压Vref，其正向输入端连接第一分压电阻和第二分压电阻的串联点，其输出端连接功率管MP的栅极，密勒电容CL接在功率管MP的漏极和地之间；误差放大器采用STCB结构的误差放大器，STCB结构的误差放大器的输入级插入瞬态增强结构；优选实施例中功率管MP的栅极和漏极之间还连接有微分器同时LDO引入自适应偏置结构。本发明在提升瞬态响应速度的同时大幅度减小了环路补偿所需的密勒电容。
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公开(公告)号：CN107294369A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710564670.X
申请日：2017-07-12
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
CPC classification number: H02M1/36 , H02M1/32 , H02M3/1582
Abstract: 一种应用于升压变换器的恒流启动电路，属于电子技术领域。包括功率级、恒流启动模块、偏置电路模块和使能模块，所述偏置电路模块用于产生恒定的第一偏置电流和第二偏置电流提供给所述恒流启动模块，所述使能模块用于产生使能信号EN控制偏置电路模块与恒流启动模块的开启和关断；所述恒流启动模块利用电流镜和恒定偏置电流将功率级的充电电流限制为固定值。本发明采用将充电电流即电感电流箝位为固定值的方法，实现了软启动阶段的恒流充电，消除了升压变换器电路启动阶段的浪涌电流。
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公开(公告)号：CN107168453A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710533403.6
申请日：2017-07-03
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 一种基于纹波预放大的全集成低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。跨导放大器的正向输入端连接基准电压Vref，其负向输入端连接反馈电压Vfb，其输出端连接跨阻放大器的负向输入端和误差放大器的负向输入端，跨阻放大器的正向输入端接地GND，其输出端接误差放大器的正向输入端；功率管MP的栅极连接误差放大器的输出端，其源极连接输入电压VIN，其漏极通过第一分压电阻Rf1和第二分压电阻Rf2的串联结构后接地GND，所述第一分压电阻Rf1和第二分压电阻Rf2的串联点输出反馈电压Vfb，密勒电容CL接在功率管MP的漏极和地GND之间；补偿电路接在功率管MP的漏极和第一分压电阻Rf1与第二分压电阻Rf2的串联点之间。本发明在实现快速瞬态响应的同时减小了密勒电容。
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公开(公告)号：CN106920842A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710328752.4
申请日：2017-05-11
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7394
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有载流子存储层的槽型SOI LIGBT。本发明相对于传统结构，具有以下几个特点：一、具有高浓度的载流子存储层，其在正向导通时起阻挡空穴的作用，使界面附近的空穴浓度增大，根据电中性原理，更多的电子注入漂移区，电导调制效应增强，进而降低器件的正向导通压降。同时，引入介质槽，在物理上阻挡空穴被阴极收集，起到进一步降低正向导通压降的作用，更重要的是，在正向阻断时起到辅助耗尽载流子存储层的作用，使得在高浓度载流子存储层的情况下器件保持高耐压；二、采用三栅结构，提高沟道密度；三、三栅结构与介质槽可以同时制作，无需额外的工艺步骤。
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公开(公告)号：CN106876454A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710109457.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0611 , H01L29/0684 , H01L29/36 , H01L29/66325
Abstract: 本发明提供一种低阻且可抑制负阻效应的SOI‑LIGBT器件及其制造方法，其元胞结构包括衬底、埋氧层、厚介质层、厚硅层漂移区、P阱区、P型重掺杂发射极区、第一N型重掺杂区、N型buffer区、P型重掺杂集电极区、第二N型重掺杂区、集电极介质阻挡层、集电极接触电极、超薄顶层硅漂移区、发射极接触电极、栅氧化层、多晶硅栅、P条、N条，N条与P条在纵向上交替设置在厚硅层漂移区中，本发明通过采用超薄顶层硅漂移区增强埋层电场提高SOI器件的纵向击穿电压；采用厚硅层漂移区来降低器件比导通电阻，对超薄顶层硅漂移区和厚硅层漂移区分别采用横向线性变掺杂调整表面电场分布，使其在保持器件高的击穿电压的同时极大地降低了比导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106847833A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710202930.9
申请日：2017-03-30
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/84 , H01L27/1207 , H01L29/0607 , H01L29/0684
Abstract: 本发明提供一种SOI横向高压器件及其制造方法，包括以下步骤：以SOI为衬底，形成N型线性变掺杂绝缘体上硅层与薄硅层漂移区、形成薄硅层区即厚介质层、形成Pwell区；形成Nwell区、形成栅氧化层、形成多晶硅栅电极、形成N条、形成P条、进行第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区以及第二N型重掺杂区的注入，形成欧姆接触，引出电极第一层接触孔刻蚀，淀积铝金属，形成源极接触电极与漏极接触电极；该制造方法与传统工艺兼容性好，具有普适性，制造出的器件能够有效地减小器件面积、降低器件成本；利用本发明所述的方法制备的SOI低阻横向高压器件，可实现BV＝950V，Ron，sp＝153Ω·cm2。
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公开(公告)号：CN118299419A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410336940.1
申请日：2024-03-22
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种横向功率半导体器件，包括第二掺杂类型的衬底、第一掺杂类型的漂移区、第二掺杂类型的第一体区、第一掺杂类型的漏区、第一掺杂类型的源区、第二掺杂类型的第二体区。在硅表面有介质层，该介质层内设置源电极、栅电极、栅氧化层、硅化物阻挡层结构、场板下方二氧化硅介质层、场板下方低K介质层、漏电极。场板下方低K介质层的介电系数较低，其等效氧化层厚度更厚，降低了其上方的源场板的电场调制效应。改变源场板下方介质层材料，还可提高硅表面电场，增大器件耐压，改变栅极下方局部介质层材料，降低热载流子注入效应。本发明可优化器件表面电场，增大器件耐压，降低热载流子注入效应，提高器件可靠性，增大器件安全工作区。
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公开(公告)号：CN117409672A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311530409.X
申请日：2023-11-16
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可锁止的卷曲引导收展装置，主要解决现有柔性屏收展装置体积过大，装置自适应性不强，在收展过程有被损坏隐患的问题，其包括壳体(1)、卷轴(2)、柔性屏(3)、支撑结构(4)、驱动机构(5)和引导锁止结构(6)。支撑结构由固定在柔性屏背部的多个纵向排布磁条和与其侧边相吸的磁块形成柔性屏支撑整体，该支撑整体与卷轴配合成一体，该引导锁止结构采用平行四边形铰链连杆机构，在收展过程中由驱动结构带动卷轴旋转，使支撑结构和柔性屏同时收展，引导锁止结构在支撑结构的运动下受力带动浮动锁止连杆上下运动，在收展完成时，由相对的连杆相互限制位移完成锁止。本发明体积小、安装方便、携带方便，可用于柔性屏的卷曲收展。
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公开(公告)号：CN113838914B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202111116107.9
申请日：2021-09-23
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/28 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种具有分离栅结构的RET IGBT器件结构及制作方法，通过在N型电荷存储层下方引入P型埋层，在P型埋层左侧引入N型埋层，消除了高浓度P型埋层对器件阈值电压的影响，电子电流可以通过N型埋层流入N型漂移区，不会影响器件的通态特性。本发明通过将栅电极分裂为上下两部分，上部分作为栅极，下部分与发射极连接，分离栅结构降低了米勒电容Cgc，进而降低了开关损耗。同时，分离栅底部的氧化层厚度可以进一步提高，或使用高介电常数的介质材料，可以改善沟槽底部电场集中，提升器件的可靠性。当器件关断时PMOS的开启为空穴提供了一条额外的抽取通路，加快了电流的关断。
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公开(公告)号：CN111969049B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202010888909.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/40 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；在集电极区域以相同工艺形成与集电极接触电极相连的纵向场板，并且平行插入第二导电类型阱区，形成阳极电阻结构。本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流。第二导电类型阱区引入的纵向场板，能够精确控制阳极电阻的大小，消除了snapback现象对器件输出特性的影响，提高器件的稳定性。
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