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公开(公告)号：CN1569731A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410034110.6
申请日：2004-04-23
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/624 , H01B3/12 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及一种新型Li－Si－Ni－O基高介电常数陶瓷材料及其合成方法，属于氧化物陶瓷材料制备技术领域。其特征在于：所述材料原料采用Ni、Li的硫酸盐、硝酸盐或氯化物盐类，以碳酸铵或碳酸氢铵作为沉淀剂，通过化学沉淀法或溶胶—凝胶法合成均匀掺杂的纳米前驱体粉体，经造粒、成型、烧结，获得锂、硅共掺杂的氧化镍陶瓷。由于本发明通过改变不同掺杂元素及相对掺杂含量，可以调控该材料体系的介电性能，如介电常数、介电损耗以及温度稳定性。采用化学沉淀法或溶胶—凝胶法，可以获得粒径可控、化学成分均匀的活性纳米前驱体粉体，从而可以降低陶瓷烧结温度、缩短反应时间，降低能耗，改善产品性能。
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公开(公告)号：CN1159212C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02121431.X
申请日：2002-06-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种纳米级金属碲化物的制备方法，该方法以铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐及单质Te为原料，N，N-二甲基甲酰胺为溶剂，在碱和还原剂存在的条件下，于100℃-180℃反应合成纳米级热电材料MxTey(M＝Bi、Sn、Pb)及以Bi2Te3或PbTe为基的掺杂Pb或Sn化合物。通过反应条件的控制，可方便地获得球形、方形及棒状纳米晶体粒子，其粒径小于100纳米。本方法具有操作简单(一次进料)，能耗低(100℃～180℃合成)，结晶度高，粒径小(平均50纳米左右)，晶形可控(可得棒、球、片状产品)等特点；所制备的Bi2Te3、PbTe为基的化合物经烧结后分别是室温、中温区热电转换效率最高的热电材料。
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公开(公告)号：CN1152825C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN02153787.9
申请日：2002-12-06
Applicant: 清华大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明公开了属于陶瓷材料的一种纳米ZnO粉体的合成方法，它是采用机械化学法将锌的硫酸盐、硝酸盐及氯化物的盐与NaOH或KOH混合反应，经过过滤、洗涤、烘干即得到纳米级ZnO粉。整个试验过程中基本上处于固态，只有极少量的原料带进的结晶水存在，反应过程中放出的大量的热，使得Zn(OH)2直接分解为ZnO粒子，而不是转化为[Zn(OH)4]2-。因此，机械化学法合成纳米ZnO粉的方法是与其他方法不同的绿色合成法，具有操作简单、生产周期短、能耗低、污染小，适合工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN1460693A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03137257.0
申请日：2003-06-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种复合型聚合物电解质材料及其制备方法，属于电解质材料制备技术领域。本发明采用高比表面积介孔无机氧化物粉末为原料，将该粉末在增塑剂中浸泡进行预处理，使增塑剂进入纳米无机物孔道中，然后加热除去无机粉末表面的增塑剂，仅保留孔道中的增塑剂。用简单的溶液浇铸法把该复合粉末与聚合物锂盐复合制备成复合型聚合物电解质。由此方法处理过的无机填充物制备的电解质薄膜的电导率与单纯的等量无机粉末或单纯的等量增塑剂制备的复合型电解质相比，电导率明显提高，并且具有机械性能好，热稳定性好、有较高的界面稳定性和电化学稳定性的的特征。可应用于二次锂离子电池制备。
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公开(公告)号：CN1410354A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02153787.9
申请日：2002-12-06
Applicant: 清华大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明公开了属于陶瓷材料的一种纳米ZnO粉体的合成方法，它是采用机械化学法将锌的硫酸盐、硝酸盐及氯化物的盐与NaOH或KOH混合反应，经过过滤、洗涤、烘干即得到纳米级ZnO粉。整个试验过程中基本上处于固态，只有极少量的原料带进的结晶水存在，反应过程中放出的大量的热，使得Zn(OH)2直接分解为ZnO粒子，而不是转化为[Zn(OH)4]2－。因此，机械化学法合成纳米ZnO粉的方法是与其他方法不同的绿色合成法，具有操作简单、生产周期短、能耗低、污染小，适合工业化生产的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119430909A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411547390.4
申请日：2024-11-01
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基陶瓷材料及其制备方法，所述钛酸钡基陶瓷材料的化学式为：(1‑x)(Ba1‑yCay‑zSrz)TiO3‑xBi(Mg0.5Zr0.5)O3，其中，0.20≤x≤0.25，0.2≤y≤0.25，0≤z≤0.05。本发明的钛酸钡基陶瓷材料，其具有更宽的温度区间，在‑55度到200度区间内电容值变化小于15％，能够达到X9R特性，同时能够将介电损耗控制在0.9％以下，适用于制备高温应用场景下的电容器，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118598201A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410615733.X
申请日：2024-05-17
Applicant: 清华大学
IPC: C01G49/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , G02F1/00 , G02F1/03 , G02F1/05 , C01G45/12 , C01F17/34 , C01F17/10
Abstract: 本发明公开了一种手性无铅铁电纳米结构材料及其制备方法和应用。该手性无铅铁电纳米结构材料，其结构由下至上依次：单晶基底层、底电极层和铁电材料层；所述铁电材料层由若干个独立排列的纳米方块组成；构成所述铁电材料层的材料为镧掺杂铁酸铋La:BiFeO3（LBFO）；进一步地，所述镧掺杂铁酸铋中镧元素掺杂比例可为5‑15%。本发明所述手性无铅铁电纳米结构材料，其手性源于铁电纳米结构中具有拓扑保护的涡旋畴结构。施加电场后可以实现畴结构的翻转，即实现手性光学效应的电场操纵，具有电写光读的功能，为手性光显示、光信息存储与逻辑运算以及全息成像等技术提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN118271838A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211703934.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温高击穿的复合电介质薄膜及其制备方法。该薄膜制备方法包括两个步骤：1)ArPTU颗粒的合成；2)利用ArPTU颗粒合成复合薄膜材料；其中，ArPTU颗粒的合成采用微波合成法，包括下述步骤：将二氨基二苯甲烷、硫脲以及对甲苯磺酸溶于极性溶剂中，微波加热反应，反应结束后经沉淀、清洗、烘干，收集得到的ArPTU颗粒；复合薄膜材料的制备采用相分离法，包括下述步骤：将ArPTU颗粒溶解在极性溶剂中，再加入PEI粉体配置合适浓度的混合溶胶，然后利用溶液流延法制备复合薄膜，再依次经过真空热处理、高温热处理、快速冷却淬火处理，即得。该复合材料耐高温且耐高电压、储能能力、介电性能优异。
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公开(公告)号：CN116444987A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310118436.X
申请日：2023-02-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种熵调控复合介电薄膜，包括聚合物基体；填料，所述填料分散在所述聚合物基体中，所述填料包括Bi4‑aM1aTi(3‑3b)M2bO12，其中，M1包括镧、钕、钐和镨中的至少一种，所述M2包括锆、铪和锡中的至少一种，0≤a＜4，0＜b＜1，所述填料的熵值不小于1.5R。由此，该熵调控复合介电薄膜耐高温、击穿强度高、极化强度高、储能密度高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN113735577B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110902617.2
申请日：2021-08-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种钛氧化合物热电陶瓷材料及其制备方法，该方法包括：(1)将Ti3AlC2块体夹持在电极上，以含有铵盐的水溶液为电解液进行电解，以便得到悬浊液；(2)将所述悬浊液进行氧化处理，固液分离后获取沉淀，对沉淀进行洗涤和干燥，以便得到干燥材料；(3)将所述干燥材料研磨后进行放电等离子烧结，以便得到钛氧化合物热电陶瓷材料。该方法实现了对MAX刻蚀废料的有效利用，并且制备得到具有很低的热导和较好的热电性能的钛氧化合物热电陶瓷材料，在废热发电和电热制冷等领域具有潜在的应用价值。此外，该方法工艺简单，成本低，操作过程灵活，产率高，可适用于钛氧化合物热电陶瓷材料的批量化生产，进而实现工程化应用。
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