公开(公告)号：CN207818601U

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201820097245.4

申请日：2018-01-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孙一军 ,  程志渊 ,  周强 ,  孙颖 ,  孙家宝 ,  刘艳华 ,  王妹芳 ,  盛况

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开了一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构，所述外延结构为由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、低温GaN缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。本实用新型在蓝宝石衬底与低温GaN缓冲层之间具有Al2O3缓冲层，通过Al2O3缓冲层和低温GaN缓冲层的双层缓冲作用，提高GaN材料的晶体质量，从而提高LED的发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205789977U

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201620757020.8

申请日：2016-07-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  牟升宏

IPC: H01L27/15

Abstract: 本实用新型公开了一种基于干涉效应的非易失性像素单元，包括多个亚像素单元，所述亚像素单元包含反射层，相变层和透明层。传统LED,LCD等显示器工作需要持续施加电压，消耗能量。而e-ink技术的转换速率较慢，并且难以实现彩色。本实用新型的相变材料层可以在晶态和非晶态之间转换，起到转变薄膜颜色的作用，并且相变材料的晶态和非晶态在室温下都是稳定的，在不需要改变颜色的时候没有能量消耗，同时有着极快的转换速率。本实用新型通过阵列和电路控制可以实现一定色域的彩色。本实用新型是一种新型的显示技术，可以应用于彩色显示器、新型电子书、电子皮肤、智能广告牌等领域。