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公开(公告)号：CN102560685B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210031456.5
申请日：2012-02-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法，包括：(1)将所述的单晶硅片经清洗、晾干，于60-80℃条件下在由重量比为10-20∶0.8-12∶100-200的NaOH、异丙醇和去离子水组成的混合溶液中浸泡腐蚀20-400s，得预处理后的单晶硅片；(2)将预处理后的单晶硅片清洗后，用常规单晶硅制绒工艺进行制绒。本发明的方法成功的将金刚线切割的单晶硅片应用于现有的制绒工艺中进行制绒，绒面大小合适、分布更均匀，且不增加制绒时间和成本。
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公开(公告)号：CN103288087B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201310204226.9
申请日：2013-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/02
Abstract: 本发明公开了一种增强多孔硅发光和分散性的表面改性工艺，采用化学–电化学腐蚀相结合的方法，可以大面积制备具有整齐孔隙结构的多孔硅，然后将多孔硅经烯烃和烯酸进行表面改性，在硅颗粒表面引入了Si-C键。与未经表面改性处理的多孔硅相比，改性后多孔硅颗粒的光致发光强度有了明显增强；同时，硅颗粒在极性和非极性溶剂中的发光稳定性大大提高，发光强度随时间延长而衰减现象得到的有效改善；此外，包覆烯酸分子的硅颗粒在极性溶剂中的分散性能良好。本发明工艺简单，方便操作并且适合大规模生产，具有很强的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN103422058A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310275972.7
申请日：2013-07-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺硼富硅氧化硅薄膜及其制备方法和应用，采用共溅射制备掺硼富硅氧化硅薄膜，并通过之后的高温热处理在氧化硅薄膜内生成掺硼的硅纳米晶。由于掺硼硅纳米晶的形成，薄膜的导电性增强；由于硼还处于氧化硅基体中及硅纳米晶和氧化硅基体界面处，引入了发光中心，增强了薄膜的光致发光，并使其可以宽光谱白光发光。发明制备工艺简单，工业兼容性好，在硅基集成光源或半导体发光，太阳能电池，非线性光学等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103397387A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310280950.X
申请日：2013-07-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种铑钯合金纳米枝晶的制备方法，将油溶性的铑盐和钯盐溶于油胺中得第一溶液；将十六烷基三甲基溴化铵和三正辛基氧膦溶解于油胺中得第二溶液；将第二溶液搅拌的同时加热至160-200°C，用移液枪将第一溶液注入上述第二溶液中，140-200°C下反应1-24小时；将得到的产物离心分离，即得铑钯合金纳米枝晶。本发明以油溶性的钯盐和铑盐为金属源，以油胺为溶剂、还原剂、修饰剂以及稳定剂，一定温度下进行反应，制备方法简单、所用试剂无毒无害。本发明还公开了所述方法制备的铑钯合金纳米枝晶，为高指数晶面外露的海胆状，且纳米枝晶大小均一，分散性好，成分可调。
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公开(公告)号：CN101935869B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010284947.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构，内壁为若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102412394B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201110321222.X
申请日：2011-10-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了锂电池用层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒的制备方法，包括：将锡纳米棒加入到乙醇溶液中，超声分散；随后依次加入一定量的水、氨水和正硅酸乙酯溶液，反应30～720分钟，离心分离并干燥，得到锡/二氧化硅核壳纳米棒，再将其放置于管式炉中进行硫化反应，反应温度为400～600℃，反应时间为30～720分钟，得到层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒。本发明的方法可用于大批量生产，便于其在锂离子电池负极材料上的商业化应用，而且本发明方法合成的层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒应用在锂离子电池负极材料上时循环性能显著提高。
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公开(公告)号：CN102394256B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201110362766.0
申请日：2011-11-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于太阳电池吸收层的铜铟硫阵列化薄膜的制备方法，采用溶液法利用硼氢化钠还原铜盐和铟盐制备Cu-In合金纳米颗粒，进而将其溶解在有机溶剂中制备成Cu-In合金墨水，涂覆在Si片，Mo片或者玻璃等衬底上制备成前驱体薄膜；而后，在含有H2S/Ar混合气氛中烧结成为表面呈纳米棒阵列的CuInS2薄膜。本发明采用低成本的设备和简单的工艺，制备得到CuInS2阵列化薄膜，其表面纳米棒阵列能够很好的起到陷光作用，可减少反射，增强光的吸收，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103094316A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310032160.X
申请日：2013-01-25
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种具有高金属吸杂能力的n/n+硅外延片，包括：轻掺n型硅为外延层，外延层中层错、位错等缺陷密度≤0.05/cm2；氮掺杂的重掺n型直拉硅为衬底，衬底的电阻率≤0.005Ω•cm，并且衬底中包含稳定的氧沉淀形核中心，可生成氧沉淀密度≥1×109/cm3。本发明还提供上述n/n+硅外延片的制备方法，其步骤包括：将重掺n型直拉硅在N2气氛下进行高温快速热处理；在热处理后的重掺n型的直拉硅上生长轻掺n型硅外延层；经低温与高温两步热处理，得到本发明的n/n+硅外延片。本发明解决了长久以来难以在n/n+硅外延片重掺n型直拉硅衬底中生成高密度的氧沉淀的难题，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102142483B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110004974.3
申请日：2011-01-11
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法，采用将金属纳米颗粒分散在醇溶剂中形成金属纳米颗粒胶体溶液，在硅太阳电池片迎光面上，丝网印刷或喷淋或旋涂金属纳米颗粒胶体溶液，烘烤使醇溶剂从电池片表面挥发完全，在保护气体氛围下进行快速热处理退火温度，再进行二次常规热处理退火，实现硅太阳电池表面等离子体增益。本发明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特点，具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN102849752A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210311147.3
申请日：2012-08-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种硼纳米颗粒的制备方法，向等离子体腔中通入含有惰性气体及含硼气源的混合气体，使用射频源激发该混合气体，使所述的含硼气源发生分解反应，生成硼纳米颗粒，所述的硼纳米颗粒由气流携带出等离子体腔进行分离收集。本发明利用等离子体技术制备硼纳米颗粒的方法，具有以下有益效果：(1)尺寸在1到100纳米范围内可调，且尺寸分布的标准偏差小于其平均尺寸的30％；(2)颗粒表面为氢钝化，硼纳米颗粒的纯度≥99.99wt％；(3)生产工艺简单，便于实现规模化生产。
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