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公开(公告)号：CN101767816A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010039665.5
申请日：2010-01-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备单分散硫化镉纳米晶的方法，包括以下步骤：(1)利用醋酸镉、油酸和溶剂或氧化镉、油酸和溶剂配制油酸镉溶液；所述的溶剂为十八烯或液体石蜡；(2)将油酸镉溶液的温度降至室温，加入硫粉；(3)将步骤(2)的反应溶液的温度升至220℃～300℃进行反应，至反应结束；(4)停止加热，待反应溶液温度降至室温，加入乙醇离心提纯，除去上清液，将沉淀分散在非极性溶剂中，再加入乙醇离心，重复此过程若干次，得到最终产物。本发明方法所得到的硫化镉纳米晶具有良好的单分散性和均匀性，尺寸可调，具有优异的荧光性能，可用于光电探测，量子点发光二极管等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101404313A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810122222.5
申请日：2008-11-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件，在n型硅衬底的正面自下而上依次沉积SiO2薄膜、ZnO薄膜、MgxZn1－xO(0＜x≤0.3)薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。制备步骤依次为：用电子束蒸发或等离子体增强化学气相沉积法在清洗的n型硅片上生长SiO2薄膜；用直流反应磁控溅射或溶胶－凝胶法在SiO2薄膜上生长ZnO薄膜并在氧气氛下进行热处理；用直流反应磁控溅射或溶胶－凝胶法在ZnO薄膜上生长MgxZn1－xO薄膜；在MgxZn1－xO薄膜和硅衬底背面分别溅射半透明电极和欧姆接触电极。本发明的硅基氧化锌双向直流紫外电致发光器件结构简单，在直流正向和反向偏压下均可产生紫外电致发光。
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公开(公告)号：CN101299513A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810062424.5
申请日：2008-06-06
Applicant: 浙江大学
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明公开了电场诱导光抽运硅基氧化锌薄膜随机激光器及其制备方法。该器件在n型硅衬底的正面自下而上依次沉积ZnO薄膜、SiO2薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。制备步骤如下：利用直流反应磁控溅射或溶胶－凝胶法在清洗的n型硅片上生长ZnO薄膜；然后用化学气相沉积法或蒸发法或溶胶－凝胶法在硅片上沉积SiO2薄膜并在氧气氛下进行热处理；再在SiO2薄膜上溅射半透明电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明的电场诱导光抽运硅基ZnO薄膜随机激光器的结构和实现方式简单，可以在低功率连续波He－Cd激光的辐照下通过电场诱导获得来自于ZnO薄膜的随机激光，光抽运强度比常规光抽运随机激光的抽运强度低5－6个数量级。
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公开(公告)号：CN100416414C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610049580.9
申请日：2006-02-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的在氧化锌薄膜上绘制亚微米级紫外发光图案的方法，其步骤如下：将醋酸锌、柠檬酸钠和醇胺溶解于去离子水溶液中，调节pH值到10-11，然后将干净的衬底浸入到该溶液中去，于60℃～90℃温度下超声振荡，在衬底上沉积得到氧化锌薄膜；清洗氧化锌薄膜，去除表面反应残余物，在低于400℃的空气气氛中烘干；将氧化锌薄膜置于扫描电镜中，用聚焦电子束在氧化锌薄膜上根据所需图案进行照射。该方法简单廉价，操作方便，易于大规模制备。所得发光图案精度高，能在空气中长期保持不变。本发明可应用于高分辨率的场发射显示和高密度信息存储等领域。另外，由于发光图案不能直观地从形貌上识别，该方法可用来记录秘密文字信息。
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公开(公告)号：CN1226192C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200410016496.8
申请日：2004-02-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 本发明公开的制备单分散硫化镉空心球的方法，采用的是化学水浴沉积法，包括以下步骤：1)将粒径均匀的单分散二氧化硅球用超声振荡分散在去离子水溶液中，加入柠檬酸钠作络合剂，并用氨水调节pH值至8～13，在50℃～90℃恒温磁力搅拌，然后加入氯化镉和硫脲，反应1～2个小时，得到硫化镉包裹二氧化硅球的核壳结构；2)用稀释氢氟酸腐蚀二氧化硅核心，得到空心的硫化镉球；3)用去离子水和无水乙醇采用离心沉积加超声分散循环清洗，去除反应残余物，烘干，得到单分散硫化镉空心球。本发明方法简单易行，制得的单分散硫化镉空心球可以被用作结构基元，制备具有高折射率反差和占空比大的、完全光子带隙的三维光子晶体。
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公开(公告)号：CN1579994A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410018589.4
申请日：2004-05-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/628 , C04B35/14 , C04B35/547
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开的制备单分散硫化镉－二氧化硅核壳结构的方法，采用的是化学水浴沉积法，包括以下步骤：1)将粒径均匀的单分散二氧化硅球用超声振荡分散在去离子水溶液中，加入柠檬酸钠作络和剂，用醇胺作表面活性剂，并用氨水调节pH值至8～13，在50℃～90℃恒温磁力搅拌，然后加入氯化镉和硫尿，反应1～3个小时，得到硫化镉包裹二氧化硅球的核壳结构悬浮液；2)用去离子水和无水乙醇循环清洗，去除反应残余物，烘干，即可。本发明方法成本廉价，过程简单可控，制得的硫化镉－二氧化硅核壳结构粒径均一，无多余硫化镉颗粒和杂凝聚，可以被用作结构基元，制备具有独特光子带隙性能的三维光子晶体。
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