复合氧化物光催化剂Bi4V2-xAxO11-3x/2及其制备方法

    公开(公告)号:CN101632935A

    公开(公告)日:2010-01-27

    申请号:CN200910114239.0

    申请日:2009-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种复合氧化物光催化剂Bi 4 V 2-x A x O 11-3x/2 及其制备方法。复合氧化物光催化剂的化学组成通式为:Bi 4 V 2-x A x O 11-3x/2 ,A为Cu、Zn、Ni、Co和Fe中的一种,0<x≤0.3。步骤为:将99.9%分析纯的化学原料Bi 2 O 3 、V 2 O 5 和AO,按Bi 4 V 2-x A x O 11-3x/2 化学式称量配料,A为Cu、Zn、Ni、Co和Fe中的一种,0<x≤0.3;将配好的原料放入球磨罐中,加入氧化锆球和无水乙醇,球磨8-10h,混合磨细,取出烘干,过200目筛;上述混合均匀的粉料在800-1000℃预烧,并保温4-8h,自然冷却至室温,然后通过球磨粉碎使粒子直径变小,达到2μm左右,即可得到复合氧化物光催化剂Bi 4 V 2-x A x O 11-3x/2 粉末。本发明制备方法简单、成本低,制备的光催化剂具有优良的催化性能。

    一种硅基可低温烧结的低介高品质因数微波介质陶瓷的制备及应用

    公开(公告)号:CN113754419A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110920134.5

    申请日:2021-08-11

    Inventor: 李洁 唐莹 方亮

    Abstract: 本发明公开了一种硅基可低温烧结的低介高品质因数微波介质陶瓷的制备及应用。(1)将Li2CO3、SrCO3和SiO2按Li2SrSiO4的组成称量配料;(2)球磨混合6小时,球磨介质为酒精,烘干后预烧;(3)将预烧后粉末与SiTiO3粉末按(1‑x)Li2SrSiO4‑xSrTiO3进行称量,其中x为体积百分比(0≤x≤0.06),再次球磨后添加聚乙烯醇溶液并造粒,再压制成型,最后在大气气氛中烧结。本发明制备的硅基低介高品质因数微波介质陶瓷,介电常数为7.4~8.2,品质因数高达63,200~100,700GHz,谐振频率温度系数近零,能应用于各种陶瓷基板、介质谐振器与滤波器等微波元器件的制造。

    一种含钼的硼酸盐超低介电常数微波介电陶瓷

    公开(公告)号:CN107056296A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710268609.0

    申请日:2017-04-23

    Inventor: 唐莹 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种含钼的硼酸盐温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BiMo2B3O12及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Bi2O3、MoO3和B2O3的原始粉末按BiMo2B3O12的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在750℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在800~850℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在850℃以下烧结良好,介电常数达到8.3~9.1,其品质因数Qf值高达76000‑98000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    一种含铟的钼酸盐超低介电常数微波介电陶瓷

    公开(公告)号:CN106966725A

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201710268651.2

    申请日:2017-04-23

    Inventor: 唐莹 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种含铟的钼酸盐温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3In3Mo2O12及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、In2O3和MoO3的原始粉末按Li3In3Mo2O12的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1050℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1100~1150℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1150℃以下烧结良好,介电常数达到10.6~11.3,其品质因数Qf值高达85000‑108000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiFeSi3O8

    公开(公告)号:CN106278214A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610570779.X

    申请日:2016-07-19

    Inventor: 苏和平 唐莹 段炼

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiFeSi3O8及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Fe2O3和SiO2的原始粉末按LiFeSi3O8的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到6.9~7.4,其品质因数Qf值高达78000-102000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Li2Bi4Si3O13

    公开(公告)号:CN106242554A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610569547.2

    申请日:2016-07-19

    Inventor: 唐莹 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2Bi4Si3O13及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Bi2O3和SiO2的原始粉末按Li2Bi4Si3O13的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900℃以下烧结良好,介电常数达到7.0~7.6,其品质因数Qf值高达78000-102000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2CuSnO4

    公开(公告)号:CN106187157A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610569550.4

    申请日:2016-07-19

    Inventor: 校凯 唐莹 段炼

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2CuSnO4及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、CuO和SnO2的原始粉末按Li2CuSnO4的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到16.2~16.9,其品质因数Qf值高达62000-89000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3BiSnO5

    公开(公告)号:CN106187150A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610567550.0

    申请日:2016-07-19

    Inventor: 陈军奇 唐莹 段炼

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3BiSnO5及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、Bi2O3和SnO2的原始粉末按Li3BiSnO5的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在900℃以下烧结良好,介电常数达到13.2~13.9,其品质因数Qf值高达68000-93000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

    低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiBSi3O8

    公开(公告)号:CN106187129A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610493260.6

    申请日:2016-06-27

    Inventor: 唐莹 段炼 苏和平

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBSi3O8及其制备方法。Li2CO3、B2O3和SiO2的原始粉末按LiBSi3O8的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到6.1~6.6,其品质因数Qf值高达74000-107000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的

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