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公开(公告)号：CN103412175B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310342658.6
申请日：2013-08-07
Applicant: 南京大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体光纤电流磁场传感器及其制备和测量方法。制备时先将两段单模光纤中间熔接一小段光子晶体光纤，由于熔接时光子晶体光纤部分空气孔洞塌缩，因而当光传到光子晶体光纤时会激发出芯模和包层模传输形成模式干涉；然后将光子晶体光纤、单模光纤和电线伸直，将两段单模光纤粘在电线上，电线固定在夹具上制成一个电流磁场传感器。测量时将电线上通入直流电，与电线垂直方向加上磁场，因此由于安培力的作用电线会带动光子晶体光纤发生弯曲。由于光子晶体光纤包层模对弯曲十分敏感，因而光谱仪上检测的干涉条纹会随外加电流磁场的变化发生明显的改变，从而实现对电流磁场的传感检测。
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公开(公告)号：CN104635019A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510100262.X
申请日：2015-03-06
Applicant: 南京大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种基于悬空石墨烯的高灵敏度超快光纤电流传感器及其制法。光纤电流传感器包括光纤、两个金属电极和石墨烯薄膜，光纤的一端面设有微孔，金属电极设置在光纤的侧面及端面上，金属电极在端面上位于微孔的两侧，石墨烯薄膜覆盖在微孔和金属电极的上方，在微孔区域形成悬空结构。先将光纤一端切平、腐蚀后产生一个微米量级的微孔，再借助石蜡融化之后产生的掩膜在光纤的侧面及端面上制备两个电极，随后将利用化学气相沉积方法制备的石墨烯薄膜转移到光纤端面上，同时覆盖住两个电极和端面上的微孔。本发明的光纤电流传感器的灵敏度为2.2×105nm/A2，响应时间约为0.3秒，其性能远优于其他基于热效应的光纤电流传感器。
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公开(公告)号：CN104090400A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410266788.0
申请日：2014-06-16
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1333
Abstract: 本发明提供一种可调马赫-曾德尔干涉仪阵列的制备方法，所述制备方法利用塔尔博特效应对光强的重新分布在空间中的特殊构型—塔尔博特地毯，结合光取向技术，对液晶进行塔尔博特地毯型图案取向，基于该液晶塔尔博特地毯，可实现由液晶波导构成的马赫增德尔干涉仪阵列，对液晶波导马赫-曾德尔干涉仪单臂进行定域加场，即可调节干涉仪阵列的输出光谱。本发明具有易于加工，无需复杂的模板设计和光路系统简单等特性。
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公开(公告)号：CN102798613B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201210325147.9
申请日：2012-09-05
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于环路镜的槽型波导折射率传感器。具体为将一个具有高双折射率的槽型波导加入到一个环路镜中，通过输入端的光经过定向耦合器分成两路光进入波导环，两路光经过波导环的槽型波导后偏振发生旋转，并再次通过定向耦合器后，一部分光被输出端接收。本发明的传感器可以利用不同偏振光对外界折射率的不同响应来测量物体的折射率，具有非常高的灵敏度（103nm/RIU），并且结构简单、紧凑，可以使用传统的光刻手段制作。
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公开(公告)号：CN103617276A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310658588.5
申请日：2013-12-09
Applicant: 南京大学
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G06F17/30321 , G06F17/30306
Abstract: 本发明公开了一种分布式层次化的RDF数据的存储方法，包括以下步骤：对所有RDF数据进行索引；采用两个存储层以存储索引后的RDF数据，从底层到上层依次为：持久化存储层和分布式内存存储层；所有RDF数据首先存储到持久化存储层，然后，将常用的RDF数据存储到分布式内存存储层；将所有存储在持久化存储层的RDF数据自动保持多个备份；当检测到分布式内存存储层的节点发生数据失效时，在下次查询到该节点中的RDF数据时，从持久化存储层去获取相应的数据。本发明解决了现有的分布式存储方法计算延时大、性能低、应对动态变化的能力不足的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103412175A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310342658.6
申请日：2013-08-07
Applicant: 南京大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体光纤电流磁场传感器及其制备和测量方法。制备时先将两段单模光纤中间熔接一小段光子晶体光纤，由于熔接时光子晶体光纤部分空气孔洞塌缩，因而当光传到光子晶体光纤时会激发出芯模和包层模传输形成模式干涉；然后将光子晶体光纤、单模光纤和电线伸直，将两段单模光纤粘在电线上，电线固定在夹具上制成一个电流磁场传感器。测量时将电线上通入直流电，与电线垂直方向加上磁场，因此由于安培力的作用电线会带动光子晶体光纤发生弯曲。由于光子晶体光纤包层模对弯曲十分敏感，因而光谱仪上检测的干涉条纹会随外加电流磁场的变化发生明显的改变，从而实现对电流磁场的传感检测。
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公开(公告)号：CN102830462A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210339534.8
申请日：2012-09-13
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/06
Abstract: 本发明提供一种高双折射器件及其制作方法，所述高双折射器件包括涂覆有低折射率聚合物的介质棒和绕到所述介质棒上的微光纤，微光纤的一端为光信号输入，另一端为输出，其中，通过选择不同直径的微光纤和不同折射率的聚合物来调节双折射的大小，通过绕在所述介质棒上的微光纤的长度来控制双折射区域的长度。所述的高双折射器件具有比普通保偏光纤高一个数量级的双折射，且结构紧凑。相比于用普通保偏光纤拉直的高双折射微光纤，该方法制作成本低廉，该器件可望在光通信、光纤传感、集成光学等领域得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN102768440A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210227465.1
申请日：2012-06-30
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1333
Abstract: 平行取向电控光开关，采用两基板同为周期交替且相邻区域取向方向相互垂直的水平取向液晶盒；液晶盒盒厚为5±2μm，两个相邻取向的宽度之比为1∶1；包括上下二片ITO玻璃基片及涂覆的光敏取向剂，并经过线偏振紫外或蓝光片对ITO玻璃基片上光敏取向剂进行曝光，赋予两基片预设的取向方向；灌入双频液晶，制成一个可调节的液晶光栅，实现光开关功能。本发明具有低电压、低能耗、高开关比、快速开关响应、偏振无依赖等特性。制备成本低、效率高、适于批量生产，器件的稳定性和重复性都满足实用要求，在光通信、光纤传感、集成光学等领域都能发挥广泛应用。
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公开(公告)号：CN102141413B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110002022.8
申请日：2011-01-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种全光纤条件下实现外差测量的方法，包括一个光纤环形器、一个光纤耦光V形槽、一段端面有亚波长金属光栅的光纤和第一、第二两个光功率计，端面有亚波长金属光栅的光纤是实现对该光纤端面不同偏振态入射光的透射率和偏振率的控制的第一全光纤光偏振控制器；入射光到光纤环形器的第一端口，环形器第三端口通过光纤直接连接第二光功率计，入射光通过环形器第一端口至光纤环形器的第二端口和全光纤光偏振控制器的透射光通过一个光纤耦光V形槽耦合入一段光纤到第一光功率计测量光强。本发明公开了一种全光纤条件下实现外差测量的方法，设置光路包括一个光纤环形器、一个光纤耦光V形槽、一段端面有亚波长金属光栅的光纤和两个光功率计。
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