混合存储设备、计算机、控制设备、及降低功耗的方法

    公开(公告)号:CN106406492B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201510460606.8

    申请日:2015-07-30

    Abstract: 本发明实施例提供一种混合存储设备混合存储设备、计算机、控制设备、及降低功耗的方法。所述混合存储设备包括控制器、易失性存储单元及非易失性存储单元。所述混合存储设备在第一工作模式下时,所述易失性存储单元为开启态,所述非易失性存储单元为关闭态,在第二工作模式下,所述非易失性存储单元为开启态,所述易失性存储单元为关闭态;在所述混合存储设备运行在所述第一工作模式时,当所述控制器侦测到所述计算机的运行指标满足第一切换条件时,开启所述非易失性存储单元,拷贝所述易失性存储单元中的数据至所述非易失性存储单元中,并将所述混合存储设备切换到第二工作模式。使用本发明可以有效减少所述易失性存储单元产生的背景功耗。

    一种存储控制方法、装置和系统

    公开(公告)号:CN109992535A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201711483173.3

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 本申请提供了一种存储控制方法,装置和系统。该方法包括:存储控制器接收第一写指令,该第一写指令中包含第一写数据和第一写地址。存储控制器根据第一写地址的第一子集在第一索引表中查找到与第一写地址对应的第一表项,将第一写数据写入写缓冲器的第一存储行的数据域,将第一写地址写入第一存储行的地址域,并将第一地址标识写入第一表项的第一指针域,第一地址标识用于指示第一存储行。表项的第一指针域用于记录与该表项对应的最新的数据在写缓存器中存储的位置,用于确定与该表项对应的数据在写缓冲器中的存储位置。在后续进行数据查找时,可以快速定位查找范围,缩小了数据查找的范围,减少了查找时间。

    一种计算机内存数据加/解密的方法及装置

    公开(公告)号:CN109791589A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201780059409.2

    申请日:2017-08-31

    CPC classification number: G06F21/60

    Abstract: 一种计算机内存数据加/解密的方法及装置,用以解决现有技术中存在的对NVDIMM中存储的所有数据进行加解密的方式会导致计算机的处理效率降低,导致读写数据的延时增大的问题,本发明实施例中,NVDIMM通过确定接收到的数据写入/读出指令中的指示位确定是否需要加解密,NVDIMM在接收到的数据加/解出指令后,执行对应的加解密操作,使得处理器无需进行加解密的操作,而由NVDIMM自行进行加解密操作,减少了占用的处理器带宽,进而减少读写数据时处理器的时延,同时不需要对所有的写入或读出的数据进行加解密,不需进行额外的加解密操作,可以提供加解密操作的灵活性。

    计算机系统
    84.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105393504B

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201480038267.8

    申请日:2014-07-02

    Abstract: 提供一种计算机系统,包括:物理资源、多个片上网络、可配置互联模块;所述可配置互联模块,用于连接所述物理资源和所述多个片上网络,以及配置所述物理资源与所述多个片上网络的连接关系,所述每个片上网络与所述片上网络连接的物理资源组成一个物理分区。通过在物理资源和片上网络之间增加可配置互联模块,通过可配置互联模块灵活的配置所述物理资源与所述多个片上网络的连接关系,使计算机系统的资源得到合理的利用,提高整个计算机系统的资源利用率。

    一种内存访问方法、装置及系统架构

    公开(公告)号:CN108475231A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201680070340.9

    申请日:2016-01-27

    Abstract: 一种内存访问方法、装置及系统架构,该内存访问方法包括:接收目标处理单元的访问请求,所述访问请求携带所述目标处理单元待访问的目标内存单元的目标标识;建立所述目标处理单元的第一无线收发天线与所述目标标识所标识的目标内存单元的第二无线收发天线之间的第一无线链路;控制所述目标处理单元利用所述第一无线链路与所述目标内存单元之间进行访存请求数据的收发。本发明实施例可以实现处理单元与内存单元之间可重构的无线链路,降低路由复杂度。

    一种3D堆叠器件、芯片及通信方法

    公开(公告)号:CN105393353B

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201480038640.X

    申请日:2014-06-30

    CPC classification number: H01L25/00 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明实施例提供了一种3D堆叠器件,包括:第一基板,用于承载计算单元;第二基板,用于承载存储单元;第一天线阵列,位于第一基板上,与计算单元电连接,且指向第二基板,用于发射计算单元输出的数据和/或接收第二天线阵列发射的数据;第二天线阵列,位于第二基板上,与存储单元电连接,且指向第一基板,用于接收第一天线阵列发射的数据和/或接收存储单元输出的数据;调节单元,用于调节第一天线阵列和/或第二天线阵列中的天线的传输参数,以确保计算单元中的内核与存储单元中的存储子单元之间完成数据传输,本发明实施例还提供了一种芯片及通信方法,采用本发明,可提升芯片内部的传输带宽,且传输通路可根据应用需求进行动态分配。

    均衡器
    87.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107872409A

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201610849008.4

    申请日:2016-09-23

    CPC classification number: H04L25/03 H04L25/03006

    Abstract: 本发明提供一种均衡器,包括奇路处理电路和偶路处理电路,其中,奇路处理电路包括N个处理电路以及第一加法器,偶路处理电路包括N个处理电路以及第二加法器,并且,这N个处理电路中的每一个处理电路均包括一个D触发器和一个转换电路。在N个处理电路中的第i个处理电路中,转换电路的第一输入端连接D触发器的输入端,转换电路的第二输入端连接D触发器的输出端;第i个处理电路中的D触发器的输出端连接第i+1个处理电路中的D触发器的输入端。本发明所提供的均衡器,通过在均衡器的奇路处理电路以及偶路处理电路中分别设置转换电路来对多电平信号进行边沿转换处理,从而降低均衡器的误码率。

    一种驱动脉冲的确定方法、控制器及磁性存储设备

    公开(公告)号:CN105097008B

    公开(公告)日:2018-03-09

    申请号:CN201410175612.4

    申请日:2014-04-28

    CPC classification number: G11C19/08

    Abstract: 本发明实施例提供了一种驱动脉冲的确定方法,包括向磁性存储轨道和读取装置发送第i个驱动脉冲,其中,i是不为0的自然数;确定读取装置在第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到一个磁畴的数据;在确定未读取到一个磁畴的数据时,向磁性存储轨道和读取装置发送第i+1个驱动脉冲,第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值;确定在第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到一个磁畴的数据;确定第i+1个驱动脉冲的驱动强度为磁畴的最小驱动强度。本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度。本发明实施例还提供了一种控制器及磁性存储设备。

    一种刷新动态随机存取存储器的方法和装置

    公开(公告)号:CN104143355B

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201310169071.X

    申请日:2013-05-09

    Inventor: 肖世海 杨伟 廖奇

    Abstract: 本发明实施例提供一种刷新动态随机存取存储器的方法和装置,以减小DRAM的刷新开销和减小芯片功耗。所述方法包括:内存控制器以第一刷新周期为周期向第一刷新地址计数器发送第一刷新命令,以第二刷新周期为周期向第二刷新地址计数器发送第二刷新命令;第一刷新地址计数器接收第一刷新命令后输出第一行地址,以使行地址多路选择器按照第一刷新周期对DRAM对应于第一行地址的存储单元进行刷新,第二刷新地址计数器接收第二刷新命令后输出中间地址,以使行地址多路选择器按照第二刷新周期对DRAM对应于第二行地址的存储单元进行刷新。本发明可以根据存储单元行的数据保持时间不同而采用不同的刷新周期,减小DRAM的刷新开销和芯片功耗。

    一种磁性存储轨道的制备方法、设备和磁性存储轨道

    公开(公告)号:CN104425707B

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201310382143.9

    申请日:2013-08-28

    CPC classification number: H01L43/12 H01L43/02

    Abstract: 本发明实施例公开了一种磁性存储轨道的制备方法,包括:通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间,所述H为大于1的整数;在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料,并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料,以构造硅与磁性材料的组合体;将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体,以得H个U形磁性存储轨道,其中,所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。相应地,本发明实施例还提供磁性存储轨道的制备设备和磁性存储轨道。本发明实施例可以提高制造磁性存储轨道的效率。

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