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公开(公告)号:CN102829879B
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201210315213.4
申请日:2012-08-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成液晶光控阵与面阵光敏结构的红外成像探测芯片,包括陶瓷外壳、液晶基红外成像探测架构以及金属散热板,金属散热板设置在陶瓷外壳后部并与其固联,用于对芯片散热,液晶基红外成像探测架构设置在陶瓷外壳内,并包括驱控与图像预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及面阵电控液晶微透镜,三者同轴顺序设置,每单元电控液晶微透镜与多个顺序排列的非制冷红外探测器构成的子红外探测器阵列对应,各子红外探测器阵列具有相同的探测器数量和排布方式。本发明具有结构紧凑,覆盖多个红外谱段,红外成像探测效能高,基于液晶光控阵快速控光的成像干扰抑制与纠错,易与其它光学/光电/机械结构耦合,环境适应性好的特点。
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公开(公告)号:CN102799057A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201210278620.2
申请日:2012-08-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G03B21/20 , F21V13/00 , F21V23/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种采用固体绿激光和红、蓝光LED的高亮度混合白光源,包括金属外壳、光路部分、耦合发光组件部分、混合白光源出光透镜、以及嵌入式电源箱,光路部分设置于外壳内、并包括第一汇聚透镜、第二汇聚透镜、扩束整形透镜、红蓝光反射镜、绿光反射镜、激光退偏镜、红蓝光整形镜、绿光反射镜、红蓝光反射与绿光透射镜、第一扩束透镜、第二扩束透镜、混合白光源出光透镜,耦合发光组件部分包括红光LED、蓝光LED、固体绿光激光器,混合白光源出光透镜设置在外壳侧部,嵌入式电源箱平行设置于红光LED、第一汇聚透镜和第一扩束透镜、第二扩束透镜、混合白光源出光透镜之间。本发明具有长寿命、广色域、高亮度、无汞、能耗相对较低的特点。
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公开(公告)号:CN204188925U
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201420621472.4
申请日:2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/1335 , G02F1/133
Abstract: 本实用新型公开了一种石墨烯基电控液晶光汇聚微透镜阵列芯片,包括:石墨烯液晶聚光微透镜阵列、以及驱控信号输入端口,石墨烯液晶聚光微透镜阵列为m×n元,石墨烯液晶聚光微透镜阵列采用夹层结构,且下中上层之间顺次设置有第一基片、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、图案化石墨烯电极层、石墨烯电极层、第二基片,图案化石墨烯电极层由m×n个均匀排布的石墨烯圆孔构成,从图案化石墨烯电极层延伸出一根图案化电极引线并接入驱控信号输入端口的一端,从石墨烯电极层延伸出另一根电极引线并接入驱控信号输入端口的另一端。本实用新型结构紧凑牢固,电驱控能力强,控制精度高,易与常规红外光学光电机械结构耦合,环境适应性好。
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公开(公告)号:CN204129398U
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201420657570.3
申请日:2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
Abstract: 本实用新型公开了一种红外聚光芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构,其包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜,以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜;图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成,圆形导电膜的直径大于与其相邻的圆环形导电膜的径向宽度;在圆环形导电膜为多个时,多个圆环形导电膜依次设置在圆形导电膜的外围,且其径向宽度递减。该芯片对红外波束的聚焦效能高,光场适应性好,体积和质量小,易与其它光学光电机械结构耦合。
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公开(公告)号:CN203465008U
公开(公告)日:2014-03-05
申请号:CN201320558991.6
申请日:2013-09-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种红外立体成像探测芯片,包括陶瓷外壳、金属支撑与散热板、驱控和红外图像预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及面阵红外折射微透镜,驱控和红外图像预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及面阵红外折射微透镜同轴顺序设置于陶瓷外壳内,陶瓷外壳后部设置于金属支撑与散热板顶部,驱控和红外图像预处理模块设置于陶瓷外壳后部与金属支撑与散热板连接处,面阵非制冷红外探测器设置于驱控和红外图像预处理模块顶部,面阵红外折射微透镜设置于面阵非制冷红外探测器顶部,并通过陶瓷外壳面部开孔将其光入射面裸露出来。本实用新型具有通过单光敏芯片并行探测目标的立体图像信息、易与常规红外光学系统兼容的特点。
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公开(公告)号:CN202947797U
公开(公告)日:2013-05-22
申请号:CN201220434080.8
申请日:2012-08-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种混合集成面阵液晶微透镜与红外探测器的波前测量芯片,包括陶瓷外壳和金属散热板,陶瓷外壳后部设置于金属散热板顶部,还包括驱控与波前预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及面阵电控液晶微透镜,驱控与波前预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及面阵电控液晶微透镜同轴顺序设置于陶瓷外壳内,驱控与波前预处理模块设置于陶瓷外壳后部与金属散热板连接处,面阵非制冷红外探测器设置于驱控与波前预处理模块顶部,每单元电控液晶微透镜与多个顺序排列的非制冷红外探测器构成的子红外探测器阵列对应。本实用新型结构紧凑,使用方便,覆盖多个红外谱段,具有红外波前的测量范围大、精度高、目标与环境适应性好等特点。
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公开(公告)号:CN202815385U
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201220422383.8
申请日:2012-08-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/31 , H03K3/02 , G05B19/042
Abstract: 本实用新型公开了一种用于面阵液晶波谱及光束变换的数字控制组件;该数字控制组件包括用于根据外部的控制信号输出波形频率选择信号和幅值选择信号的控制模块;用于根据所述波形频率选择信号输出波形信号的信号发生模块;以及用于根据所述幅值选择信号将所述波形信号进行放大并输出控制外部液晶面板的信号放大模块。本实用新型提供的数字控制组件通过信号放大模块根据控制模块输出的幅值选择信号将信号发生模块输出的波形信号进行放大后输出并控制液晶面板;电压调节范围宽、操作方便、输出精度高。
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公开(公告)号:CN204188926U
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201420654544.5
申请日:2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/133
Abstract: 本实用新型公开了一种基于波前调节的电控液晶激光整形芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构;其包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜,以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜;公共电极层由一层匀质导电膜构成;图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成,圆形导电膜的圆心与液晶调相架构的轴心重合;在圆环形导电膜为多个时,所有圆环形导电膜的径向宽度相等,相邻导电膜的径向间距相等。该芯片激光波束整形变动范围大,适应性好,体积和质量小,易与其它光学光电机械结构耦合。
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公开(公告)号:CN204167322U
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201420621425.X
申请日:2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146 , G01J5/10
Abstract: 本实用新型公开了一种液晶基多眼套叠仿生成像探测芯片,包括多眼套叠成像探测架构,其包括同轴顺序设置的驱控与图像预处理模块、面阵可见光探测器以及面阵电控液晶聚光微透镜,面阵电控液晶聚光微透镜包括m×m个单元微透镜,其中m均为正整数,面阵可见光探测器被划分为m×m个子面阵可见光探测器,每个子面阵可见光探测器包括m×m个光敏元,面阵电控液晶聚光微透镜用于接收目标光波,并将该目标光波离散分割到面阵可见光探测器中不同子面阵可见光探测器的对应光敏元上。本实用新型的液晶基多眼套叠仿生成像探测芯片具有结构紧凑,使用方便,易与常规成像光学系统耦合,目标和环境适应性好等特点。
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公开(公告)号:CN204130568U
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201420516379.7
申请日:2014-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开了一种基于超材料的太赫兹单谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极;其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列,金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数,该图形对于太赫兹电磁波具有完全吸收特性,通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段,通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本实用新型超材料层中金属开环共振单元的波长选择性和完美吸收特性,具有高灵敏度和高速特性,通过选择特定金属开环共振单元结构可以将探测器工作于太赫兹的一个特定波段。
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