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公开(公告)号：CN109901708A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811623470.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明涉及一种柔性智能手套，具体包括：手套本体以及固定在手套本体上的柔性应变传感器、柔性电路板及中央区块；其中，柔性应变传感器以弹性纤维、弹性纱线和弹性绳中的一种作为基底，并引入固态导电材料制得，实时监测手部关节的弯曲程度；柔性应变传感器与中央区块之间通过柔性电路板连接；中央区块由运动感应模块、数据处理模块和电源模块组成，实时生成手掌的空间运动状态信息并与柔性应变传感器传来的手部关节的弯曲程度信息汇总，协同处理后识别出手势动作。本发明公开的柔性智能手套，通过在手部关节处设置柔性应变传感器，提升了智能手套的舒坦度和轻便性，让穿戴者能灵活地做出各种手势动作，还降低了制作智能手套的工艺难度和成本。
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公开(公告)号：CN109867959A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811623376.2
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种在弹性体薄膜表面形成褶皱的方法。该方法包括如下步骤：(1)在硬质基底表面形成纳米线网络，并以此作为模板；(2)在所述模板的含有纳米线网络的表面覆盖流动的弹性体材料，使所述弹性体材料填充至所述纳米线网络的全部空隙中并附着于所述硬质基底上；(3)使所述弹性体材料固化；(4)除去所述硬质基底，得到表面含有纳米褶皱的弹性体薄膜。本发明通过将由纳米线或纳米纤维构筑的纳米线网络转移至弹性体薄膜中，在弹性体薄膜表面大面积制备出纳米尺度的褶皱结构，纳米褶皱的形貌调控非常简便。利用本发明制备褶皱结构，无需光刻、纳米压印、电子束刻蚀等微纳加工技术，制备工艺简单、快速、成本低、重复性好。
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公开(公告)号：CN109489539A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201810996027.9
申请日：2018-08-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明实施例提供一种柔性应变传感器的制备方法及柔性应变传感器。该方法包括：在弹性织物内浸入液态导电材料；在弹性织物的两端各设置一个电极，并在电极上连接电极引线；在弹性织物的外表面包覆弹性体材料，并使电极引线从弹性体材料中露出；弹性体材料固化后，获得柔性应变传感器。本发明实施例，选择弹性织物作为液态导电材料存储通道，传感器在被施加拉力或压力时，液态导电材料都能够从弹性织物中流出，致使弹性织物的导电性能下降；当撤除施加的外力后，流出的液态导电材料重新流回到弹性织物中，致使弹性织物的导电性能恢复，从而使得传感器同时具备拉力传感和压力传感的功能，不仅扩大柔性传感器的应变感知范围，还简化了其制备工艺。
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公开(公告)号：CN104576326B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201310492218.9
申请日：2013-10-18
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族砷化镓半导体材料制备方法和系统，包括：在清洁的单晶硅衬底表面制备二氧化硅膜；在所述二氧化硅膜上，采用纳米压印技术得到二氧化硅纳米图形层，所述二氧化硅纳米图形层包括裸露单晶硅衬底表面的生长窗口区，以及二氧化硅图形区，生长窗口区和二氧化硅图形区交错分布；在所述生长窗口区上，沉积接近或等于所述二氧化硅图形区的台面高度的砷化镓缓冲层；在所述砷化镓缓冲层和所述二氧化硅图形区上外延生长III‑V族半导体材料。本发明采用纳米压印的技术制作二氧化硅纳米图形层，作为半导体材料生长的图形衬底，打破了之前的材料尺寸限制问题，更加有利于工业化的材料生长制备，有效地降低了材料制作成本，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107167180A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710359385.4
申请日：2017-05-19
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明提供一种弹性纤维传感器及其制备方法，制备方法包括：将弹性纤维在氧化石墨烯分散液中浸渍提拉，干燥后获得表面包覆氧化石墨烯的弹性纤维；将氯化锡溶液或氯化亚锡溶液与氧化石墨烯分散液混合均匀，获得混合溶液；将所述表面包覆氧化石墨烯的弹性纤维浸入所述混合溶液中进行水热反应，得到表面包覆有二氧化锡/还原氧化石墨烯复合材料的弹性纤维；在制得的表面包覆有复合材料的弹性纤维两端分别固定电极，获得成品。本发明制得的传感器兼具应变传感、气敏传感和光敏传感功能，不仅具有穿戴舒适度高、与被测试身体部位贴合度好等优势，同时应变传感的检测范围广、灵敏度高，对于多种气体和光波信号响应灵敏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105807378B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610346546.1
申请日：2016-05-24
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种收发一体的光电集成芯片，属于光通信技术领域。所述光电集成芯片包括芯片的衬底，衬底上依次为第一反射镜R2、第一层光学腔C1、第二反射镜R2、第二层光学腔C2、第三反射镜R3、第三层光学腔C3和第四反射镜R4，其中，R2、C2、R3、C3、R4形成等效顶面反射镜，与C1、R1构成谐振腔增强光探测器；R3、C2、R2、C1和R1形成的等效底面反射镜，与R4、C3构成垂直腔面发射激光器。本发明创造性地提出了自解耦垂直多腔集成器件结构，将垂直腔面发射激光器和谐振腔增强型光探测器集成在一个芯片当中，在一个集成芯片上同时实现了光通信信号的收发功能，并且可以进一步提高光通信收发模组的集成度和可靠性，并同时降低其功耗。
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公开(公告)号：CN105140330B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510613957.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN104008960B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201310057279.2
申请日：2013-02-22
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；将纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；以纳米小球为掩膜，在纳米小球间隙内沉积外延层材料，并与衬底或虚拟衬底紧密结合，增大外延层材料的沉积厚度，使外延层材料高出纳米小球，外延层材料横向生长并合并，完全覆盖住纳米小球，降低外延层材料的表面粗糙度。本发明纳米小球间隙的生长窗口具有宽度窄、深宽比高的特征，纳米小球可以有效阻挡衬底与外延层之间由于晶格失配产生的穿透位错在外延层中继续向上穿通，大幅度提高异变外延材料质量，解决晶格失配材料间异变外延生长问题。
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公开(公告)号：CN105807378A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610346546.1
申请日：2016-05-24
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: G02B6/4296 , G02B6/4286 , G02B6/4287 , H01S5/183 , H01S5/18361
Abstract: 本发明公开了一种收发一体的光电集成芯片，属于光通信技术领域。所述光电集成芯片包括芯片的衬底，衬底上依次为第一反射镜R2、第一层光学腔C1、第二反射镜R2、第二层光学腔C2、第三反射镜R3、第三层光学腔C3和第四反射镜R4，其中，R2、C2、R3、C3、R4形成等效顶面反射镜，与C1、R1构成谐振腔增强光探测器；R3、C2、R2、C1和R1形成的等效底面反射镜，与R4、C3构成垂直腔面发射激光器。本发明创造性地提出了自解耦垂直多腔集成器件结构，将垂直腔面发射激光器和谐振腔增强型光探测器集成在一个芯片当中，在一个集成芯片上同时实现了光通信信号的收发功能，并且可以进一步提高光通信收发模组的集成度和可靠性，并同时降低其功耗。
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公开(公告)号：CN105448675A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410514645.7
申请日：2014-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层；在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层；在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层；在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层；在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层；在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层；在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备，降低所生长材料的位错密度，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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