公开(公告)号：CN117647564A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311409128.9

申请日：2023-10-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 华璇卿 ,  张大成 ,  杨芳 ,  李凤阳 ,  王旭峰 ,  陈艺 ,  于志恒

IPC: G01N27/12 ,  C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射气敏薄膜的单悬梁式气体传感器及其制造方法，属于微电子机械系统和气体检测技术领域。本发明提出将磁控溅射工艺制备的气敏薄膜与单悬梁式微热板集成，在实现小尺寸、低功耗的同时，与磁控溅射、图形化制备气敏薄膜的兼容性较好，具有可批量、可重复性好、气敏薄膜结构和成分均匀可控的优势；采用加热电极和测量电极共面设计，提高了生产效率，降低制造成本。

公开(公告)号：CN106365107B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201510427299.3

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  杨芳 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种提取梁刻蚀垂直度的方法及系统，基于静电驱动梁扭转的原理，利用新设计的片上检测结构、电学信号施加装置和垂直位移检测装置组成的系统，提取梁的刻蚀垂直度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测，也可用来预测器件的机械可靠性。方法简单，易于通用。

公开(公告)号：CN113218755A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110441939.1

申请日：2021-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 李凤阳 ,  张大成 ,  杨芳 ,  程垒健 ,  余润泽 ,  高程武 ,  王旭峰

IPC: G01N3/08 ,  G01B21/32

Abstract: 本发明提出一种用于纳尺度薄膜双轴拉伸测试的系统及其制造方法，属于微电子机械系统加工技术领域，该系统利用独特设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合，提取纳尺度薄膜断裂时的双轴应力，其中片上试验机包括两个相互垂直布置的拉伸结构；每个拉伸结构包括一探针加载结构、两轮形加载换向结构、一可动框架、一弹性梁、一拉伸梁、两形变量标尺、两指针和两悬挂折叠梁。该系统可用来探究纳尺度下薄膜材料的破坏规律，也可用来进行薄膜制备工艺质量监控。

公开(公告)号：CN110386587A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201810350030.3

申请日：2018-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨芳 ,  张大成 ,  郭俊敏 ,  姜博岩 ,  李婷 ,  罗葵 ,  王玮 ,  范泽新

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法，其步骤包括：准备待腐蚀的硅片；采用ALD技术在所述硅片表面上淀积一层硅湿法腐蚀掩膜；对所述掩膜进行减薄，直至露出下方的硅片表面；利用湿法腐蚀溶液对所述硅片进行腐蚀，获得微结构。本发明利用ALD技术制备硅湿法腐蚀掩膜，淀积温度低，残余应力小，制备的掩膜材质致密，保形覆盖性好，抗腐蚀时间长，可以实现对带有金属、不能经受高温或应力敏感、有高深宽比结构或可动结构的硅片的腐蚀保护。

公开(公告)号：CN106477517A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510551503.2

申请日：2015-09-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨芳 ,  张大成 ,  何军 ,  张立 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种表征硅片表面粗糙度的方法，通过测特定条件下的电流值来表征硅片表面的粗糙度。此方法具备方法简单、不需要大型高精密仪器的优点，有利于MEMS加工环境中的现场测量。

公开(公告)号：CN106370520A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510427296.X

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  杨芳 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: G01N3/08

Abstract: 本发明公开了一种提取微锚腿扭转键合强度的方法，通过新设计的片上检测结构中的热驱结构对微锚腿产生扭转作用的力偶矩使锚腿断裂，记录断裂时的驱动位移并计算扭转键合强度值。此方法可用来进行键合工艺的监测和评价，也可用来预测器件的机械可靠性。具备自定位、自测力能力；方法简单，不需要大型高精密仪器。

公开(公告)号：CN106197933A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610565292.2

申请日：2016-07-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 张立 ,  张大成 ,  杨芳 ,  王玮 ,  李睿 ,  关淘淘 ,  范泽新

IPC: G01M7/08

CPC classification number: G01M7/08

Abstract: 本发明提供一种热驱冲击试验机，包括：一热驱加载机构，包括两个加载热驱执行器，通过一加载放大杠杆连接，该加载放大杠杆的中点处连接一加载锯齿扣，该加载锯齿扣含有多个一类锯齿；该中点处还通过一单梁连接一冲击质量块和一负载储能弹簧；一热驱卸载机构，包括两个释放热驱执行器，通过一释放放大杠杆连接，该释放放大杠杆的中点处连接一释放锯齿扣，该释放锯齿扣含有一二类锯齿；一锯齿锁，包括两个互相平行的横梁，该两个横梁的一端设有一对三类锯齿，该三类锯齿与所述一类锯齿抵近并配合；另一端设有一对四类锯齿，该四类锯齿与所述二类锯齿抵近并配合。本发明另提供一种在线检测系统。本发明还提供一种在线检测方法。

公开(公告)号：CN105716750A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610037420.6

申请日：2016-01-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 关淘淘 ,  杨芳 ,  黄贤 ,  张大成 ,  王玮 ,  姜博岩 ,  何军 ,  张立 ,  付锋善 ,  李丹 ,  李睿 ,  范泽新 ,  赵前程

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

CPC classification number: G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法。本发明首次提出具有回旋镖结构的硅应变膜，压敏电阻排布于回旋镖结构的应力集中处，提高了压阻式压力传感器的灵敏度和线性度；选择LPCVD的SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜，提高了KOH背腔腐蚀工艺中掩膜对K+的阻挡特性从而保证传感器的高可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中的玻璃起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。本发明的MEMS压阻式压力传感器同时具有较高的灵敏度和线性度，其制备方法兼容于通用的MEMS加工技术，产品可靠性以及成品率较高。

公开(公告)号：CN103207545B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310097604.8

申请日：2013-03-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘鹏 ,  王玮 ,  田大宇 ,  姜博岩 ,  杨芳 ,  戴小涛 ,  张大成

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法，其步骤包括：1）清洗基片，并在基片上涂敷黏附层；2）在黏附层上旋涂剥离层光刻胶；3）对基片进行烘烤；4）在剥离层光刻胶上旋涂具有紫外敏感特性的电子束光刻胶；5）对基片进行烘烤；6）对电子束光刻胶进行电子束曝光；7）显影电子束光刻胶；8）采用紫外线照射显影后的电子束光刻胶图形，使其交联固化；9）显影剥离层光刻胶。本发明利用电子束光刻胶本身的紫外敏感特性，通过紫外线固胶的方式提高LOL剥离层和电子束光刻胶显影速度之比，解决双层胶的工艺兼容性问题，得到陡直的光刻胶侧壁。

公开(公告)号：CN102963861B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210450745.9

申请日：2012-11-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法，其步骤包括：采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层；在所述结构层上淀积金属层；湿法腐蚀所述牺牲层，通过观测所述金属层中金属的脱落情况确定腐蚀完成时间。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率。