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公开(公告)号：CN114990605A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210663348.3
申请日：2022-06-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于PEM水电解槽金属双极板的复合涂层及其制备方法。该复合涂层的组分包括过渡金属氮化物，还包括氧化物或者碳，其中氧化物选自IIIA、IVA、IIIB、IVB和VB族氧化物中的至少一者，氮化物为过渡金属氮化物；其腐蚀电流密度为0.05～0.6μA/cm2，和/或接触电阻为2.1～8mΩ·cm2。本发明提供的复合涂层具有优异的耐腐蚀性、导电性和耐久性。
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公开(公告)号：CN108615850B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810360488.7
申请日：2018-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于空气电池的新型复合电极及其制备，其中，所述新型复合电极包括铝电极(1)和储氢合金电极(2)，其中，所述铝电极(1)包括铝层(11)以及设置在铝层(11)外表面的集流体一(12)，所述储氢合金电极(2)包括储氢合金层(21)以及设置在储氢合金层(21)外表面的集流体二(22)；这样，铝空气电池自腐蚀产生大量的氢气被储氢合金吸收，吸氢后的储氢合金又能通过电化学过程失氢，从而成为提供能量的电池。并且，所述复合电极的特殊结构，在消耗完铝后替换铝电极的过程中，储氢合金电极不受改变，仍能够保持其原有的性能，继续提高整体的能量利用率。
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公开(公告)号：CN108598169B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810463349.7
申请日：2018-05-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种新型MOS结构的制备方法及得到的新型MOS结构，其中，所述方法如下进行：步骤1、在氩气和氧气用量比为(32～38):(4～6)的氛围下在硅片上沉积非晶金属氧化物薄膜，得到沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤2、采用掩膜板遮盖步骤1得到的沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤3、在非晶稀土氧化物薄膜的上层和硅片的底层分别溅射金属电极，得到所述MOS结构。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产；根据本发明所述方法得到的MOS结构具有优良的综合电性能，即具有较小的漏电流和较大的介电常数。
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公开(公告)号：CN109243994A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811089232.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法，所述MOS结构包括高k栅介质薄膜，所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括：清洗衬底，对靶材进行预处理；通入含氧气体，在衬底上溅射得到高k栅介质薄膜；在所述高k栅介质薄膜和衬底上溅射电极，得到所述MOS结构；对制备得到的MOS结构进行退火处理。所述检测方法是将高k栅介质薄膜溅射到石英衬底上，采集光谱进行禁带宽度检测。本发明所述制备方法简单，易于实现，制得的MOS结构具备优良的电学和光学性能；检测方法直观、操作方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109148571A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811045596.1
申请日：2018-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型高k栅介质复合薄膜及其制备方法，其中，所述复合薄膜包括在衬底上由下到上用溅射的方法依次溅射的第一层薄膜和第二层薄膜，其中，所述第一层薄膜由稀土靶材和铝靶材在含氧气体中溅射得到。所述制备方法包括：步骤1，选择衬底，并对衬底和靶材进行预处理；步骤2，在衬底上溅射第一层薄膜；步骤3，在第一层薄膜上溅射第二层薄膜，得到复合薄膜；步骤4，将得到的复合薄膜进行退火处理，制备得到新型高k栅介质复合薄膜。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产，制备得到的复合薄膜具备优良的综合电性能。
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公开(公告)号：CN105755302B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201410788219.2
申请日：2014-12-17
Abstract: 本发明公开了一种高性能储氢合金及其制备方法。储氢合金Pd@Mg‑Y是由Pd包覆Mg100‑xYx(x＝20～25)合金颗粒形成的，合金颗粒粒度为50～150微米，Pd膜厚度为5～30nm。其制备方法为：采用真空熔炼法制备Mg100‑xYx(x＝20～25)母合金锭，再经机械破碎处理制成粒度为50～150微米储氢合金内核颗粒，然后采用磁控溅射镀膜技术在Mg100‑xYx(x＝20～25)内核颗粒表面均匀涂镀Pd膜。实验结果表明：用以上方法制备的Pd@Mg77Y23储氢合金的吸放氢速率明显快于Mg77Y23颗粒且更快于相同尺度的纯Mg的吸放氢速率。由此得出大粒度Pd@Mg77Y23储氢合金在储氢材料方面以及简化制备工艺方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108598169A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810463349.7
申请日：2018-05-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种新型MOS结构的制备方法及得到的新型MOS结构，其中，所述方法如下进行：步骤1、在氩气和氧气用量比为(32～38):(4～6)的氛围下在硅片上沉积非晶金属氧化物薄膜，得到沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤2、采用掩膜板遮盖步骤1得到的沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤3、在非晶稀土氧化物薄膜的上层和硅片的底层分别溅射金属电极，得到所述MOS结构。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产；根据本发明所述方法得到的MOS结构具有优良的综合电性能，即具有较小的漏电流和较大的介电常数。
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公开(公告)号：CN104826581B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510116852.1
申请日：2015-03-17
Abstract: 本发明涉及一种氨气处理多孔碳材料及其甲醛吸附应用。该多孔碳材料的氨气处理方法包括：1)将多孔碳材料放入加热炉中；2)在加热炉中通入氨气作为保护气氛，氨气的流量为50‑1000mL/min；3)在1‑20℃/min的升温速率下升温至600‑900℃；4)恒温保持0.5‑10h；5)在氨气保护下冷却至室温；6)从加热炉中取出多孔碳材料，对其进行真空脱气。经过上述氨气处理后，多孔碳材料可以被填充在蜂窝式滤网的框架中或者粘附在滤网纤维上，用于实现空气中甲醛的清除功能。本发明使多孔碳材料对于甲醛的净化速率和总吸附容量均得到了增强，减少了甲醛脱附几率，有效降低了二次污染。
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公开(公告)号：CN106941155A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710148068.8
申请日：2017-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种稀土氢化物‐碳纳米复合材料及其制备方法和应用，通过高温高压制备稀土氢化物，并通过室温下低转速球磨将稀土氢化物和碳材料以一定的配比进行均匀混合。该方法具有简单快捷、产率高、成本低、易于放大生产的优势，反应产物混合均匀、颗粒尺寸小、纯度高、具有特定的协同作用，具有较高的储锂比容量。本发明正因为具有以上非常显著的优点，因此极具工业化应用前景。
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