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公开(公告)号：CN119492609A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411520229.8
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了原位片上冲击拉伸强度在线检测系统及其制造方法及应用，属于微电子机械系统加工技术领域，其中片上试验机包括：被测微梁、被冲击质量块、双锤头结构、一和二类探针加载结构、锁扣结构、锁齿结构、一至三类弹性悬挂折叠梁、弹性储能梁、弹性梁、动力栓和第一至第五固定锚点。本系统利用片上试验机与探针台相结合，提取被测微梁结构在受到冲击拉伸断裂时的断裂强度。通过本系统进行被测微梁的冲击拉伸强度在线检测，具有和宽量程和可重复性的优点，方法简单，不需要借助大型精密仪器及热驱加载及卸载机构。
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公开(公告)号：CN118464664B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410917110.8
申请日：2024-07-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于微梁四点弯曲测试的系统及其制造方法及应用，属于微电子机械系统加工技术领域。本系统利用片上试验机、片上试样和用于对片上试验机施加负载力的探针台相结合，提取微梁四点弯曲断裂时的应力。其中片上试验机包括一个第二锚点、一对悬挂梁、一个探针加载结构、一对线性测力弹簧、两个指针对、一对第一标尺、一对第二标尺、两个支撑头和一个第三锚点，片上试样包括两个第一锚点、两根柔性支撑梁、两个加载块和一个弯曲测试梁。本系统可用来探究微尺度下硅梁的破坏规律，为MEMS器件的强度设计做参考，以及监控刻蚀释放工艺的质量。
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公开(公告)号：CN118464664A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410917110.8
申请日：2024-07-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于微梁四点弯曲测试的系统及其制造方法及应用，属于微电子机械系统加工技术领域。本系统利用片上试验机、片上试样和用于对片上试验机施加负载力的探针台相结合，提取微梁四点弯曲断裂时的应力。其中片上试验机包括一个第二锚点、一对悬挂梁、一个探针加载结构、一对线性测力弹簧、两个指针对、一对第一标尺、一对第二标尺、两个支撑头和一个第三锚点，片上试样包括两个第一锚点、两根柔性支撑梁、两个加载块和一个弯曲测试梁。本系统可用来探究微尺度下硅梁的破坏规律，为MEMS器件的强度设计做参考，以及监控刻蚀释放工艺的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106115616B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610479967.1
申请日：2016-06-27
Applicant: 北京大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS加工工艺的温度监控装置，包括：两个热驱执行器，每个热驱执行器均包括两个固定锚点，该两个固定锚点通过热驱梁连接，该两个热驱执行器通过一放大杠杆连接；一活动锯齿开关，包括一锯齿扣和一锯齿锁，该锯齿扣连接于所述放大杠杆的中点处，含有多个一类锯齿；该锯齿锁包括两个平行长梁，在每个长梁的内侧设有多个与所述一类锯齿配合的二类锯齿。本发明还提供一种MEMS加工工艺的温度监控方法，步骤包括：1)采用MEMS加工工艺制造功能器件时，随同一起制造上述温度监控装置；2)制造完成后查看所述温度监控装置的活动锯齿开关的齿扣度量；3)根据上述齿扣度量得到制造过程中所达到的最高温度。
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公开(公告)号：CN106115616A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610479967.1
申请日：2016-06-27
Applicant: 北京大学
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/004 , B81C99/005
Abstract: 本发明提供一种MEMS加工工艺的温度监控装置，包括：两个热驱执行器，每个热驱执行器均包括两个固定锚点，该两个固定锚点通过热驱梁连接，该两个热驱执行器通过一放大杠杆连接；一活动锯齿开关，包括一锯齿扣和一锯齿锁，该锯齿扣连接于所述放大杠杆的中点处，含有多个一类锯齿；该锯齿锁包括两个平行长梁，在每个长梁的内侧设有多个与所述一类锯齿配合的二类锯齿。本发明还提供一种MEMS加工工艺的温度监控方法，步骤包括：1)采用MEMS加工工艺制造功能器件时，随同一起制造上述温度监控装置；2)制造完成后查看所述温度监控装置的活动锯齿开关的齿扣度量；3)根据上述齿扣度量得到制造过程中所达到的最高温度。
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公开(公告)号：CN104003349B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410191944.1
申请日：2014-05-08
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种利用SOI片制备MEMS器件的表面牺牲层工艺方法，其步骤包括：1)在SOI基片上光刻定义MEMS器件结构区，并刻蚀器件层单晶硅和埋氧层氧化硅至衬底表面，埋氧层作为第一层牺牲层；2)淀积氧化硅作为第二层牺牲层；3)根据MEMS器件结构光刻定义氧化硅区域，并对氧化硅进行刻蚀；4)进行光刻，以氧化硅和光刻胶作双层掩膜刻蚀隔离槽；5)去除光刻胶，以氧化硅为掩膜刻蚀制作凸点槽和锚点槽；6)淀积第二层结构层，进行刻蚀以形成MEMS器件结构；7)制作通孔和引线；8)冷阱释放。本发明采用单晶硅作为主体结构层，加入预应力和凸点防止结构层黏附，工艺难度低，成品率高，可广泛应用于MEMS器件的制作。
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公开(公告)号：CN102980694B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210500461.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿 晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面采用压敏电阻所需剂量的掺杂浓度进行P型离子注入轻掺杂并高温热退火；在基片正面通过光刻定义P型重掺杂的引线接触区，通过离子注入进行重掺杂并高温热退火；制作引线孔和金属引线；通过光刻定义压敏电阻和接触区的形状，通过刻蚀的方式制作压敏电阻条；划片。本发明的压力传感器没有应变膜结构，能够降低传感器的芯片尺寸，增加抗过载能力；其制作方法与标准体硅压阻式压力传感器的工艺兼容，成本低且成品率高。
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公开(公告)号：CN104677529A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510064104.3
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/18 , B81B1/00 , B81C1/00 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV后通孔技术实现。该结构的压力计芯片相比典型器件结构具有芯片尺寸小、自封装的优点；该设计加工工艺流程与常规微纳加工技术兼容，器件加工成本低，具有较高的成品率；该结构的压力计传感器拥有较薄的芯片厚度而且同时适用于芯片正面向上的压焊封装方式和芯片正面向下的倒装焊封装方式，具有较广阔的应用领域。
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