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公开(公告)号：CN112199821B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202010956741.2
申请日：2020-09-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F30/367
Abstract: 一种单轴滚珠丝杠进给系统运动特性的机电联合建模方法，先进行控制系统模块的等效建模，再进行PWM与逆变器模块的等效建模，然后进行伺服电机模块的等效建模，再进行机械系统模块的动力学等效建模，然后进行模型的集成；最后对机电集成模型进行离散化；本发明对滚珠丝杠进给系统中各环节进行详细建模与求解，实现滚珠丝杠进给系统从指令输入到工作台位移输出的全过程物理仿真。
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公开(公告)号：CN114017860A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111151996.2
申请日：2021-09-29
Applicant: 西安交通大学 , 中石化绿源地热能(陕西)开发有限公司
IPC: F24F5/00 , F24F11/83 , F24F11/85 , H02J7/35 , H02S40/44 , F24F110/10 , F24F110/20
Abstract: 本发明属于地热能源与太阳能综合利用技术领域，具体公开了太阳能、地热能综合利用供冷控制方法及系统。是基于用户侧实时温度的需求变化由控制装置控制流入汇流装置内地热端和太阳能端的热源流量开度以达到对用户侧热能供给调节控制的方法，为了便于上述控制方法的实施，本发明还提供了一种包括冷凝器、蒸发器、汇流装置、分流装置等装置与地热井和太阳能板连接的太阳能、地热能综合利用供冷控制系统。本发明可以依据室内、外温度的变化获取信号，控制装置同步调节地热端和太阳能端的热源流量开度，促使经流蒸发器内的混合热源发生改变，再通过供冷端冷泵循环，从而调控冷凝器端供冷以达到对用户侧冷能供给的调节控制。
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公开(公告)号：CN112199821A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010956741.2
申请日：2020-09-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F30/367
Abstract: 一种单轴滚珠丝杠进给系统运动特性的机电联合建模方法，先进行控制系统模块的等效建模，再进行PWM与逆变器模块的等效建模，然后进行伺服电机模块的等效建模，再进行机械系统模块的动力学等效建模，然后进行模型的集成；最后对机电集成模型进行离散化；本发明对滚珠丝杠进给系统中各环节进行详细建模与求解，实现滚珠丝杠进给系统从指令输入到工作台位移输出的全过程物理仿真。
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公开(公告)号：CN111952448A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010806609.3
申请日：2020-08-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用，包括相变层和阻隔层，所述相变层和阻隔层交替堆垛，所述相变层至少两层，阻隔层至少一层，所述相变层为锗锑碲薄膜，阻隔层为IV族碲化物薄膜。该薄膜中锗锑碲材料与IV族碲化物材料交替堆垛，其中锗锑碲作为相变层实现存储，IV族碲化物材料作为阻隔层不参与相变，既能够抑制相变层材料的结构弛豫，又能够阻碍其元素偏析现象，将会极大地提升相变存储器件的稳定性和精准性，并有效延长器件的使用寿命，同时锗锑碲材料具有较高的结晶温度，能够保证高温环境下的稳定服役。该薄膜可应用于相变存储器及类脑计算芯片领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108588672B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201810369025.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法，包括：选择能够进行微观结构表征、电学性能测试或原位性能测试的衬底制备锗锑碲非晶薄膜；对制备锗锑碲非晶薄膜的衬底进行电镜样品预处理；在电镜样品中寻找锗锑碲非晶薄膜表面干净平整的区域；通过在电镜中设置辐照范围、辐照电压、辐照强度和辐照时间；在电镜中实时观测电镜样品辐照区域的晶化过程，得到满足晶化范围、晶体结构、晶粒大小的锗锑碲晶体，即完成电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化过程。本发明方法为相变材料晶化机理及相应结构性能的研究提供了实验依据。
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公开(公告)号：CN110554060A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910773032.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照下原位研究锗锑碲材料非晶化机理的方法，包括：选择表面沉积在透射电镜标准尺寸的碳支持膜铜载网上的锗锑碲晶体薄膜；采用等离子清洗技术对制备的薄膜样品进行表面预处理，选择氩气进行等离子清洗；将预处理电镜样品置于透射电镜中，并在薄膜样品中寻找表面平整、无碳沉积、无污染、无破损且厚度均匀的区域作为辐照区域；设置辐照参数，诱导材料发生逐步非晶化；原位观察并记录材料的非晶化结构演变过程，分析材料的非晶化相变机理。本发明通过电子束辐照实现了锗锑碲材料的逐步非晶化，并借助透射电镜直接观察分析材料非晶化的结构演变过程，为探索锗锑碲材料的非晶化机理提供了便捷的研究方法和可靠的实验依据。
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公开(公告)号：CN106872888B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710132580.3
申请日：2017-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明公开了一种直流叠加高压脉冲的真空灭弧室老炼装置及方法，包括直流电源、脉冲电源、真空灭弧室、隔直耦合电容及隔离电感，直流电源的一端及脉冲电源的一端与真空灭弧室触头的一端相连接，直流电源的另一端与隔离电感的一端相连接，脉冲电源的另一端与隔直耦合电容的一端相连接，隔直耦合电容的另一端及隔离电感的另一端均与真空灭弧室触头的另一端相连接，该装置及方法技术难度小，成本低，同时单次老炼能量能够实现精确调节。
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公开(公告)号：CN107481889B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710592502.1
申请日：2017-07-19
Applicant: 西安交通大学 , 国网宁夏电力公司电力科学研究院 , 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 , 国家电网公司
IPC: H01H33/664 , H01H33/666
Abstract: 本发明公开了一种自操动的真空灭弧室及其自操动方法，该真空灭弧室包括静导电杆、动导电杆、静触头、动触头、灭弧室壳体、屏蔽罩、柔性导体、主回路接线端、分闸驱动线圈、电磁斥力盘、合闸驱动线圈和双稳保持结构；本发明还公开了该真空灭弧室的自操动方法；本发明将传统的灭弧室和操动机构完成了一体化，极大地减少了操动机构的零件数量和体积，减小了机构的操作功，同时也省去了传统灭弧室的波纹管结构，该发明具有结构简单、紧凑、寿命长、低成本等优点。
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公开(公告)号：CN108588672A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810369025.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法，包括：选择能够进行微观结构表征、电学性能测试或原位性能测试的衬底制备锗锑碲非晶薄膜；对制备锗锑碲非晶薄膜的衬底进行电镜样品预处理；在电镜样品中寻找锗锑碲非晶薄膜表面干净平整的区域；通过在电镜中设置辐照范围、辐照电压、辐照强度和辐照时间；在电镜中实时观测电镜样品辐照区域的晶化过程，得到满足晶化范围、晶体结构、晶粒大小的锗锑碲晶体，即完成电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化过程。本发明方法为相变材料晶化机理及相应结构性能的研究提供了实验依据。
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