公开(公告)号：CN102570304A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210013790.8

申请日：2012-01-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  朱刚毅 ,  戴俊 ,  林毅 ,  石增良 ,  理记涛

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/028 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了一种微纳米激光二极管的制备方法，该方法首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层P型聚合物半导体薄膜，如聚乙烯基咔唑(PVK)、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑(PPV)、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等P型半导体聚合物，然后将单根氧化锌(ZnO)微米棒集成在旋涂p型半导体聚合物的p型GaN薄膜表面形成异质结，然后在集成有ZnO微米棒的p型GaN表面制备一层绝缘薄膜（如：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，聚二甲基硅氧烷(PDMS),二氧化硅(SiO2),三氧化二铝(Al2O3)等有机或者无机透明绝缘材料），接着采用反应离子刻蚀或者光刻技术把ZnO微米棒表面刻蚀出来，最后分别在GaN和ZnO微米棒表面制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。

公开(公告)号：CN102545046A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210014092.X

申请日：2012-01-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  朱刚毅 ,  戴俊 ,  林毅 ,  石增良 ,  理记涛

IPC: H01S5/14 ,  H01S5/042

Abstract: 回音壁模微腔激光二极管的制备方法首先在P型氮化镓薄膜表面旋涂一层P型聚合物半导体薄膜（如聚乙烯基咔唑PVK、聚芴PF、聚对苯乙烯撑PPV、聚-3烷基噻吩P3HT及其衍生物等P型聚合物半导体），然后将单根氧化锌微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结，然后在集成有ZnO微米棒的片子上旋涂一层绝缘薄膜（如：聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，聚二甲基硅氧烷PDMS,二氧化硅SiO2,三氧化二铝Al2O3等有机或者无机透明绝缘材料），通过反应离子刻蚀或者光刻工艺把ZnO微米棒表面暴露，接着在ZnO微米棒表面制备透明电极（如：氧化铟锡ITO、氧化锌铝ZAO等），最后在p型GaN表面制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。

公开(公告)号：CN102496854A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110443690.4

申请日：2011-12-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  戴俊 ,  石增良 ,  朱刚毅

IPC: H01S5/327 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明公开了一种利用n型六边形氧化锌微米棒和p型氮化镓形成异质结紫外回音壁模微激光二极管的制备方法。该方法首先利用气相传输法制备具有正六边形截面的n型氧化锌微米棒，然后将单根氧化锌微米棒集成在p型氮化镓薄膜表面形成异质结，最后在氮化镓表面和氧化锌表面分别制备电极。该方法利用光线在氧化锌微米棒内的内壁全反射构成高品质的回音壁模微腔，通过选择不同尺寸的氧化锌微米棒可实现不同要求的紫外激光输出波长。器件构建过程中一个重要的工艺是在氧化锌微米棒和氮化镓之间引入一层金属锌纳米薄膜热氧化后形成的氧化锌薄层，有效地改善了界面上的电学接触，提高了载流子注入效率。