公开(公告)号：CN1838386A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610058370.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 里吉务 ,  山本浩司 ,  田中勇一郎

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，在等离子体处理装置的处理室内的等离子体密度局部偏高的部位插入屏风部件，使等离子体失去活性，使等离子体密度均匀化。其特征在于，在等离子体处理装置(1)中，在处理室(3)内的等离子体密度局部偏高的部位上，设置使等离子体失去活性的屏风部件，使对被处理基板(G)的等离子体蚀刻率均匀化。

公开(公告)号：CN1231097C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN02156669.0

申请日：2002-12-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 里吉务

IPC: H05H1/46 ,  C23C4/00 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明提供一种不使大型基板产生因电容耦合成分引起的等离子体密度降低和由电场分布偏差引起的等离子体密度不均匀，可用更高密度的等离子体来进行均匀等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。在通过向高频天线(13)供给高频电，在处理室(4)内形成电感耦合等离子体，对基板(G)实施等离子体处理的等离子体处理装置中，高频天线13构成为具有天线(46、47、48、49、50、51、52)的存在密度变疏松的部分(63)和变紧密的部分(61、62)，同时，在其中心部分(60)中不存在天线。

公开(公告)号：CN1581445A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410070242.4

申请日：2004-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 里吉务

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明在两频率叠加施加方式中实现匹配电路的小型化及低造价。在该等离子体蚀刻装置中，上部电极(18)通过腔室(10)连接到接地电位(接地)，第一高频电源(40)(例如13.56MHz)及第二高频电源(42)(例如3.2MHz)分别通过第一和第二匹配器(36、38)电连接到下部电极(16)。低频率一侧的第二匹配器(38)由在最终输出部分具有线圈(62)的T型电路来构成，并可以兼用作用于遮断来自该线圈(62)上的第一高频电源(40)的高频(13.56MHz)的高频截止滤波器。