公开(公告)号：CN101550590B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910048613.1

申请日：2009-03-31

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张斌 ,  陈浩 ,  张峰

IPC: C30B25/14

Abstract: 一种多层外延层的生长设备，包括反应室、掺杂元素进口，还包括多个进气通路以及切换阀。本发明还提供了一种采用上述的设备进行多层外延层的生长方法。本发明的优点在于，采用多个气体通路，克服了稀释气体流量不可调节的问题，只需要操作切换阀既可以获得具有不同的掺杂元素浓度的气体，而不需要更换掺杂源，因此简化了工艺过程，降低对衬底和外延层的污染，并且实现了生长过程中的在位切换，易于控制每一次外延生长的厚度以及掺杂浓度的分布状态。

公开(公告)号：CN102201362A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110123907.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张峰 ,  曹共柏 ,  魏星 ,  王文宇 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/304

Abstract: 一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法，采用了研磨的方法将器件衬底和支撑衬底研磨减薄到接近目标厚度，再采用抛光工艺做精细加工，且在研磨减薄工艺中特别为器件衬底预留了更多的余量，以保证器件衬底能够得到更为精细的抛光。以上方法通过将常规的研磨和抛光等工艺巧妙结合，并根据目标厚度来控制每一步实施完毕后所保留的衬底厚度，从而做到了能够在支撑衬底的机械强度允许的范围内将支撑衬底减薄到任意厚度。