公开(公告)号：CN107452746A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710272619.1

申请日：2017-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛珉 ,  许星会

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/08 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本公开提供了三维半导体器件。电极结构包括垂直地层叠在基板上的多个电极。多个电极的每个包括电极部、垫部分和突起。电极部平行于基板的顶表面并在第一方向上延伸。垫部分在相对于基板的顶表面垂直或倾斜的第三方向上从电极部延伸。突起在平行于第三方向的方向上从垫部分的一部分突出。当从平面图看时，多个电极的突起布置在第一方向和第二方向的对角线方向上，该第二方向平行于基板的顶表面并交叉第一方向。

公开(公告)号：CN107403803A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710342304.X

申请日：2017-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛珉

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11573

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 公开了三维半导体器件及其制造方法。三维半导体器件可以包括：下电极结构，具有竖直堆叠在衬底上的多个下电极；以及上电极结构，具有堆叠在下电极结构上的多个上电极。下电极和上电极中的每一个可以包括：电极部，与衬底的上表面平行；以及竖直焊盘部，相对于衬底的上表面倾斜。相邻的下电极的竖直焊盘部可以彼此间隔第一水平距离。相邻的下电极和上电极的竖直焊盘部可以彼此间隔第二水平距离，第二水平距离大于第一水平距离。

公开(公告)号：CN102456675B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201110328364.9

申请日：2011-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载株 ,  金敬勋 ,  李云京 ,  赵源锡 ,  赵厚成 ,  朴镇泽 ,  金种衍 ,  黄盛珉

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明涉及三维半导体器件。该器件可以包括包含栅图案和绝缘图案的层叠图案。层叠图案还可以包括第一部分和第二部分，并且层叠结构的第二部分可以具有比第一部分窄的宽度。该器件还可以包括穿过层叠结构的有源图案。该器件还可以包括与层叠结构相邻的公共源极区。该器件可以另外包括在公共源极区上的带接触插塞。