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公开(公告)号：CN118382291A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410031749.6
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。半导体存储器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的位线，设置在位线上的第一沟道图案，设置在位线上并在第一方向上与第一沟道图案间隔开的第二沟道图案，设置在第一沟道图案与第二沟道图案之间并沿第二方向延伸的第一字线，设置在第一沟道图案与第二沟道图案之间、沿第二方向延伸并在第一方向上与第一字线间隔开的第二字线，及分别设置在第一沟道图案和第二沟道图案上并且分别连接到第一沟道图案和第二沟道图案的第一电容器和第二电容器，第一沟道图案和第二沟道图案均包括包含铟(In)、镓(Ga)和锡(Sn)的第一金属氧化物图案，并且在第一金属氧化物图案的空间组成分布中，锡峰的位置不同于镓峰的位置。
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公开(公告)号：CN117637669A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310699294.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 一种封装集成电路，包括再分布层，该再分布层具有至少部分地延伸穿过该再分布层的多个导电过孔、以及电连接到多个导电过孔中的对应导电过孔的多个下焊盘。半导体芯片设置在再分布层上，并且设置外部连接端子，该外部连接端子电接触再分布层内的多个下焊盘中的对应下焊盘。多个下焊盘中的每个下焊盘包括：(i)与对应外部连接端子接触的下凸块下金属化(UBM)层，以及(ii)在下UBM层上延伸并且接触下UBM层的上UBM层。此外，下UBM层的上表面相对于上UBM层的接触对应导电过孔的上表面具有更大的横向宽度尺寸。
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公开(公告)号：CN115719740A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210506562.8
申请日：2022-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体封装，包括：第一重分布衬底；下半导体芯片，在第一重分布衬底上，该下半导体芯片中包括通孔；第一下导电结构和第二下导电结构，在第一重分布衬底上并与下半导体芯片横向间隔开；上半导体芯片，在下半导体芯片和第二下导电结构上，该上半导体芯片耦接到通孔和第二下导电结构；以及上导电结构，在第一下导电结构上。第二下导电结构的宽度大于通孔的宽度。
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公开(公告)号：CN114242708A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110746649.8
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 半导体封装包括重分布基板和在其上的半导体芯片。重分布基板包括：接地凸块下图案；信号凸块下图案，与接地凸块下图案横向地间隔开；第一信号线图案，设置在信号凸块下图案上并耦接到对应的信号凸块下图案；以及第一接地图案，耦接到接地凸块下图案并与第一信号线图案横向地间隔开。信号凸块下图案和接地凸块下图案中的每一个包括：第一部分；以及第二部分，形成在第一部分上并且比第一部分宽。接地凸块下图案的第二部分比信号凸块下图案的第二部分宽。接地凸块下图案与第一信号线图案在竖直方向上重叠。第一接地图案不与信号凸块下图案在竖直方向上重叠。
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公开(公告)号：CN112289768A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010347007.6
申请日：2020-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括重新分布衬底以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片。重新分布衬底包括凸块下图案、覆盖凸块下图案的侧壁的下介电层以及下介电层上的第一重新分布图案。第一重新分布图案包括第一线路部分。凸块下图案在顶表面处的宽度大于凸块下图案在底表面处的宽度。凸块下图案的厚度大于第一线路部分的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102914924A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210390814.1
申请日：2006-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3614 , G09G2300/08 , G09G2310/0218
Abstract: 本发明公开了一种具有显示装置特定的像素布置的显示装置，以防止在高速驱动时的连接缺陷和带缺陷。所述显示装置包括：多个像素，以矩阵形状布置；开关元件，连接到每个像素；数据线和栅极线，连接到所述开关元件；数据驱动器，产生数据电压并将数据电压施加到数据线。成对的数据线设置在像素的两侧，具有不同极性的相同幅度的数据电压被施加到成对的数据线。以这种方式，可以防止高速驱动时的连接缺陷和带缺陷。
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公开(公告)号：CN1979318B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200610164539.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3614 , G09G2300/08 , G09G2310/0218
Abstract: 本发明公开了一种具有液晶显示器特定的像素布置的液晶显示器，以防止在高速驱动时的连接缺陷和带缺陷。所述液晶显示器包括：多个像素，以矩阵形状布置；开关元件，连接到每个像素；数据线和栅极线，连接到所述开关元件；数据驱动器，产生数据电压并将数据电压施加到数据线。成对的数据线设置在像素的两侧，具有不同极性的相同幅度的数据电压被施加到成对的数据线。以这种方式，可以防止高速驱动时的连接缺陷和带缺陷。
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公开(公告)号：CN101364395B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200810161403.9
申请日：2005-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供了一种显示装置，包括：像素，包括第一子像素和第二子像素；连接到第一子像素并传输第一信号的第一信号线；连接到第二子像素并传输第二信号的第二信号线；与第一和第二信号线交叉的第三信号线，其连接到第一和第二子像素的至少一个上，并传输第三信号；以及与第一和第二信号线交叉的第四信号线，用于传输第四信号线，其中，第一子像素和第二子像素被供给具有不同大小的数据电压，并且施加到第一和第二子像素的数据电压从单个的图像信息中产生。
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公开(公告)号：CN102193261A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110050973.2
申请日：2011-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金东奎
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1335 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/36 , G02F1/134309 , G02F1/1393 , G02F2001/134345 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/0447 , G09G2320/066 , G09G2320/068
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，该液晶显示器包括：彼此面对的第一基底和第二基底；多条信号线，在第一基底上；像素电极，包括连接到信号线的第一子像素电极和第二子像素电极，第一子像素电极和第二子像素电极彼此分开；液晶层，在第一基底和第二基底之间，液晶层包括液晶分子。充电给在由第一子像素电极占据的第一区域中的液晶层的电压比充电给在由第二子像素电极占据的第二区域中的液晶层的电压低。第二区域和第一区域的一部分显示第一颜色，第一区域的剩余部分显示第二颜色。
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公开(公告)号：CN1825419B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200610071145.6
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133
Abstract: 一种液晶显示装置，包括以矩阵排列的多个像素电极，所述多个像素电极中的每个像素电极具有第一和第二子像素电极。该装置还包括连接于所述第一子像素电极的多个第一开关器件，连接于所述开关器件的多条栅极线，连接于所述第一器件并在所述像素电极之间通过以传输数据电压的多条数据线，以及第一和第二存储电极，所述第一和第二存储电极设置在所述像素电极与设置于所述像素电极两侧的数据线之间并与所述第一子像素电极交叠。
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