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公开(公告)号：CN102479804A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110389294.8
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0657 , H01L29/1606
Abstract: 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271901A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810002004.8
申请日：2008-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/792 , H01L29/49 , H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/28 , G11C16/14 , G11C16/10
CPC classification number: H01L29/792 , G11C16/10 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/42328 , H01L29/66833
Abstract: 本发明提供一种用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法。所述半导体存储装置可以包括存储具有第一极性的第一电荷传输介质的电荷捕获层以及至少一个擦除栅极。所述至少一个擦除栅极可以形成在电荷捕获层下方。具有与第一极性相反的第二极性的第二电荷传输介质可以存储在所述至少一个擦除栅极中。在擦除操作的过程中，第二电荷传输介质迁移到电荷捕获层，导致第一电荷传输介质与第二电荷传输介质结合。
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公开(公告)号：CN100365836C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510076220.3
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝光发光器件包括在衬底上的第一导电层，在第一导电层上的多个纳米丝，每一个纳米丝在其两端具有p型掺杂部分和n型掺杂部分，在p型掺杂部分和n型掺杂部分之间具有光发射层，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过沿掺杂部分的周围吸收分子形成掺杂部分。
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公开(公告)号：CN1722480A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510076219.0
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L33/38 , H01L51/0038 , H01L51/502 , H01L51/5032 , H01L2251/303
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝发光器件包括形成在衬底上的第一导电层、垂直形成在第一导电层上的多个纳米丝，每一纳米丝具有n型掺杂部分和p型掺杂部分、在n型掺杂部分或p型掺杂部分之间的发光层、填充在分别对应于p型掺杂部分和n型掺杂部分的空间的第一和第二导电有机聚合物，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过向对应的纳米丝表面提供电子或从其接受电子，有机聚和物将对应的纳米丝表面掺杂。
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公开(公告)号：CN1691362A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510076220.3
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝光发光器件包括在衬底上的第一导电层，在第一导电层上的多个纳米丝，每一个纳米丝在其两端具有p型掺杂部分和n型掺杂部分，在p型掺杂部分和n型掺杂部分之间具有光发射层，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过沿掺杂部分的周围吸收分子形成掺杂部分。
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