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公开(公告)号：CN119136647B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411571991.9
申请日：2024-11-06
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本申请提供一种具有长寿命声子存储结构的超导量子比特器件及其制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。超导量子比特器件包括：上片衬底基片；高张应力薄膜，部分高张应力薄膜悬空设置；量子比特的电容和结区；下片衬底基片；微波谐振金属层；连接模块，生长于下片衬底基片的四周，与量子比特的电容和结区连接；量子比特的电容和结区与微波谐振金属层形成空间电容结构，在高张应力薄膜振动时，空间电容结构变化，实现高张应力薄膜形成的薄膜机械振子与微波谐振金属层的耦合，以实现将量子比特的量子态存储到薄膜机械振子的长寿命声子模式或者将处于长寿命声子模式的量子态读回至量子比特，有利于长寿命量子态存储结构和超导量子比特的规模化集成。
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公开(公告)号：CN119156122A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310717895.X
申请日：2023-06-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种超导量子干涉电路及集成芯片。电路包括：第一超导量子干涉器件；正反馈电路，包括与第一超导量子干涉器件的耦合极性为正的第一电感线圈；负反馈电路，包括与第一超导量子干涉器件的耦合极性为负的第二电感线圈；反馈极性调整模块，用于为正反馈电路和负反馈电路的其中一个提供关断信号，以使正反馈电路和负反馈电路的其中一个与第一超导量子干涉器件非耦合，另一个与第一超导量子干涉器件耦合。根据本申请实施例，能够对超导量子干涉器件与反馈电路之间的耦合极性进行正负切换，以适应于不同应用场景，提升超导量子干涉电路的适用性和多功能性。
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公开(公告)号：CN119136647A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411571991.9
申请日：2024-11-06
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本申请提供一种具有长寿命声子存储结构的超导量子比特器件及其制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。超导量子比特器件包括：上片衬底基片；高张应力薄膜，部分高张应力薄膜悬空设置；量子比特的电容和结区；下片衬底基片；微波谐振腔；连接模块，生长于下片衬底基片的四周，与量子比特的电容和结区连接；量子比特的电容和结区与微波谐振腔形成空间电容结构，在高张应力薄膜振动的情况下，空间电容结构变化，实现高张应力薄膜形成的薄膜机械振子与微波谐振腔的耦合，以实现将量子比特的量子态存储到薄膜机械振子的长寿命声子模式或者将处于长寿命声子模式的量子态读回至量子比特，有利于长寿命量子态存储结构和超导量子比特的规模化集成。
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公开(公告)号：CN119031824A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310619877.8
申请日：2023-05-25
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种空气桥阵列及其制造方法和超导量子器件，属于超导电路领域。所述方法在围绕垂直于所述掩膜图形层表面的第一方向旋转所述目标元件的同时，沿第二方向沉积第一镀膜材料，针对性的在各所述桥面支撑部位于所述沉积窗口内的侧面形成加固膜层，由沉积窗口内的镀膜材料所形成桥墩对由桥面支撑部上的镀膜材料所形成的桥面的连接支撑基于该加固膜层形成加固，从而能够提高空气桥稳定性，防止桥墩对桥面的支撑强度不足而引起坍塌。
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公开(公告)号：CN119014149A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380033479.6
申请日：2023-04-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10N60/01 , G06N10/40 , H10N69/00 , H01L23/525 , B82Y10/00
Abstract: 一种超导连接系统包括反熔断器结构。存在具有在衬底的空腔上方悬伸的第一区段的第一超导迹线。具有在衬底中的空腔上方悬伸的第二区段的第二超导迹线。第一辅助区段耦合到第一区段上，并且悬置在空腔上方。第二辅助区段耦合到第二区段上，并且悬置在空腔上方。第一区段和第二区段彼此面对，并且在其间具有预定间隙。第一区段和第二区段被配置成接收激光的输出。第一和第二辅助区段的材料的量是基于在接收到激光的输出时形成在第一超导迹线和第二超导迹线之间提供电短路的熔断球接头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118946245A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410884348.5
申请日：2024-07-03
Abstract: 本发明提供一种量子芯片的封装装置、集成电路和装配方法，量子芯片的封装装置包括：转接组件，包括相对的第一面和第二面，第一面与量子芯片电连接，第二面上形成有多个第二电触点；电路板，设有多个第一电触点；多个连接件及多个连接座，每个连接件的一端插入每个连接座的凹槽内，每个连接件的由每个连接座凸出的另一端适用于电连接在第一电触点及第二电触点中的一个上，每个连接座适用于电连接在第一电触点及第二电触点中的另一个上；其中，每个连接件与每个凹槽接触的区域填充有导电填充物，以增加每个连接件与每个凹槽的电接触面积，降低了接触电阻，从而降低了量子芯片的封装装置内的发热量。
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公开(公告)号：CN118201469B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410621048.8
申请日：2024-05-20
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明提供了一种平面约瑟夫森结及其制备方法、约瑟夫森结阵列，平面约瑟夫森结形成在衬底的一个表面上，所述表面具有第一部分和第二部分，第一部分向上延伸形成凸台，凸台的侧面与第二部分的夹角大于0°且小于等于90°，平面约瑟夫森结包括：第一超导层，设置在凸台上；以及第二超导层，设置在第二部分上；其中，第一超导层和第二超导层之间形成间隙，所述间隙在竖直方向上的长度小于第一超导层和第二超导层所采用的超导材料的超导相干长度。在第一超导层和第二超导层处于超导转变温度以下的情况下，通过向第一超导层或第二超导层通入电流，使通入电流的超导层中的库珀产生量子隧穿效应，穿过间隙，进入到另一个超导层，形成约瑟夫森电流。
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公开(公告)号：CN118201471B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410621012.X
申请日：2024-05-20
Applicant: 北京量子信息科学研究院
IPC: H10N69/00 , H10N39/00 , H10N30/03 , H10N60/01 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G06N10/40 , H03H9/17 , H03H3/02
Abstract: 本申请提供了一种半导体量子比特的声学腔读取装置及其制备方法。声学腔读取装置包括：凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构固定连接；凸面压电结构包括：第一衬底；第一薄膜层，设置在第一衬底的第一表面；凸面压电薄膜层，呈凸球面形状设置在第一衬底的第二表面；半导体纳米线量子比特结构包括：第二衬底；半导体纳米电极层，设置在第二衬底的表面，半导体纳米电极层包括：半导体纳米线，设置在第二衬底的表面；至少两个电极层，至少两个电极层分别搭接设置在半导体纳米线的两端，至少两个电极层之间裸露有部分半导体纳米线；其中，凸面压电薄膜层设置在裸露的半导体纳米线上方，凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构之间为空腔结构。
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公开(公告)号：CN116646271B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202310620429.X
申请日：2023-05-26
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544 , H10N60/01 , H10N69/00 , G06N10/40
Abstract: 本申请公开了一种芯片结构、存储介质、电子设备、量子芯片的制造方法和装置，属于量子计算领域。其中的量子芯片制造方法包括：从衬底选择多个指定区域、确定需要被制作的量子电路和测试电路、对准件，在对应区域制作各结构，以及切割衬底以获得量子芯片和测试芯片。该量子芯片的制造方法可以一并制作量子芯片和测试芯片，并且二者具有采用相同工艺条件制作的量子元件，因此，可以使得该测试芯片能够被用于准确、快速地完成对量子芯片中相应结构的测试，从而有助于提高量子芯片研发速度、缩短制造周期。
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公开(公告)号：CN118206067A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410621099.0
申请日：2024-05-20
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种基于半导体薄膜的压力传感器芯片及其制备方法，该压力传感器芯片包括：衬底硅片；半导体薄膜，位于衬底硅片的第一表面上，其中，半导体薄膜包括刻蚀所述衬底硅片的第二表面直至所述半导体薄膜形成的悬空部分，所述悬空部分能够在压力作用下产生形变；以及约瑟夫森结，设置于所述悬空部分表面的中心位置，其中，所述约瑟夫森结的结面积在所述悬空部分产生形变的情况下发生改变。根据本申请提供的方案，压力传感器芯片上形成包括半导体薄膜和约瑟夫森结的微纳结构，依靠微纳结构的变化测量压力大小，在实际应用中具有很好的耐环境性与可靠性。并且，通过设置不同的微纳结构，在提高探测灵敏度的同时，能够增加工作压力区间和稳定性。
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