-
公开(公告)号：CN102735939B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201210237942.2
申请日：2012-07-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明提供了一种测量黑硅材料与金属电极之间欧姆接触电阻率的方法，其方案为：针对在单晶硅表面通过刻蚀得到的黑硅材料，在其表面用欧姆接触制备工艺沉积至少6个圆点形金属电极；在单晶硅背面沉积金属对电极；使用热压焊工艺从每一个圆点形金属电极的内接触圆引出极细的金属线，然后分别将金属丝键合到面积较大的外引电极上；用可变电压源在每一圆点形金属电极与对电极之间持续提供恒定的反向电压偏置，确保黑硅/单晶硅异质结完全反偏；在确保黑硅/单晶硅异质结完全反偏的条件下，通过圆点形传输线模型法对金属/黑硅比接触电阻率进行测试。
-
公开(公告)号：CN102534505B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210040263.6
申请日：2012-02-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种黑硅材料表面金属电极的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。该方法包括：步骤1：化学镀前预处理；步骤2：用化学镀工艺在黑硅材料表面沉积一层过渡层；步骤3：干燥；步骤4：用蒸发或溅射工艺在过渡层上沉积金属电极层；步骤5：退火；步骤6：光刻形成电极形状。本发明利用化学镀的自催化镀膜原理，在金属电极与黑硅表面增加了一层化学镀层作为过渡层，能够提高金属电极与黑硅材料表面的结合力，降低接触电阻；本发明用于基于黑硅材料的硅光电探测器或太阳能电池，能有效提高器件效率及响应速度且制备工艺简单、成本较低。
-
公开(公告)号：CN103342474A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310234932.8
申请日：2013-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造导电聚合物和纳米材料的薄膜的方法，纳米材料首先与铁离子层结合，然后通过气相聚合后可以获得导电聚合物超薄层。同时LB膜沉积可以形成大面积纳米材料的有序排布。因此，获得的导电聚合物和纳米材料的薄膜具有厚度超薄、比表面积大并可大面积制备的优点；并且方法简单，易于操作。
-
公开(公告)号：CN103009730A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210541546.9
申请日：2012-12-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造复合纳米薄膜的方法，包括：将有机纳米材料溶于第一溶剂中，获得第一分散溶液；将聚乙烯醇溶于第二溶剂中，获得第二分散溶液；提供基片并对基片进行亲水处理；将基片浸入所述第二分散溶液中形成聚乙烯醇薄膜；将基片浸入第一分散溶液中形成有机纳米材料薄膜；重复前两个步骤至少一次，形成复合纳米薄膜；从基片上剥离复合纳米薄膜。本发明的实施例中，使用有机纳米材料与聚乙烯醇形成复合纳米薄膜，形成的复合纳米薄膜具有良好的耐水性。
-
公开(公告)号：CN102969407A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210541719.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造硅基增强红外吸收光电探测器的方法，包括：提供硅衬底材料；在硅衬底材料上形成周期性槽状结构，获得红外吸收增强层；在红外吸收增强层上形成势垒增强层；在势垒增强层上形成电极层。本发明的实施例中，红外吸收增强层包括周期性槽状结构，可以有效提高红外波段吸收，并且在电极与吸收增强层之间增加了势垒增强层，可以有效增加势垒层高度，从而降低暗电流以及抑制噪声。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102842651A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210344396.2
申请日：2012-09-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/028
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造黑硅结构的方法，包括：获取P型硅衬底；在P型硅衬底上形成黑硅层；在黑硅层中掺入受主杂质，形成掺杂的黑硅层。本发明的实施例中，制成的黑体结构对可见光以及近红外光波段有良好的吸收性能、噪声电流低、信噪比高、并且操作简单、成本较低。
-
公开(公告)号：CN102800572A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210326807.5
申请日：2012-09-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/223 , H01L29/205
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造镁掺杂半导体薄膜的方法，包括：获取基底材料；在基底材料上形成氮化镓层；在氮化镓层上形成镁掺杂的铝镓氮层并使铝镓氮层中铝的含量从靠近氮化镓层的部分到远离氮化镓层的部分线性变化。本发明的实施例中，在非有意掺杂的氮化镓上形成铝含量发生变化的铝镓氮层，同时掺杂微量镁元素。由于氮化铝和氮化镓的自极化效应及极化强度呈规律性变化，从而在该铝镓氮层中形成内建电场，该内建电场排斥负性载流子，吸引正性载流子，因此诱导自由空穴集中于铝镓氮层中，从而提高了提高正性载流子浓度，极大地提高了镁的掺杂效率。
-
公开(公告)号：CN102718408A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210205758.X
申请日：2012-06-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造气体敏感薄膜的方法，包括：将氧化剂和纳米结构材料溶于溶剂中；将混合溶液涂敷于基片上；将基片置入导电聚合物单体气氛中第一时间。本发明实施例中，将氧化剂和纳米结构材料混合溶液涂敷于基片上可以在基片上获得氧化剂/纳米结构材料复合纳米薄膜，然后基片置入导电聚合物单体气氛中一段时间，这样，可以通过简单的化学气相聚合方法修饰氧化剂/纳米结构材料复合纳米薄膜而获得导电聚合物/纳米结构材料复合纳米薄膜，该复合纳米薄膜作为气体敏感薄膜。该方法成本低，可以廉价的实现薄膜的大面积制备，且简单的单体化学气相聚合过程保证了获得的导电聚合物/纳米结构材料复合纳米薄膜结构的性能稳定性。
-
公开(公告)号：CN116490008A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310261172.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高效铅锡混合钙钛矿太阳能电池的制备方法，通过在钙钛矿前驱体添加1‑4FP分子、在PEDOT:PSS中添加CsI粉末来改善Pb/Sn钙钛矿同步结晶，提升无机铅锡混合钙钛矿的成膜质量，从而提升铅锡混合钙钛矿太阳能电池的稳定性及光电转化效率，包括下述步骤：首先对导电基底做紫外臭氧处理，再采用旋涂的方法制备空穴传输层，而后进行退火处理；然后将钙钛矿前驱体溶液和1‑4FP/苯甲醚溶液依次涂在上述导电基底上，并进行退火处理，形成钙钛矿层；再次采用旋涂法在上述基底上制备电子传输层和缓冲层；最后在缓冲层上利用热蒸镀制备金属电极，得到所述高效铅锡混合钙钛矿太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN116322080A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310261164.9
申请日：2023-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于混蒸工艺具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池制备方法，其制备的无机铅锡钙钛矿薄膜的质量要高于溶液法，在蒸镀过程中通过调整PbI2与SnI2的比例来调整无机铅锡钙钛矿的带隙，拓宽器件的吸收光谱，从而提升无机铅锡混合钙钛矿太阳能电池的光电转化效率，包括下述步骤：首先对导电基底做紫外臭氧处理，再采用磁控溅射的方法制备电子传输层，而后进行退火处理；然后使用共混蒸工艺以不同速率将CsI、SnI2与PbI2蒸镀到电子传输层上，而后进行退火处理，形成钙钛矿层；之后采用旋涂法或蒸镀法在钙钛矿层上制备缓冲层，所述缓冲层厚度为15nm；最后在缓冲层上利用热蒸镀制备金属电极，得到所述具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
99
records
(took 0.029 seconds)
