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公开(公告)号：CN104671778B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510103530.3
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高场致应变、高储能密度无 铅 陶 瓷 介 质 材 料 ，成 分 以 通 式[(Bi0.95La0.05)0.5Na0.5]1-x-y(Bi0.5K0.5)x(Ba0.85Sr0.10Mg0.05)yTi1-u-vCu(A1/2B1/2)vO3来表示，其中A为三价金属元素，选自Al、Fe、Cr、Mn、Co、Y、与Ga的一种或两种，B为五价金属元素，选自Nb、Sb、Ta与V的一种或两种，C为四价金属元素，选自Zr、Mn、Hf与Sn的一种。x、y、u、v表示摩尔分数，0.005≤x≤0.2，0.005≤y≤0.2，x+y≤0.3，0.005≤u≤0.3，0.005≤v≤0.3，u+v≤0.4。本发明采用冷等静压成型，可获得均匀致密的陶瓷组织。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高场致应变、高储能陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高场应变，储能密度可达1.2J/cm3，储能效率可达59%，高场应变可达0.28%，环境友好、损耗低、实用性好。
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公开(公告)号：CN103553338B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310473495.5
申请日：2013-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明涉及一种高储能的硼酸盐微晶玻璃介质材料及其制备方法，其制备方法是以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为主要起始原料，掺杂不同含量SrF2和Gd2O3，按照设定的组成配料，配合料经湿法球磨混匀、烘干，然后在1350℃熔化保温30-60min熔化成均匀的玻璃液，再经快速成型、退火得到高致密度、无气孔的均匀基础玻璃，然后基础玻璃在一定温度下晶化热处理得到微晶玻璃电介质材料。由该方法制备微晶玻璃材料的介电常数30-136可调，直流击穿强度879-1210kV/cm可调，储能密度最高达6.94J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制造。
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公开(公告)号：CN104891989A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510244734.9
申请日：2015-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷及其制备方法，制备方法采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷，其中：0.05≤x≤0.3，M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4？J/cm3，可承受最高交流电压介于115~210？kV/cm之间。
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公开(公告)号：CN104710174A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510104203.X
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高压电、高储能密度无铅陶瓷介质材料，成分以通式(0.95-x-y-z)Bi0.5Na0.5TiO3–xBi0.5K0.5 TiO3–yBa0.65Sr0.35Ti-O3–zK0.5Na0.5NbO3 –0.05LiTaO3来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0.002≤x≤0.3，0.002≤y≤0.2，0.001≤z≤0.3。本发明采用放电等离子烧结，可在低烧结温度下获得均匀致密的陶瓷组织。本发明的压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高压电常数，储能密度可达1.75J/cm3，储能效率可达65%，压电常数d33可达682pm/V、实用性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104193336A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410436326.9
申请日：2014-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种低烧微波介质陶瓷材料，其结构表达式为：(Li0.5Re0.5)xBi1-xWxV1-xO4，式中：Re=La、Nd、Sm、Dy或Gd，0.05≤x≤0.1。其制备方法是将BiVO4与Li0.5Re0.5WO4按(Li0.5Re0.5)xBi1-xWxV1-xO4(Re=La,Nd,Sm,Dy,Gd，0.05≤x≤0.1)进行复合，通过低温烧结获得。该陶瓷材料的固有烧结温度低，微波性能优异：Er为60～80，Qxf值高，Tcf小且可调，能够满足LTCC技术要求，可广泛应用于卫星通信、卫星定位、移动通信等系统，用于谐振器、滤波器、振荡器、放大器、介质天线等微波元器件的制造，为中高介电常数的低温共烧陶瓷材料提供了新的选择。
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公开(公告)号：CN104164586A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410434116.6
申请日：2014-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C22C5/06 , C22C1/05 , C22C32/00 , H01H1/0237
Abstract: 本发明公开了一种银基导电陶瓷电触头材料及其制备方法，其成分（质量分数）为：Ag80%~90%,BaSn1-xsbxO36%~20%,添加物0.1%~2.0%。制备方法：先将一定比例的合金粉末混粉，在合金粉末经过高能球磨，然后冷等静压成型、二步烧结，复压、二步烧结得到成品。经高能球磨后，陶瓷颗粒均匀的弥散分布在Ag基体中，同时产生大量的组织缺陷，增加了粉末的活性，使其在烧结阶段致密化。由此法获得的电触头材料具有导电、导热性好、耐电蚀性能强、抗熔焊性能强及电导率高等特点。
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公开(公告)号：CN104108935A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410350865.0
申请日：2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示，其中x表示摩尔分数，0 700oC，绿色环保。
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公开(公告)号：CN104108930A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410349447.X
申请日：2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi1/2Na1/2TiO3-x(La，Bi)2/3TiO3+zRE2O3来表示，其中RE2O3为稀土氧化物，(La，Bi)中La∶Bi=1∶1(摩尔比)，x与z表示摩尔分数，0＜x＜0.3，0＜z≤0.1。本发明的高温稳定型介电陶瓷采用电子陶瓷制备工艺制备而成，采用二次预烧增加陶瓷成分与结构的均匀性，降低陶瓷烧结的工艺敏感性。制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷材料高温介电温度稳定性好，介电常数大，具有低的介电性能温度系数，适合高温MLCC介质使用。
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公开(公告)号：CN103172370B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310081345.X
申请日：2011-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0
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