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公开(公告)号：CN214380830U
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202120250069.5
申请日：2021-01-28
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H03F3/217
Abstract: 本实用新型提供了一种基于支路并联双扇形微带线的混合EFJ类功率放大器，包括输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路。其中，输入匹配网络的输入端与功率输入端相连接，其输出端与晶体管的栅极连接，栅极偏置电路与栅极并联，晶体管的漏极接输出匹配电路，漏极偏置电路与漏极并联，输出匹配电路的输出端作为功率输出。
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公开(公告)号：CN214315212U
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202120296458.1
申请日：2021-02-02
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于发夹式微带带通滤波器的F类功率放大器，包括输入匹配网络、栅极偏置网络、晶体管、谐波控制网络、漏极偏置网络、发夹式微带带通滤波器。相对于现有技术，本实用新型中提出的新型输出匹配网络由谐波控制网络和发夹式微带带通滤波器组成，将谐波控制网络和漏极偏置网络进行结合来抑制二次谐波和三次谐波的同时，使晶体管最佳负载阻抗转换为滤波器所需的输入实阻抗。而且，发夹式结构的微带带通滤波器具有小型化和良好带内特性等特点。在使输出匹配结构变得更加紧凑的前提下，提高了所设计的功率放大器在频带内的输出功率和漏极效率。
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公开(公告)号：CN212011245U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202020288436.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了低剖面高隔离度双极化基站天线，其特征在于，该天线包括第一基板、铜反射板、设置在该第一基板上表面的辐射贴片以及设置在该第一基板与铜反射板之间的馈电部分；其中：馈电部分至少包括第二基板和第三基板，第二基板和第三基板以±45°相互垂直交叉并以平面垂直的方式与第一基板和铜反射板固定连接；第二基板和第三基板设置相同贴片层并分别形成第一环天线和第二环天线，第一环天线和第二环天线以±45°相互垂直；第一同轴馈线和第二同轴线分别与第一环天线和第二环天线电气连接。本实用新型具有超宽带、低剖面、高隔离度、小型化、高增益等有益效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211045963U
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201921930218.1
申请日：2019-11-11
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本实用新型公开了一种基于多指栅结构的太赫兹辐射源器件，其包括沟道层、沟道提供层、源极和漏极，该沟道层中感生有二维电子气(2DEG)沟道；且在沟道提供层上交替排布有两组栅极，当在该两组栅极上分别施加不同电压时，则位于该两组栅极下方的沟道区域及位于任意两个相邻栅极之间区域正下方的沟道区域中的2DEG浓度将存在差异，从而在这些沟道区域之间形成2DEG浓度差界面，继而若在源、漏极之间加载电压，将在沟道中构建周期性浓度差的驻波振荡结构，由此产生太赫兹辐射。本实用新型的太赫兹辐射源器件具有易于激发、高功率、可调制和便于小型化等优点，辐射频率可以在0.3THz-1.9THz范围内调整，轻便、易于集成，适于在多个领域广泛应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210780690U
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201922483856.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
IPC: H03F3/217
Abstract: 本实用新型公开了一种新型合路的宽带Doherty功率放大器，包括威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路、负载调制网络和后匹配网络，威尔金森功分器将输入功率进行等分后分别输出给所述载波功率放大电路和峰值功率放大电路，所述载波功率放大电路的输出端和所述峰值功率放大电路的输出端与所述负载调制网络相连接，所述负载调制网络与所述后匹配网络相连接，经所述负载调制网络将功率输出给所述后匹配网络，经所述后匹配网络将功率输出给负载。本实用新型减小载波功率放大器输出端阻抗变换线的阻抗变换比；并在合路端使用简化实频法优化的后匹配网络，替代四分之一波长线实现到负载的宽带匹配，拓展Doherty功率放大器的工作带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210723344U
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201921824888.5
申请日：2019-10-28
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种基于复合左右手传输线的高增益波束扫描天线，所述天线由周期性漏波天线和人工电磁结构两部分组成；其中，周期性漏波天线由辐射贴片、通孔、地、同轴馈电部分以及Rogers5880基板组成，人工电磁结构由环形贴片阵列和FR4基板组成，该周期漏波天线在4‑6Ghz内的S11均小于‑10dB,最大增益达到12.47dBi，扫描范围可达‑60～+60，通过在周期漏波天线上加载人工电磁结构，在不改变扫描范围的情况下将其增益提高了2dB左右。在雷达系统中具有很好的应用价值。
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公开(公告)号：CN210053382U
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201921167343.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种连续逆F类和J类混合的宽带Doherty功率放大器，包括宽带威尔金森功分器、相位补偿线、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和宽带后匹配电路。载波功率放大电路中包括载波宽带输入匹配电路、载波放大器晶体管和阻抗变换器；峰值功率放大电路中包括峰值宽带输入匹配电路、峰值放大器晶体管、峰值谐波控制/抑制网络、峰值基波调谐网络和反向相位补偿线；宽带后匹配电路中包括载波谐波控制网络和后匹配调谐网络。载波放大器在饱和输入功率时工作在连续逆F类模式，在输入功率回退6dB时工作在J类模式，峰值放大器在饱和输入功率时工作在连续逆F类模式，在输入功率回退6dB时不工作。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214756255U
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202120814552.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 杭州通频电子科技有限公司 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种基于谐波控制的混合高效功率放大器，其中输入匹配网络的输入端为功率输入端，其输出与晶体管的输入端相连接，将晶体管源牵引得到的最佳源阻抗匹配到50欧姆输入端口；栅极偏置电路和漏极偏置电路为晶体管提供工作电压以及阻断射频信号流入电源；晶体管，对输入信号进行放大；谐波控制网络与晶体管的输出端相连接，对二次谐波和三次谐波的阻抗分布进行控制，在带宽内同时实现连续F类和连续逆F类的混合工作模式；基波匹配电路将晶体管负载牵引得到的最佳负载阻抗通过谐波控制网络后的阻抗匹配至50欧姆的负载端。本实用新型实现对二次谐波和三次谐波的精确控制，能够使功率放大器在宽带下保持高效率。
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公开(公告)号：CN212435649U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021265221.9
申请日：2020-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器，包括输入匹配网络、晶体管、谐波控制网络、漏极宽带补偿电路以及基波匹配网络，其中，输入匹配网络的输入端接入功率信号，其输出端与晶体管的栅极相连接；晶体管漏极与源极之间并接漏极宽带补偿电路，漏极宽带补偿电路用于根据功率信号补偿所需的输出电容；晶体管漏极与谐波控制网络的输入端相连接，谐波控制网络的输出端与基波匹配网络的输入端相连接，基波匹配网络的输出端作为功率输出端，匹配到所需要的最终阻抗值。本实用新型提出用于漏源输出电容的新型宽带补偿电路结构，能够根据输入功率信号获得所需的晶体管输出电容，改善了混合EF类功率放大器的工作频率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211744430U
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202020629648.6
申请日：2020-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了非对称Chireix合成架构，包括第一支路和第二支路，所述第一支路设置第一功率放大器，所述第二支路设置第二功率放大器，所述第一功率放大器的输入端与第一信号相连接，所述第二功率放大器的输入端与第二信号相连接，所述第一信号和第二信号为非对称恒包络相位调制信号；所述第一功率放大器和第二功率放大器的输出端与非对称Chireix功率合成器相连接。采用本实用新型的非对称Chireix合成架构，具有比传统Chireix合成架构小的异相角，能够改善传统Chireix合成架构的输出效率，而且能改善传统Chireix合成架构只能在单一频点高效率输出，拓展了带宽。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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