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公开(公告)号：CN118155665A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310997057.2
申请日：2023-08-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高记录密度的磁记录介质及磁记录装置。根据实施方式，磁记录介质包括第1～第3磁性区域。第2磁性区域位于第3磁性区域与第1磁性区域之间。第1磁性区域中的Pt原子浓度相对于Co原子浓度的第1组成比、以及第3磁性区域中的Pt原子浓度相对于Co原子浓度的第3组成比高于第2磁性区域中的Pt原子浓度相对于Co原子浓度的第2组成比。第2磁性区域与第1磁性区域之间的沿着第1方向的距离比第3磁性区域与第2磁性区域之间的沿着第1方向的距离长。或者，第1磁性区域从第2磁性区域离开，第3磁性区域与第2磁性区域相接。
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公开(公告)号：CN116911400A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310114260.0
申请日：2023-02-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够进行高精度的数据处理的数据处理装置、数据处理系统以及数据处理方法。根据实施方式，数据处理装置包括处理部。处理部能够在第1动作中根据基于第1取得数据和第1其他数据的第1生成数据来生成第1机器学习模型。第1其他数据包括Np行D1列的第1其他特征量矩阵和Np行的第1其他标签。第1取得数据包括N1行D1列的第1特征量矩阵和N1行的第1取得标签。第1生成数据包括(Np+N1)行(3×D1)列的第1生成矩阵和(Np+N1)行的第1生成标签。(Np+N1)/D1为250以上。
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公开(公告)号：CN115910116A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210070371.1
申请日：2022-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够实现记录密度的提高的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头及控制部。磁头包括第1磁极、磁元件及线圈，磁元件包括磁性层。控制部与磁元件及线圈电连接。控制部能够向线圈供给记录电流且向磁元件供给元件电流。记录电流包括第1极性的第1期间、与第1极性不同的第2极性的第2期间、从第1期间向第2期间转变的第3期间及从第2期间向第1期间转变的第4期间。元件电流包括直流成分和交流成分。第1期间中的交流成分与第2期间中的交流成分、第3期间中的交流成分及第4期间中的交流成分相同。
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公开(公告)号：CN113763993B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110210042.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/127
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第4非磁性层。第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第3磁性层包括第1元素和第2元素，第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。
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公开(公告)号：CN115472184A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210084245.1
申请日：2022-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包含第1磁极、第2磁极、磁性元件和磁性部件。磁性元件设置于第1磁极与第2磁极之间并包含第1磁性层。磁性部件包含第1磁性部。从第1磁性部向磁性元件的第2方向与从第1磁极向第2磁极的第1方向相交叉。第1磁性部包含磁性材料。磁性材料包含第1材料、第2材料和第3材料中的至少任一方。第1材料包含从由Mn3Sn、Mn3Ge和Mn3Ga构成的群中选择的至少一个。第2材料包含从由包含Mn和Ni的立方晶或正方晶的化合物、包含γ相的Mn的立方晶合金、以及包含Fe的立方晶合金构成的群中选择的至少一个。第3材料包含反铁磁性体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114927147A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110858621.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
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公开(公告)号：CN101192419A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196337.4
申请日：2007-11-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 前田知幸
Abstract: 公开了一种垂直磁记录介质(10)和磁记录/再现设备，其中磁记录层(4)具有层叠结构，包括硬磁性记录层(4－1)和软磁性记录层(4－2)，其中每一层都具有磁性晶粒和晶界区域；在所述硬磁性记录层(4－1)中的磁性晶粒包含钴和铂，具有hcp结构，且取向于(001)平面中；当施加垂直于所述基底表面的磁场时，在磁化曲线上，所述磁记录层具有不超过0.95的剩余矩形比和不超过0 Oe的不可逆反转磁场。
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公开(公告)号：CN1674105A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059497.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本发明公开了一种垂直磁记录媒体，该垂直磁记录媒体包括：非磁性衬底；第一垫层，形成在该非磁性衬底上，主要由从包括Fe2O3、Co3O4、MgO、MoO3、Mn3O4、SiO2、Al2O3、TiO2以及ZrO2的组中选择的至少两种构成，而且具有以柱形生长的晶粒和包围该晶粒的晶粒边界；非磁性第二垫层，形成在第一垫层上，而且具有生长在第一垫层的晶粒上、具有面心立方晶格结构和六方紧密堆积结构之一的晶粒；磁性层，形成在第二垫层上；以及保护层，形成在该磁性层上。
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公开(公告)号：CN114974318B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202110857056.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置于第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置于第2磁极与第3磁性层之间的第4磁性层、设置于第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置于第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层、设置于第4磁性层与第3磁性层之间的第4非磁性层、以及设置于第2磁极与第4磁性层之间的第5非磁性层。第2非磁性层与第2、第1磁性层相接。第3非磁性层与第3、第2磁性层相接。第4非磁性层与第4、第3磁性层相接。
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公开(公告)号：CN118782105A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410182976.9
申请日：2024-02-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 提供能提高记录密度的磁记录介质及磁记录装置。根据实施方式，磁记录介质包括第1～第5磁性区域。所述第1磁性区域中的第1Pt原子浓度相对于所述第1磁性区域中的第1Co原子浓度的第1组成比高于所述第2磁性区域中的第2Pt原子浓度相对于所述第2磁性区域中的第2Co原子浓度的第2组成比。所述第3磁性区域中的第3Pt原子浓度相对于所述第3磁性区域中的第3Co原子浓度的第3组成比高于所述第2组成比，且高于所述第4磁性区域中的第4Pt原子浓度相对于所述第4磁性区域中的第4Co原子浓度的第4组成比。所述第5磁性区域中的第5Pt原子浓度相对于所述第5磁性区域中的第5Co原子浓度的第5组成比高于所述第4组成比。
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