半导体微波加热装置
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106211406A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610562645.3

    申请日:2016-07-13

    CPC classification number: H05B6/64

    Abstract: 在本发明公开的半导体微波加热装置中,腔体呈长方体状,腔体的长度为300mm-360mm,宽度为220mm-280mm,高度为66mm-126mm,腔体左侧壁开设有第一馈入口,腔体右侧壁开设有第二馈入口。第一馈入口设置有第一天线,第一天线的第一天线杆的馈入端的圆心距腔体的后面的距离为68mm-78mm,距腔体的顶面的距离为40mm-50mm,第一天线杆为圆锥天线。第二馈入口设置有第二天线,第二天线的第二天线杆与第二天线的第三天线杆垂直连接,第二天线杆的馈入端的圆心距腔体的后面的距离为145mm-155mm,距腔体的顶面的距离为55mm-65mm,第三天线杆与腔体的底面平行并指向腔体的前面板。上述半导体微波加热装置满足上述条件,可在两个馈入口获得较佳的驻波值,第一天线与第二天线的隔离度满足设计要求。

    一种用于微波加热的天线及微波加热设备

    公开(公告)号:CN105071017A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510477694.2

    申请日:2015-08-06

    CPC classification number: H05B6/72

    Abstract: 本发明涉及微波加热技术领域,公开了一种用于微波加热的天线及微波加热设备,该天线包括:传输天线杆;馈入天线杆,该馈入天线杆的第一端部与所述传输天线杆的第一端部连接,以使得所述传输天线杆和所述馈入天线杆连接后呈L型;短路天线杆,该短路天线杆的第一端部连接至所述传输天线杆和所述馈入天线杆的连接端;以及接地天线杆,该接地天线杆的第一端部连接至所述短路天线杆的第二端部,该接地天线杆的第二端部接地。本发明通过一种新型的天线来使微波源产生的微波高效地传递到被加热的食物上,不需要使用任何额外的阻抗匹配电路就能实现与微波源的阻抗匹配,结构简单,易于匹配调试。

    微波炉的半导体微波发生器连接结构和微波炉

    公开(公告)号:CN103912900A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410105584.9

    申请日:2014-03-20

    Abstract: 本发明提供了一种微波炉的半导体微波发生器连接结构和微波炉。其中,微波炉的半导体微波发生器连接结构包括:半导体微波发生器和微波输出装置,半导体微波发生器的正面或者背面设置有微波信号输出口;微波输出装置的第一端与微波信号输出口相连接,第二端与微波炉的烹饪腔体相连通。本发明提供的微波炉的半导体微波发生器连接结构,微波输出装置与半导体微波发生器的正面或者背面相连接,有效地减小了半导体微波发生器与烹饪腔体之间的最大距离,从而有效地减小微波炉的体积,使得微波的结构设计和形状设计简单方便,进而有效地降低了微波炉的制造成本。

    微波炉的天线组件及微波炉

    公开(公告)号:CN106231711B

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201610831752.1

    申请日:2016-09-19

    Inventor: 张斐娜 孙宁

    Abstract: 本发明公开一种微波炉的天线组件及微波炉。微波炉具有半导体微波源,天线组件包括:接地板;第一天线杆,第一天线杆设在接地板上且与接地板大体垂直设置,第一天线杆的一端穿过接地板与半导体微波源电连接;第二天线杆,第二天线杆设在第一天线杆上且与接地板平行设置;至少一个辅助天线组件,每个辅助天线组件设在接地板上,每个辅助天线组件包括辅助天线杆和升降装置,升降装置位于接地板的远离第二天线杆的一侧,辅助天线的一端穿过接地板与升降装置相连,升降装置适于驱动相应的辅助天线杆轴向移动以调整辅助天线杆的自由端与接地板的距离。本发明的天线组件,有利于提高微波炉的加热效率和加热的均匀性。

    半导体微波加热装置
    79.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106211406B

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201610562645.3

    申请日:2016-07-13

    Abstract: 在本发明公开的半导体微波加热装置中,腔体呈长方体状,腔体的长度为300mm‑360mm,宽度为220mm‑280mm,高度为66mm‑126mm,腔体左侧壁开设有第一馈入口,腔体右侧壁开设有第二馈入口。第一馈入口设置有第一天线,第一天线的第一天线杆的馈入端的圆心距腔体的后面的距离为68mm‑78mm,距腔体的顶面的距离为40mm‑50mm,第一天线杆为圆锥天线。第二馈入口设置有第二天线,第二天线的第二天线杆与第二天线的第三天线杆垂直连接,第二天线杆的馈入端的圆心距腔体的后面的距离为145mm‑155mm,距腔体的顶面的距离为55mm‑65mm,第三天线杆与腔体的底面平行并指向腔体的前面板。上述半导体微波加热装置满足上述条件,可在两个馈入口获得较佳的驻波值,第一天线与第二天线的隔离度满足设计要求。

    一种集成的射频信号控制电路和方法

    公开(公告)号:CN105934011B

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201610281608.5

    申请日:2016-04-28

    Abstract: 本发明涉及一种集成的射频信号控制电路和方法,包括:晶振电路,与频率综合器相连接,用于输出参考信号;控制/供电电路,与所述频率综合器相连接,用于通过SPI接口电路将参数信息置入所述频率综合器的寄存器内,控制所述频率综合器的输出;频率综合器,与巴伦电路相连接,用于根据所述寄存器内的参数信息或所述参考信号输出对应的差分射频信号;巴伦电路,与所述频率综合器相连接,用于将所述对应的差分射频信号转换成对应的单端信号。本发明实现了对射频信号进行频率、相位、大小、开和关的控制,以及确保输出功率足够大。

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