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公开(公告)号：CN109270100A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811448655.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/22
CPC classification number: G01N23/22
Abstract: 本发明属于电子显微镜测试技术领域，具体为一种适用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片。本发明的电镜原位电学测试芯片，包括硅基片和硅基片两面的绝缘层以及硅基片正面绝缘层上的金属电路；金属电路用于对样品施加或测量各种电信号；芯片外形为直径2.5–3.0 mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形，使得芯片能够放置于样品杆的样品孔内；芯片的平直边缘中部开有用于放置样品的倒梯形缺口。本发明的原位测试芯片能够用于传统的3mm直径样品孔，可用于多种条件下的原位透射电镜观测；同时放置样品的位置在芯片边缘，便于使用聚焦离子束工艺制备样品。
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公开(公告)号：CN107482178A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710548471.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M10/0525 , C01G33/00
Abstract: 本发明属于纳米材料的合成技术领域，具体为一种中空TiNb2O7微球的制备方法。本发明首先选用葡萄糖作为碳源，去离子水作为溶剂，通过溶剂热法合成出分散均匀，尺寸均一的碳球，然后以异丙醇钛作为钛源，五氯化铌作为铌源，乙醇作为溶剂，通过搅拌混合得到均匀分散的悬浊液，最后通过溶剂热法成功制备得到具有较大比表面积的中空TiNb2O7微球。该材料由于具有较高的理论比容量(388 mA h g-1)，较高的放电电压平台(1.65 V)，以及较大的比表面积，因此其有望成为一种新型的锂离子电池负极材料。除此之外，本发明制备工艺简单，原料来源广泛，生产成本很低，因此其具有非常广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN104787733B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510163848.0
申请日：2015-04-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米功能材料领域，具体为一种二碲化锰纳米颗粒及其制备方法。本发明首次成功制备出二碲化锰纳米颗粒，通过在碲前驱体中引入强还原剂三乙基硼氢化锂，在油胺和油酸不同表面活性剂作用下，分别得到无晶面缺陷和有晶面缺陷的MnTe2纳米颗粒。锰的碲化物因其特殊的电子结构而具有非常重要的电子、光学和运输性质，它的电子行为在半导体和金属之间变化，也是一类重要的反铁磁性半导体，研究它们的合成可以有助于各种稀磁半导体和磁自旋器件的设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102557059B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201210006773.1
申请日：2012-01-11
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明属于纳米功能材料技术领域，具体为一种二硒化锰纳米棒及其制备方法和应用。本发明通过调节表面活性剂PVP的添加量，得到具有不同长径比的二硒化锰纳米棒，并表现出良好的微波吸收性能。该二硒化锰纳米棒的长径比为15~70，最小反射损失随着长径比的增加而减少，最小达到-12.72dB。另外，该纳米材料的制备成本低、效率高，更易于工业放大以解决实际应用问题，作为一类广泛用于电磁屏蔽和微波吸收的新型吸波材料，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102557059A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210006773.1
申请日：2012-01-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米功能材料技术领域，具体为一种二硒化锰纳米棒及其制备方法和应用。本发明通过调节表面活性剂PVP的添加量，得到具有不同长径比的二硒化锰纳米棒，并表现出良好的微波吸收性能。该二硒化锰纳米棒的长径比为15~70，最小反射损失随着长径比的增加而减少，最小达到-12.72dB。另外，该纳米材料的制备成本低、效率高，更易于工业放大以解决实际应用问题，作为一类广泛用于电磁屏蔽和微波吸收的新型吸波材料，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN209495986U
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201821991585.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/22
Abstract: 本实用新型属于电子显微镜测试技术领域，具体为一种适用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片。包括硅基片和硅基片两面的绝缘层以及硅基片正面绝缘层上的金属电路；金属电路用于对样品施加或测量各种电信号；芯片外形为直径2.5–3.0 mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形，使得芯片能够放置于样品杆的样品孔内；芯片的平直边缘中部开有用于放置样品的倒梯形缺口。本实用新型的原位测试芯片能够用于传统的3mm直径样品孔，可用于多种条件下的原位透射电镜观测；同时放置样品的位置在芯片边缘，便于使用聚焦离子束工艺制备样品。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209495985U
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201821991580.5
申请日：2018-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N23/22
Abstract: 本实用新型属于电子显微镜测试技术领域，具体为一种直流至微波频率的透射电镜原位高频电学测试芯片，包括硅基片和绝缘层，以及在硅基片正面绝缘层上的金属电路；所述金属电路至少包含两个金属电极，分别用于接地和信号输入；金属电极靠近样品一侧用50–75Ω的并联电阻相连，以实现与微波信号输入端的阻抗匹配；正面绝缘层总厚度1.5–5.0μm，使得电极与硅片的寄生电容小于1pF；金属电极延伸至用于放置样品的窗口上或窗口外0–20μm；信号输入电极近样品端引出有测量电极，用于信号的原位测量。采用本实用新型的透射电镜原位测试芯片，可以实现0–6GHz内的任意波形信号下的原位测试，拓展了原位电镜的应用范围。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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