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公开(公告)号：CN108467045B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201810486582.7
申请日：2018-05-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/158 , C01B33/159
Abstract: 一种以化学液相沉积制备双硅源体系自疏水气凝胶的方法，本发明涉及二氧化硅气凝胶的制备方法。本发明是要解决现有的以含疏水基团的硅源制备的二氧化硅气凝胶透光率差以及易碎或孔隙率、比表面积低的技术问题。本法：一、长链三烷氧基硅烷和正硅酸乙酯作为硅源配置前驱体溶液，加热水解得到水解液；二、向水解液加碱液，静置得到湿凝胶；三、把湿凝胶置于部分亲水化的聚二甲基硅油的乙醇溶液中处理，再老化；四、溶剂置换；五、干燥，得到自疏水气凝胶。本发明的气凝胶的密度为0.15～0.2g/cm3，比表面积300～800m2/g，接触角为156.22°～150°，可见光透过率为70％～90％，可用于隔热保温、污水处理领域。
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公开(公告)号：CN110723973A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911053429.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种高温稳定SiBCN复合陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：制备聚硅氮烷先驱体将起始反应物与溶剂混合后配制成溶液，溶剂与起始反应物的质量比为(4～10)：1，在20～80℃的温度条件下搅拌，同时通入3～6h氨气，待反应结束后，回收溶剂，将产物干燥后得到聚硅氮烷先驱体。本发明采用前驱体转化法和机械合金化相结合的方法，以丙烯腈三氯硅烷作为起始物，提出一种稳定性、耐腐蚀性好的SiBCN陶瓷粉末的全新制备方法。
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公开(公告)号：CN110668447A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911054722.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/977 , B82Y40/00
Abstract: 碳化硅纳米线的合成方法，它涉及一种碳化硅纳米线的合成方法。本发明是为了解决现有制备碳化硅纳米线的方法原材料浪费严重、成本高、结构不均匀、长径比低的技术问题。本方法如下：将处理后的生长基底放于坩埚内硅树脂的上方，将坩埚放于真空高温炉中在升温，保温，降温，即得。该方法在生长SiC纳米线的同时，在模具内部生成SiC纳米颗粒，这样可以极大的提高原料利用率从而降低了成本，同时合成了链珠状的SiC纳米线，特殊的链珠状结构使其在复合材料、场致发射体、光催化剂、储氢及疏水表面具有更大的应用潜力。链珠状纳米线的生成同时伴有超长超直的SiC纳米线的生成。产品结构均匀。本发明属于纳米线的制备领域。
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公开(公告)号：CN110294687A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910675181.0
申请日：2019-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07C231/24 , C07C233/65
Abstract: 一种溶剂调控戊炔草胺晶习的方法，它涉及一种调控戊炔草胺晶习的方法。本发明的目的是要解决现有戊炔草胺的晶习不统一的问题。方法：一、配置饱和溶液；二、升温处理；三、结晶即得到戊炔草胺晶体。优点：通过溶剂调控戊炔草胺晶习的工艺，技术操作简单，产品晶体结构完整、形貌均一、纯度高。本发明主要用于调控戊炔草胺晶习。
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公开(公告)号：CN108166063B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201711434604.7
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法，它涉及一种硒化镉单晶气相生长方法。本发明目的是要解决现有的生长CdSe晶体的高压布里奇曼法设备复杂，且易发生爆炸，而温梯熔体区熔法与气相提拉法的晶向不可控、光学品质差的问题。一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法：一、制备籽晶片；二、装料得到装料密封石英管；三、晶体生长：①、活化；②、生长；四、后处理，在籽晶片表面得到硒化镉单晶体。优点：中远红外波段的透过率达到65％以上。本发明主要用于硒化镉单晶气相生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109161970A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811181541.3
申请日：2018-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种可视三温区硒化镓单晶生长装置及生长方法，它涉及晶体的生长装置及生长方法。本发明是要解决现有的坩埚下降法生长的硒化镓单晶应力分布不均匀、透过率低的技术问题。本发明的置包括外套筒、内套筒、加热电阻丝、环形腔、反射膜、测温热电偶、端盖和保温塞；其中反射膜附于外套筒的内壁；透明材质的外套筒和内套筒之间的环形腔为真空腔，加热电阻丝设置在环形腔中。方法：将硒化镓籽晶放在PBN舟中，并悬空倾斜密封于真空石英管中，将石英管放在生长装置中部，调节三个温区的温度梯度，先将籽晶部分熔化且多晶料全部熔化，然后再降温固化，最后降至室温，得到硒化镓单晶，该单晶的透过率达到64％～66％，可用于民用和国防领域。
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公开(公告)号：CN108554444A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810430415.0
申请日：2018-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B01J29/89 , B01D53/9418 , B01D2251/204 , B01D2257/502 , B01J29/40 , B01J35/002 , B01J35/026 , B01J37/10 , B01J2229/183
Abstract: 一种多级孔Ti-ZSM-5分子筛汽车尾气催化剂的制备方法，本发明涉及汽车尾气催化剂的制备方法。本发明是要解决现有的汽车尾气净化催化剂成本高、耐高温性能低的技术问题。本方法：一、制备钛源溶液；二、制备硅源溶液；三、将钛源溶液滴加到硅源溶液中搅拌，得到混合母液；四、将混合母液加入反应釜中晶化，然后洗涤、干燥，得到前驱体；五、将前驱体焙烧，得到催化剂。该催化剂在550℃以上时NO转化率可达到94～98.5％，CO转化率可达到85.2～88.6％，可处理高温的汽车尾气。
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公开(公告)号：CN108467045A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810486582.7
申请日：2018-05-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/158 , C01B33/159
Abstract: 一种以化学液相沉积制备双硅源体系自疏水气凝胶的方法，本发明涉及二氧化硅气凝胶的制备方法。本发明是要解决现有的以含疏水基团的硅源制备的二氧化硅气凝胶透光率差以及易碎或孔隙率、比表面积低的技术问题。本法：一、长链三烷氧基硅烷和正硅酸乙酯作为硅源配置前驱体溶液，加热水解得到水解液；二、向水解液加碱液，静置得到湿凝胶；三、把湿凝胶置于部分亲水化的聚二甲基硅油的乙醇溶液中处理，再老化；四、溶剂置换；五、干燥，得到自疏水气凝胶。本发明的气凝胶的密度为0.15～0.2g/cm3，比表面积300～800m2/g，接触角为156.22°～150°，可见光透过率为70％～90％，可用于隔热保温、污水处理领域。
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公开(公告)号：CN108166063A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711434604.7
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法，它涉及一种硒化镉单晶气相生长方法。本发明目的是要解决现有的生长CdSe晶体的高压布里奇曼法设备复杂，且易发生爆炸，而温梯熔体区熔法与气相提拉法的晶向不可控、光学品质差的问题。一种顶部籽晶导热的硒化镉单晶气相生长方法：一、制备籽晶片；二、装料得到装料密封石英管；三、晶体生长：①、活化；②、生长；四、后处理，在籽晶片表面得到硒化镉单晶体。优点：中远红外波段的透过率达到65％以上。本发明主要用于硒化镉单晶气相生长。
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公开(公告)号：CN107675251A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710900796.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法，它涉及一种硒化镉多晶材料的合成方法。本发明的目的是要解决现有硒化镉合成方法存在反应温度高，耗时长，且生产的硒化镉纯度低的问题。气相合成方法：一、称取单质硒和单质镉；二、气相合成：①、反应区加热；②、冷凝区控温；③、单质硒气化；④、单质镉气化；⑤、气相合成，硒化镉多晶以固态形式沉积，未充分反应的气态单质硒与气态单质镉流至冷凝区并沉积，冷却至室温，得到硒化镉多晶粉体。优点：降低了反应温度，缩短合成时间。提高硒化镉多晶粉体纯度，纯度＞99％。本发明主要用于气相合成高纯硒化镉多晶。
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