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公开(公告)号：CN105834175A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610251732.7
申请日：2016-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B08B9/027 , B08B2209/027 , F03H1/0087
Abstract: 霍尔推力器放电通道污染膜自清洗方法，涉及一种霍尔推力器放电通道的清洗方法。为了解决现有的霍尔推力器自清洗方法适用性差的问题。包括：首先，在自清洗电源的作用下，阳极向气体分配器运动的电子与从气体分配器注入的推进剂的原子发生碰撞，产生电离，生成自清洗离子；然后，控制内线圈或外线圈单独励磁形成磁场，所述自清洗离子在由内线圈或外线圈形成的磁场作用下，轰击放电通道的外壁面或内壁面，清除附着在放电通道的外壁面或内壁面的污染膜，实现放电通道污染膜的自清洗。无需拆解推力器对放电通道9内壁面和外壁面上附着的污染膜进行清洗。
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公开(公告)号：CN105736273A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610221522.3
申请日：2016-04-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: F03H1/0081 , H01F7/00
Abstract: 一种大高径比霍尔推力器的磁路结构，属于航天电推进技术和等离子体技术领域，本发明为解决霍尔推力器保持体积不增加的情况下，为了增大放电通道高径比存在磁路结构设计不理想的问题。本发明包括上磁极板、下导磁底板、内铁芯、外导磁罩和磁屏；外导磁罩的上边沿设置环形结构的上磁极板；下导磁底板的上表面中心位置设置有圆柱形结构的内铁芯；磁屏包括外磁屏、内磁屏和磁屏底座；外磁屏为圆筒型结构，磁屏底座为圆环形平板结构，内磁屏为向下开口的喇叭型结构，内磁屏的喇叭小口端与内铁芯的侧壁之间存在间隙，内磁屏的喇叭大口端固定在磁屏底座的内环端，磁屏底座的外环端固定在外导磁罩的内侧壁上；外磁屏的下边沿固定在磁屏底座的环面上表面。
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公开(公告)号：CN114922790B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202210554919.X
申请日：2022-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于ICP内耦合放电的射频离子推力器，属于等离子体推进技术领域。将镀有保护膜的螺旋状线圈置于电离室内，且螺旋状线圈的中心线和电离室的中心线共轴，螺旋状线圈的中心线到电离室的内侧壁的距离与螺旋状线圈的直径相同，可以减小推进工质与射频天线间的距离，改善电离室中的感应电场分布，有效增大电离密度，改善等离子体分布不均的问题，从而能够提高现有射频离子推力器的电离程度，改善推力器性能。
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公开(公告)号：CN117803547A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410040596.1
申请日：2024-01-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种霍尔推力器分布式供气结构及供气调节方法，包含阳极气体分配器、壁面气体分配器和绝缘底板；壁面外侧二级挡板和壁面内侧二级挡板分别固定在壁面底座及一级挡板上，壁面外侧二级挡板、壁面内侧二级挡板、壁面外侧三级挡板、壁面内侧三级挡板和壁面底座及一级挡板围成一个工作通道，环形金属壁面板的内侧底部布置有绝缘底板，环形金属壁面板的上部沿周向开有分别与放电通道和所述壁面气体通道相通的供气孔，绝缘底板上布置有可向所述放电通道供气的阳极气体分配器。本发明可使电离区的气体密度保持不变，保证霍尔推力器电离速率维持稳定，进而优化电离过程，完成霍尔推力器的宽流量变化范围内高效稳定放电。
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公开(公告)号：CN117703704A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410089745.3
申请日：2024-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种后加载磁场的霍尔推力器，它包含内磁极、内铁芯、底板、外磁极、外陶瓷罩、内线圈、外线圈、气体分配器、磁屏、通道绝缘陶瓷、内陶瓷和外陶瓷；磁屏为内外同心环形薄壁件，磁屏与底板分离且二者采用通道绝缘陶瓷隔离，通道绝缘陶瓷置于底板上表面，磁屏置于通道绝缘陶瓷上表面，内陶瓷与外陶瓷分别置于磁屏的内外壁顶部，且三者围成环形放电通道，磁屏内布置有气体分配器，气体分配器具有相通的一级缓冲腔和二级缓冲腔，气体分配器、磁屏内外壁、内陶瓷和外陶瓷合围形成二级缓冲腔，二级缓冲腔与放电通道内部连通。本发明在保证磁场后加载程度不变的前提下有效提高最大磁场强度，同时有利于后加载流场与磁场协同设计的实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117703703A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410036246.8
申请日：2024-01-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种高性能中置阴极霍尔推力器，包含隔热支架和阴极隔热壳；所述外磁屏为顶部开口而底部封闭的双环结构，所述外线圈固定在外磁屏内，所述外磁极固定在外磁屏的顶部；外磁屏、外磁极及外线圈形成导磁罩磁路的外励磁；所述隔热支架为顶部开口而底部封闭的双环结构，并固定在底板的上表面上，放电通道布置在隔热支架的内外环之间，且隔热支架的外环与外磁屏在轴向上与径向上均设有间隙，隔热支架的内环与内磁屏在径向上设有间隙，阴极隔热壳穿过底板并固定在底板上，并设置在阴极与内磁芯之间。本发明降低霍尔推力器磁路温度，提高推力器的热稳定性。
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公开(公告)号：CN117432604A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311527527.5
申请日：2023-11-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种氙气辅助的难电离工质霍尔推力器及其电离方法，所述方法为氙气通过气体分配器的上部缓冲腔均化后沿轴向直接进入到放电通道底部，难电离工质气体经下部缓冲腔均化后沿径向缝隙进入磁屏和分配器内壁、分配器外壁三者合围形成的空隙内，再由内金属壁、外金属壁与分配器内壁、分配器外壁之间的通道返流进入放电通道中，再沿轴向扩散到放电通道外，电离过程中，控制氙气与难电离工质气体的供气流量，始终保持难电离工质气体的体积流量大于氙气的体积流量，通过调节通道上游氙气的注入比例，优化通道内电离过程，提升后加载磁场霍尔推力器比冲和效率。本发明提高了霍尔推力器的放电性能。
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公开(公告)号：CN117329095A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311513132.X
申请日：2023-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 本发明公开一种微型射频离子推力器供气系统，属于电推进技术领域，涉及等离子体推进中的稀薄气体流动。通过将布气结构设置于电离室内的工质进孔处，并将布气结构的圆盘与电离室同轴布置，进入电离室的推进工质在经过布气结构后均匀分布，提高了电离室内推进工质的平均密度，进而使微型射频离子推力器对射频能量的吸收效率更高，形成的等离子体分布更均匀，羽流中的离子密度更高，可大幅提升微型射频离子推力器的性能以及运行稳定性。另外，上述布气结构的结构简单，圆盘和圆柱体均采用圆柱状，相比现有技术，降低了加工难度，增加了经济性。本发明的微型射频离子推力器供气系统解决了现有供气结构结构复杂以及电离室内推进工质密度较低的问题。
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公开(公告)号：CN115682919B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202211336341.7
申请日：2022-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于曲面积分的霍尔推力器推力矢量偏心计算方法，它包含以下步骤：步骤一：采用法拉第探针测量霍尔推力器羽流区离子电流密度；步骤二：建立霍尔推力器羽流区的空间离子电流密度曲面模型；步骤三：分析离子不同位置电流密度对推力矢量偏心贡献的权重分布；步骤四：用空间离子电流密度曲面模型上各点离子电流密度值与该点位置和推力偏心相关的权重，得到空间离子电流密度对推力矢量贡献曲面模型，用正交平面分别将模型分为两部分，依次分别比较两个截面异侧的曲面数值积分并根据比较结果迭代移动平面位置，收敛后两平面交线的位置为所求推力矢量偏心。本发明方法周期短，流程简化，推力矢量偏心计算结果准确。
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公开(公告)号：CN114320802B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202111679106.5
申请日：2021-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 一种采用内磁极盖板延长寿命的永磁霍尔推力器，属于电推进系统技术领域，为解决现有霍尔推力器中内磁极盖板易受等离子体侵蚀失去热防护作用，导致永磁铁温度过高，进而产生退磁现象，影响推力器寿命的问题。它包括：内磁极支架为圆柱状，设置于底板中心位置，内磁极盖板安装在内磁极支架顶部，内磁极盖板与内磁极支架之间形成环形空腔，环状的内永磁铁嵌放在环形空腔内，圆环状外磁极支架设置于底板外侧，外永磁铁嵌放在外磁极支架圆环内，内永磁铁和外永磁铁之间设置有磁屏，磁屏内侧布放有放电通道；内磁极盖板顶部设置有圆孔，石墨盖板安装在圆孔内，石墨盖板与内磁极盖板同心配合，内磁极盖板采用钛或钛合金制成。本发明用于霍尔推力器。
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