公开(公告)号：CN105568343A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201511018840.1

申请日：2015-12-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  王建康 ,  姜兆华 ,  夏琦兴 ,  魏晗

IPC: C25D11/26 ,  B01J23/745 ,  B01J37/02 ,  C02F1/72

CPC classification number: C25D11/26 ,  B01J23/745 ,  B01J37/0225 ,  C02F1/72 ,  C02F1/722 ,  C02F2101/345 ,  C02F2305/026

Abstract: 利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法和应用，它涉及制备类芬顿催化剂的方法和应用。本发明的目的是要解决现有类芬顿催化剂分离回收难和基体的溶出问题。方法：一、钛合金表面前处理；二、将步骤一中得到的抛光后的钛合金置于不锈钢电解槽中的电解液中，与电源正极相连，作为阳极；不锈钢电解槽与电源负极相连接，作为阴极；三、采用方波电源供电反应，得到铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂。本发明可获得利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法。

公开(公告)号：CN105140049A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510451104.9

申请日：2015-07-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  赵娅靖 ,  张艺方 ,  魏晗 ,  贺雅琼 ,  夏琦兴 ,  姜兆华

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/32 ,  H01G11/46

Abstract: 一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，本发明涉及一种复合材料的方法。本发明的目的是要解决氧化钛纳米管进行碳掺杂，存在掺杂不均匀，浓度不易控制和材料的总体性能波动较大的问题，并且提高氧化钛纳米管的电化学性能。方法：一、阳极氧化法制备二氧化钛纳米管；二、将处理后的钛片作为阳极，铜片作为阴极，在电压为20V～60V下反应；三、将反应后的钛片进行烘干；四、向实验室滴渗电炉中滴入渗剂，排出空气后的实验室滴渗电炉；五、滴入甲醇，再进行气相扩渗，即完成。本发明可获得一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，并且气相扩渗负载碳后的氧化钛纳米管的导电性提高了三个数量级，比电容提高了20倍。

公开(公告)号：CN105047434A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510381811.5

申请日：2015-07-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  赵娅靖 ,  张艺方 ,  魏晗 ,  夏琦兴 ,  姜兆华

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/46

Abstract: 一种利用气相扩渗法制备氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有二氧化钛纳米管的电阻大和电容性能差的问题。制备方法：一制备表面光亮的钛片；二、对表面光亮的钛片进行清洗；三、对钛片进行电解反应；四、取出钛片后烘干得到氧化钛纳米管；五、排空气；六、气相扩渗，得到氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料。本发明得到的氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的电容值是氧化钛纳米管的近乎10倍；本发明得到的氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的电阻减小了三个数量级，显著地提高了导电性。本发明可以获得一种氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的制备方法。

公开(公告)号：CN104532324A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410822035.3

申请日：2014-12-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  李超楠 ,  夏琦兴 ,  姜兆华

IPC: C25D11/30

CPC classification number: C25D11/30

Abstract: 一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法，它涉及一种镁合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有应用于航天器的铝合金材料重量大，镁合金热控涂层吸收率高和镁合金基体与热控涂层高结合力低的问题。制备方法：首先对镁合金进行处理，然后采用脉冲微弧氧化电源进行微弧氧化，即完成利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。本发明在镁合金表面制备的低太阳吸收率高发射率涂层厚度达到30μm～120μm，太阳吸收率为0.2～0.4，发射率为0.85～0.95，粗糙度为1μm～10μm。本发明可获得一种利用微弧氧化在镁合金表面制备低太阳吸收率高发射率涂层的方法。

公开(公告)号：CN104233432A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410513165.9

申请日：2014-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姚忠平 ,  夏琦兴 ,  李超楠 ,  姜兆华

IPC: C25D11/30

Abstract: 一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法，它涉及一种镁锂合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有镁锂合金自身存在低红外辐射率，不能应用在热控系统中的问题。步骤：一、镁锂合金前处理；二、微弧氧化，得到在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层。本发明制备的涂层与基体结合良好，抗热震性能好，太阳吸收比为0.22～0.40，辐射率达0.9～0.97。本发明拓宽了镁锂合金在空间领域的应用范围，而其重量相比于铝基涂层减少30％～40％。本发明可获得一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法。