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公开(公告)号：CN115146516A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762740.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F16/22 , G06F40/18 , G06F111/10 , G06F111/14
Abstract: 本发明提供了一种基于空间辐照的不同入射粒子类型的仿真方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述仿真方法包括：构建入射粒子的参数类型数据库，其中，所述参数类型数据库包括所述入射粒子的参数列表，所述参数列表是根据所述入射粒子的不同参数的之间的对应关系生成的表单；调用与标定入射粒子对应的参数列表，根据所述参数列表对所述标定入射粒子进行可视化仿真。本发明实现了对不同入射粒子类型进行仿真的目的，便于对不同类型入射粒子与物质相互作用仿真进行研究，从而便于研究缺陷浓度对航天器件材料宏观性能的影响。
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公开(公告)号：CN115083546A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210769735.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G16C10/00 , G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于从头算分子动力学方法计算材料离位阈能的方法，属于模拟技术领域，所述方法包括：建立与材料对应的体系模型；设定模拟参数，利用从头算分子动力学方法对所述体系模型进行离位阈能的模拟计算，并获取演化完成后的体系结构，其中，所述模拟参数包括PKA预设能量；根据所述体系结构的状态确定后续模拟计算所需施加的新的PKA能量，并进行再次模拟计算，直至所述体系结构中首次产生稳定缺陷，获取此时的PKA能量，并将其确定为所述材料的离位阈能。本发明解决了半导体材料离位阈能无法定量且准确计算的问题，且方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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公开(公告)号：CN115061029A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210759798.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法，包括：测试AlGaN/GaN‑HEMTs的电化学性能，确定器件的开态、半开态和关态的栅极电压范围；在不同栅极电压下对AlGaN/GaN‑HEMTs进行深能级缺陷测试；分析不同栅极电压条件下AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷的分布区域。本发明提供的识别AlGaN/GaN‑HEMTs中电活性辐射缺陷分布区域的方法既能够确定缺陷浓度，还能够确定缺陷的位置，且步骤简单，易于操作，对材料和器件空间环境效应具有重大的意义。
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公开(公告)号：CN111865296A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735247.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H03K19/14
Abstract: 本发明提供了一种超高压光电耦合器和数字信号系统，涉及光电学元件技术领域。所述超高压光电耦合器包括发射端、可见光纤、接收端以及光电流调理电路，所述发射端用于将输入的电信号转换为光信号，所述可见光纤作为传输介质，用于传输所述发射器发射的光信号，所述可见光纤的一端与所述发射端连接；所述接收端用于接收所述可见光纤传输的光信号，所述可见光纤的另一端与所述接收端连接；所述光电流调理电路用于对所述接收端接收到的信号进行修正。这样，通过所述发射端、所述可见光纤、所述接收端以及所述光电流调理电路的配合，以实现10KV耐压的超高压光电耦合器。
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公开(公告)号：CN111863608A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735726.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L23/552 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁的大功率晶体管及其制备方法。所述大功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；对所述外延层进行氧化处理和光刻处理，形成注入窗口；通过所述注入窗口对所述外延层进行多次重金属离子注入，且后一次注入所述重金属离子形成的离子注入区位于前一次注入所述重金属离子形成的离子注入区的上方。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升晶体管的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证晶体管本身的高性能指标。另外，本发明与常规的晶体管的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111856238A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735731.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种基于载流子流向的晶体管辐射损伤分析方法及装置，方法包括：选择入射粒子；根据入射粒子分别对不同的晶体管进行辐照试验，获得多个辐照后的晶体管；分析各个辐照后的晶体管，确定各个晶体管的载流子流向和性能参数；根据载流子流向确定各个晶体管的敏感区域，和各个敏感区域在试验过程中的位移吸收剂量；确定位移吸收剂量平均值和性能参数平均值，建立性能参数平均值和位移吸收剂量平均值之间的对应关系；重复多次，获得多个对应关系，结合所有的对应关系确定晶体管性能变化与位移吸收剂量的关系，对晶体管的位移损伤进行等效分析。本发明能够对不同入射粒子在不同结构的晶体管中造成的位移损伤进行分析，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN111785656A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010735209.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种电子器件氧化层中固定负电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择N型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备P型外延层；在外延层上形成N+源区、N+漏区和P+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持负偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获负电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定负电荷陷阱检测与判定的目的。
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公开(公告)号：CN111766499A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010735771.0
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料深能级瞬态谱测试系统及方法，涉及测试技术领域，包括：向被测半导体施加触发信号；获取被测半导体的检测电压和检测电流；根据检测电压和检测电流确定检测电容量；根据检测电流确定瞬态电流量；对检测电容量和瞬态电流量进行数据分析和数据同步，确定同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱。本发明向被测半导体施加触发信号，在测试基于电容变化的深能级瞬态谱的同时，也测试基于电流变化的深能级瞬态谱，不仅提高了测试速度，还可通过同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱进行数据对比。除此之外，通过同时获取电压、电流多方面的信息，使测试结果更为可靠准确。
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公开(公告)号：CN111751698A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010735733.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种电子器件氧化层中固定正电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择P型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备N型外延层；在外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成P+源极、P+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持负偏置，阱区正偏置，衬底正偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持正偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定正电荷陷阱检测与判定的目的。
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公开(公告)号：CN108364887B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810135806.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种抑制电子元器件中氧化物俘获正电荷形成的方法，涉及一种抑制电子元器件氧化物俘获正电荷形成的方法。是要解决现有双极工艺电子元器件存在辐射产生氧化物俘获电荷现象，改变载流子的表面复合速率，进而影响少子寿命的问题。方法：一、确定试样的芯片厚度a；二、计算入射粒子在试样芯片中的入射深度d；三、计算电离吸收剂量Id和位移吸收剂量Dd；四、使log[(Id+Dd)/Dd]>5；五、调整入射粒子的辐照通量或剂量率；六、进行一次辐照试样；七、进行二次辐照，即完成。该方法通过改变辐照通量或剂量率的方法来实现抑制电子器件内氧化物俘获正电荷的过程，本发明用于抑制电子元器件中氧化物俘获正电荷。
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