公开(公告)号：CN105356855A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510738528.3

申请日：2015-11-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张瑛

IPC: H03F1/32 ,  H03G3/20

Abstract: 本发明公开了一种可调的分布式放大器电路，包括若干个增益单元和连接在每个增益单元输入端的输入片上电感、连接在每个增益单元输出端的输出片上电感，至少在一组相邻的两个增益单元之间的输入端串联两个NMOS晶体管，NMOS晶体管与输入片上电感构成带通匹配网络，两个NMOS晶体管各自的源极和漏极连在一起，NMOS晶体管之间通过第一偏置电阻接至偏置电压；每个增益单元的输入端接有第二偏置电阻，从所述第二偏置电阻的另一端施加第二偏置电压。本发明通过引入可等效为可变电容器的NMOS晶体管将各个增益单元输入端的直流偏置隔离开，从而可以对输入人工传输线的匹配网络进行加工后调试，从而降低了建模不准确或工艺偏差等因素而造成的加工验证失败的风险。

公开(公告)号：CN102184944B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110112400.8

申请日：2011-04-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭宇锋 ,  钟大伟 ,  夏晓娟 ,  张长春 ,  张瑛

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种横向功率器件结终端结构至少包含依次相连的三个半导体掺杂区、一个侧壁氧化区和两端的侧壁场板区。其中位于一端的掺杂区为第一类导电类型，构成器件的沟道区(或阳极)，另一端的掺杂区为第二类导电类型，构成器件的漏极区(或阴极)，夹在中间的半导体区为第二类导电类型，构成器件的漂移区。漂移区的下部与外延层相接，上部与场氧层相接，边侧与氧化区相接，在源区和漏区的侧壁氧化区内刻蚀淀积多晶硅形成斜坡形或多阶梯形3D场板，分别与栅极和漏极电学接触，同时侧壁场板需要垂直延伸超过衬底表面进入衬底内部。采用该结构制造横向PN二极管、横向扩散场效应晶体管LDMOS、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，具有击穿电压高、导通电阻小、工艺简单、成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN204906363U

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201520519329.9

申请日：2015-07-16

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张瑛

IPC: H03M1/12

Abstract: 本实用新型公开了一种Flash模数转换电路，与传统的Flash ADC电路相比，增加了信号检测单元，通过对前后两次采样信号的差值进行比较，若其小于某一阈值则仅需要进行较少位数的AD转换，从而降低了单次AD转换的功耗。本实用新型明显提高了ADC转换速度，降低了功耗，同时达到滤除噪声的效果。

公开(公告)号：CN204859152U

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201520519285.X

申请日：2015-07-16

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张瑛 ,  马亚英

IPC: H03M1/38

Abstract: 本实用新型公开了一种基于信号自相关性的逐次逼近型模数转换电路，与传统的SAR ADC电路相比，增加了信号自相关性检测单元，通过对前后两次采样信号的差值进行比较，若其小于某一阈值则仅需要进行较少位数的AD转换，从而降低了单次AD转换的功耗。本实用新型明显提高了ADC转换速度，降低了功耗，同时达到滤除噪声的效果。