公开(公告)号：CN105741870B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201610054562.3

申请日：2016-01-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 朱一东 ,  曾志刚

IPC: G11C13/00 ,  G11C14/00 ,  H03K3/3562

Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的非易失D触发器电路；包括忆阻器ME、定值电阻R、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一反相器N1、第二反相器N2和第三反相器N3以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了触发器的锁存以及触发功能。本发明所构建D触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点，适合于要求响应速度快和电源不稳定的领域，同时本发明将为研制基于忆阻的非易失D触发器电路提供实验参考。

公开(公告)号：CN205384877U

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201620081626.4

申请日：2016-01-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 朱一东 ,  曾志刚

IPC: G11C13/00 ,  G11C14/00 ,  H03K3/45

Abstract: 本实用新型公开了一种基于忆阻器的非易失D触发器电路；包括忆阻器ME、定值电阻R、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一反相器N1、第二反相器N2和第三反相器N3以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了触发器的锁存以及触发功能。本实用新型所构建D触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点，适合于要求响应速度快和电源不稳定的领域，同时本实用新型将为研制基于忆阻的非易失D触发器电路提供实验参考。

公开(公告)号：CN205407762U

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201620079352.5

申请日：2016-01-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 朱一东 ,  曾志刚 ,  郑尖

IPC: H03K3/356 ,  G11C13/00 ,  G11C14/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于忆阻器的非易失性SR触发器电路；包括忆阻器ME、定值电阻Rd、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一反相器N1、第二反相器N2、第三反相器N3以及第四反相器N4，以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路读取模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了SR触发器的锁存以及置位和复位功能。本实用新型所构建SR触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点，特别适合于电源不稳定的领域，同时本实用新型将为研制基于忆阻的非易失SR触发器电路提供实验参考。