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公开(公告)号：CN101062840A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710098667.X
申请日：2007-04-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米银铜颗粒分散二氧化硅光学薄膜与制备方法，属于纳米金属颗粒与无机非金属材料复合领域。采用sol－gel法制备AgxCuy/(SiO2)z光学复合薄膜，其中，x、y、z分别表示Ag、Cu、SiO2的质量百分比，x＝1～60wt％，y＝5～35wt％，z＝5～80wt％。本发明的优点在于：本发明用sol－gel法制备前驱体溶液，薄膜化学计量成分可控，用匀胶机制备薄膜，价格低廉，反应温(300℃～900℃)比传统烧结方法低，制备周期短，节省能源，利用简单易控的装置制备出了具有独特光学性质的薄膜。
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公开(公告)号：CN1865900A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610012016.X
申请日：2006-05-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种薄膜材料的透射电镜样品的制备方法，属于电镜样品制备技术领域。制备步骤为：制备片状的NaCl晶体片，用匀胶机在NaCl晶体基片上制备样品薄膜，把得到的NaCl晶体片固定在匀胶机的托盘上，用甩胶的方法将Sol－Gel法配置的前驱体溶液均匀的涂在NaCl晶体片上，制得厚度在5～200nm的样品薄膜；在热处理炉中进行退火处理；将得到的薄膜试样放在铜栅上至蒸馏水中浸泡，保证NaCl晶体完全溶解后使薄膜吸附在铜栅上，得到透射电镜观察用样品，适用于溶胶凝胶法制备的厚度在5～200nm之间的各种薄膜。优点在于；解决了透射电镜用薄膜样品易受污染、破碎和引入假象的问题。适合制备溶胶－凝胶法制备的各种薄膜样品的透射电镜试样，成本低，应用非常广泛。
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公开(公告)号：CN1858619A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610012122.8
申请日：2006-06-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米银颗粒分散二氧化硅光学薄膜制备方法，属于纳米金属颗粒与无机非金属材料复合材料领域。采用溶胶－凝胶法进行Ag/SiO2复合薄膜的制备。工艺为：配料∶原料为硝酸银与正硅酸乙脂，正硅酸乙脂溶液的浓度为0.1～1mol/L，溶剂为乙二醇独甲醚和去离子水，其中去离子水与乙二醇独甲醚的比例控制在5％～20％；硝酸银与正硅酸乙脂摩尔比为0.018∶1～7.87∶1；制备前驱体溶液；制各Ag/SiO2薄膜。优点在于：采用匀胶机制备薄膜，价格低廉，反应温度300℃～900℃，薄膜化学计量成分可控，制备周期短，节省能源。制备的纳米银颗粒分散二氧化硅非线性光学薄膜具有优良的非线性光学特性，在特定的波长处可观察到吸收峰，复合薄膜中Ag含量最高达到90wt％。
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公开(公告)号：CN1712556A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510011733.6
申请日：2005-05-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种铜银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法，属于金属纳米颗粒与无机非金属材料复合材料领域。在溅射设备内同时安装Cu、Ag和氧化物三个溅射靶，在每个溅射靶和基板前分别设置遮板，通过对金属和氧化物的沉积参数溅射靶的功率、氩气流量的单独控制，制备出具有纳米层状特征的铜银纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜；具体步骤为：先制备Cu或Ag纳米颗粒单层膜，再沉积氧化物膜，然后沉积Cu或Ag纳米颗粒单层膜，之后再沉积一层氧化物膜，制成具有层状结构的铜银纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于：此种铜银纳米颗粒分散氧化物层状薄膜中，铜银两种纳米颗粒以纯金属状态，在特定的波长处可观察到两个吸收峰，具有优良的非线形光学特性。
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公开(公告)号：CN1670239A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510011554.2
申请日：2005-04-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明供了一种金银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法，属于金属纳米颗粒与无机非金属材料复合材料技术领域。在溅射设备内同时安装Au、Ag和氧化物三个溅射靶，在每个溅射靶和基板前分别设置遮板，通过对金属和氧化物的沉积速度的单独控制，制备出具有纳米层状特征的金银纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜；具体步骤为：先制备Au或Ag纳米颗粒单层膜，再沉积氧化物膜，然后沉积Au或Ag纳米颗粒单层膜，之后再沉积一层氧化物膜。按上述顺序交替沉积，制成具有层状结构的金银纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于：具有优良的非线形光学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115321980B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210854041.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495
Abstract: 一种铌酸钾钠(KNN)基无铅压电陶瓷的制备方法，属于无铅压电陶瓷制备技术领域。所述陶瓷化学式为Li0.05(NaxK1‑x)0.95(Nb0.93Sb0.07)O3‑0.04BaZrO3，其中x为Na的摩尔分数，x＝0.42～0.58。经过称料、混料、焙烧，再利用传统球磨和高能球磨分别制备平均粒径为1～7μm和120～250nm的焙烧粉，按照不同摩尔分数称取两种不同粒度的焙烧粉，再经过混料、压片、冷等静压、烧结等步骤制备微纳复合结构KNN基无铅压电陶瓷。通过在晶粒间构建分级畴结构，利用晶界对畴壁的钉扎作用，协同提高了d33和Qm，制得的KNN基压电陶瓷的具有高d33＝300～386pC/N和良好的Qm＝90～141。本发明的压电陶瓷是不含铅的环境友好型材料，且制备过程简单、成本低、综合压电性能优异，有利于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN111205076B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010140670.9
申请日：2020-03-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 一种铁酸铋‑钛酸钡压电陶瓷的制备方法，属于无铅压电陶瓷制备技术领域。所述制备方法以Fe2O3、Bi2O3和BaTiO3为原料，将称好的原料置于行星式球磨机中进行球磨混料，将混合后的原料放置于干燥箱内烘干，获得原料粉。在原料粉中加入浓度为2wt％的聚乙烯醇(PVA)后充分研磨造粒，称量0.3～0.4g造粒粉料放入直径为10mm的金属模具中，用手动压片机压制成型，获得陶瓷坯体。将陶瓷坯体置于马弗炉中，升温至在300～600℃，并保温1～2h，进行排胶，然后升温至700～850℃，保温1～3h，最后在950～1000℃下烧结6～12h，制备所需陶瓷。本发明一步焙烧、烧结合成BiFeO3‑BaTiO3陶瓷，相比于传统工艺，少了焙烧降温、二次球磨等工艺，制备方法简单，所需时间短，节约能耗；能制备结晶性良好、成分均匀、结构致密的BiFeO3‑BaTiO3陶瓷。
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公开(公告)号：CN111320468B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010141004.7
申请日：2020-03-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 一种掺杂型铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷材料的制备方法，属于无铅压电陶瓷材料领域。所述制备方法按化学式(1‑x)Bi1‑yMyFe1‑zNzO3‑xBaTiO3计算各原料的质量并准确称量，将称好的原料置于行星式球磨机中进行球磨混料，将混合后的原料放置于干燥箱内烘干，获得干燥粉。在干燥粉中加入浓度为2wt％的聚乙烯醇(PVA)后充分研磨造粒，称量0.3～0.4g造粒粉料放入直径为10mm的金属模具中，用手动压片机压制成型，获得陶瓷坯体。将陶瓷坯体置于马弗炉中，升温至在300～600℃，并保温1～2h，进行排胶，然后升温至700～850℃，保温1～3h，最后在950～1000℃下烧结6～12h，制备所需陶瓷。本发明一步焙烧、烧结制备(1‑x)Bi1‑yMyFe1‑zNzO3‑xBaTiO3陶瓷，所制备的陶瓷材料为钙钛矿相，无杂相，且具有优良的电学性能和较高的居里温度，其制备工艺稳定。
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公开(公告)号：CN109647445B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910063881.4
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种MoS2纳米片包覆KNbO3纳米线压电/光催化材料的制备方法，属于光催化领域。本发明以铌粉(Nb)、氢氧化钾(KOH)、钼酸钠(Na2MoO4·2H2O)、硫脲(CN2H4S)为原料，通过简单的两步水热法，制得结晶性良好的KNbO3/MoS2异质结构压电/光催化材料，所述的两步水热法指的是第一次水热反应合成KNbO3纳米线，第二次水热反应合成KNbO3/MoS2异质结构压电/光催化材料。本发明提供的制备方法简单，实验条件易控，创新性地利用压电/铁电特性，通过促进光生电子和空穴的分离，使光催化性能得到最大优化。显著提高的催化性能归因于异质结构的协同效应和机械振动诱导的內建电场促进电荷分离的作用。
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公开(公告)号：CN111320468A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010141004.7
申请日：2020-03-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 一种掺杂型铁酸铋-钛酸钡无铅压电陶瓷材料的制备方法，属于无铅压电陶瓷材料领域。所述制备方法按化学式(1-x)Bi1-yMyFe1-zNzO3-xBaTiO3计算各原料的质量并准确称量，将称好的原料置于行星式球磨机中进行球磨混料，将混合后的原料放置于干燥箱内烘干，获得干燥粉。在干燥粉中加入浓度为2wt％的聚乙烯醇(PVA)后充分研磨造粒，称量0.3～0.4g造粒粉料放入直径为10mm的金属模具中，用手动压片机压制成型，获得陶瓷坯体。将陶瓷坯体置于马弗炉中，升温至在300～600℃，并保温1～2h，进行排胶，然后升温至700～850℃，保温1～3h，最后在950～1000℃下烧结6～12h，制备所需陶瓷。本发明一步焙烧、烧结制备(1-x)Bi1-yMyFe1-zNzO3-xBaTiO3陶瓷，所制备的陶瓷材料为钙钛矿相，无杂相，且具有优良的电学性能和较高的居里温度，其制备工艺稳定。
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