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公开(公告)号：CN107230714A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178239.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/768 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/76814 , H01L29/66462
Abstract: 本发明提供一种氮化镓半导体器件的制备方法，其中，该方法包括：在氮化镓外延基底上依次沉积第一氮化镓层、第二氮化铝镓层，氮化镓外延基底包括硅衬底层、第二氮化镓层和第一氮化铝镓层；在第二氮化铝镓层的表面上沉积第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成源极接触孔和漏极接触孔；在源极接触孔和漏极接触孔内沉积第一金属层；对第一氮化硅层、第二氮化铝镓层进行干法刻蚀，形成栅极接触孔，栅极接触孔的底部为第一氮化镓层的上表面；在栅极接触孔内依次沉积氮化硅介质层、第二金属层。消除得到的氮化镓半导体器件在栅极处可能产生的寄生电感，在高频时降低氮化镓半导体器件的开关损耗，进而提高了氮化镓半导体器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN107230711A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178228.9
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/34 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/34 , H01L29/66462
Abstract: 本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种氮化镓晶体管及其制作方法。其中，氮化镓晶体管，包括：硅衬底层；氮化镓缓冲层，所述氮化镓缓冲层制作于所述硅衬底层表面；氮化铝镓势垒层，所述氮化铝镓势垒层制作于所述氮化镓缓冲层表面；氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层制作于所述氮化铝镓势垒层表面；所述氮化硅钝化层上分别设置有源极、漏极及栅极，所述源极、所述漏极及所述栅极穿透所述氮化硅钝化层并延伸至所述氮化铝镓势垒层表面；其中，所述栅极与所述氮化铝镓势垒层之间设置有用于和氧相关陷阱结合的金属薄层。本发明实施例的氮化镓晶体管及其制作方法，能够改善氮化镓晶体管的电流崩塌效应。
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公开(公告)号：CN107230705A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178255.6
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/452 , H01L21/28 , H01L29/66446 , H01L29/66462 , H01L29/7783
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件及其制作方法，涉及半导体元器件技术领域。该功率半导体器件包括：半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的第一介质层；穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极，所述电极包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层。解决了在制作电极的过程中为了防止退火时电极被氧化而采用含金的材料导致制作成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN107230610A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610178140.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法。该方法包括：在硅衬底的表面上依次生长GaN介质层、AlGaN介质层和HfO2介质层；对HfO2介质层进行刻蚀；在露出的AlGaN介质层和剩余的HfO2介质层上表面沉积第一金属层；沿着露出的HfO2介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀；在栅极接触孔中沉积第二金属层作为栅介质。本发明实施例在氮化铝镓AlGaN介质层上表面铺设氧化铪HfO2介质层，利用AlGaN介质层和HfO2介质层介电常数的差距，有效地从半导体表面传输或提取电通量，缓解器件失效，从而减小了逆压电效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107154430A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201610125190.9
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
CPC classification number: H01L29/78 , H01L27/0207 , H01L27/0705 , H01L29/0603
Abstract: 本发明提供了一种双向开关晶体管，包括：衬底、器件层和在所述器件层上刻蚀的用于隔断所述器件层中的二维电子气的第一阻隔沟道和第二阻隔沟道，第一阻隔层上形成有第一栅极驱动层第二阻隔层上形成有与第一栅极驱动层连接的第二栅极驱动层，所述第一栅极驱动层和所述第二栅极驱动层通过与外部电源连接的第三栅极驱动层连接。本发明的双向开关晶体管，通过第一栅极驱动层、第二栅极驱动层和第三栅极驱动层作为整个晶体管的驱动电极，嵌入在器件层中，与现有技术的两个MOSFET相比，该双向开关晶体管只采用一个栅极驱动，减小了整个集成电路的尺寸，并且在反向导通模式下减少器件产生的损耗，提高器件的效率。
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公开(公告)号：CN107104045A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610099348.X
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/66143
Abstract: 本发明提供一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，该方法首先通过在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极；并在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；再通过对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层进行刻蚀，生成第一阳极通孔和第一阴极通孔；最后通过在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于第一阳极通孔和第一阴极通孔内的金属，形成耐压氮化镓肖特基二极管器件。降低了所述器件表面的粗糙程度，减少了器件表面吸附的杂质和静电，缓解了器件表面漏电，增强了器件的耐压性能。
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公开(公告)号：CN106601792A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510665965.7
申请日：2015-10-15
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/402 , H01L29/66462
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，该氮化镓高电子迁移率晶体管包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的外延片层、第一绝缘层、第二绝缘层、栅极图案、第三绝缘层、金属层，所述金属层包括源场板图案、源极图案和漏极图案，所述源极图案与所述源场板图案电连接，所述源场板图案与所述栅极图案的位置相对。该氮化镓高电子迁移率晶体管通过将源极图案与源场板图案通过同一构图工艺一体形成，降低了工艺步骤，节省了成本，通过设置与栅极图案的位置相对的源场板图案，抑制电流崩塌来改善器件的击穿特性，降低了器件栅极附近的表面电场，提高了器件的耐压。
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公开(公告)号：CN103943772B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310020999.1
申请日：2013-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L41/047 , H01L41/08 , H01L41/29 , H01L41/257
Abstract: 本发明提供一种单片压电换能器及其制作方法。该换能器包括呈圆形或正多边形的压电片，压电片的上、下表面第一叉指电极和第三叉指电极，压电片上、下表面还分别设置有第二叉指电极和第四叉指电极，且至少两个第二分电极和第四分电极在压电片的上表面和下表面分别与至少两个第一分电极和第三分电极交错设置；压电片在施加在第一叉指电极和第二叉指电极，以及第三叉指电极和第四叉指电极之间的直流电压作用下，在压电片上、下表面压电层分别形成交叉极化区域。本发明提供的压电换能器结构简单，实现方便，可作为压电弯曲运动驱动器使用，或反之可作为传感器，感应声波、压力、振动、等产生的弯振动或弯位移，且可在高低温恶劣环境下工作。
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公开(公告)号：CN103943772A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310020999.1
申请日：2013-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L41/047 , H01L41/08 , H01L41/29 , H01L41/257
Abstract: 本发明提供一种单片压电换能器及其制作方法。该换能器包括呈圆形或正多边形的压电片，压电片的上、下表面第一叉指电极和第三叉指电极，压电片上、下表面还分别设置有第二叉指电极和第四叉指电极，且至少两个第二分电极和第四分电极在压电片的上表面和下表面分别与至少两个第一分电极和第三分电极交错设置；压电片在施加在第一叉指电极和第二叉指电极，以及第三叉指电极和第四叉指电极之间的直流电压作用下，在压电片上、下表面压电层分别形成交叉极化区域。本发明提供的压电换能器结构简单，实现方便，可作为压电弯曲运动驱动器使用，或反之可作为传感器，感应声波、压力、振动、等产生的弯振动或弯位移，且可在高低温恶劣环境下工作。
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