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公开(公告)号：CN105684197B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201480059867.2
申请日：2014-07-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的负极活性物质，其用于锂二次电池的负极活性物质层，所述负极活性物质的特征在于，前述负极活性物质含有硅类材料SiOx，且0.5≤x≤1.6；在由X射线光电子光谱法所获得的O1s波形中，在键能为520eV以上且537eV以下的范围内具有至少2个以上的峰。由此，本发明提供一种负极活性物质，当作为锂离子二次电池的负极活性物质来使用时，能够增加电池容量并提高循环特性和初期充放电特性。
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公开(公告)号：CN105229828B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201480029539.8
申请日：2014-04-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池用负极材料，其包含硅复合体，该硅复合体是具有硅的微晶或微粒在与该微晶或微粒组成不同的物质中分散的结构的硅复合体，基于X射线衍射中归属于Si(220)的衍射峰的半值宽度，由Scherrer式求出的上述微晶或微粒的微晶的大小为8.0nm以下，根据本发明，能够提供具有优异的库仑效率的非水电解质二次电池用负极材料和非水电解质二次电池。
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公开(公告)号：CN103123442B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201210543966.0
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G06F19/00 , G03F1/0046 , G03F1/26 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN107251279A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010762.7
申请日：2016-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种碳覆盖处理装置，其一边利用搅拌叶片搅拌被导入炉芯管内部的原料粒子，一边利用气体导入管来将有机物气体导入炉芯管内部，来对原料粒子覆盖碳覆膜，所述碳覆盖处理装置的特征在于，V1与V2的比值满足V2/V1≥0.1的关系，其中，所述V1是搅拌叶片中的位于炉芯管内部的部分的时间平均的体积，所述V2是搅拌叶片的以下部分的时间平均的体积，所述部分当将炉芯管的内径设为R时，位于从炉芯管内部将与炉芯管的中心轴的距离为R/10以内的圆柱区域除外后的区域内。据此，提供一种碳覆盖处理装置，其能够对原料粒子充分地覆盖均匀的碳覆膜，且能够生产性良好地制造具有碳覆膜的粒子。
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公开(公告)号：CN106067543A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610256492.X
申请日：2016-04-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M10/052 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/131 , H01M4/0459 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/364 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01M2004/027 , H01M4/366 , H01M10/052 , H01M2004/021
Abstract: 本发明提供一种能够增加电池容量，并提高循环特性的非水电解质二次电池用负极活性物质及其制造方法。本发明非水电解质二次电池用负极活性物质具有含有包含锂化合物的硅化合物SiOx的负极活性物质颗粒，0.5≤x≤1.6，且对将含有负极活性物质颗粒的电极与由金属锂构成的对电极组合而成的试验电池，以恒定电流充电直至电极的电势达到0.0V，然后以恒定电压充电直至成为恒定电流充电时的电流值的1/10的电流值，然后，以恒定电流放电直至电极的电势达到1.2V，此时，试验电池的初次效率是82％以上，试验电池中的电极的电势成为0.17V时的充电容量是成为试验电池的初次放电容量的7％以上且30％以下的范围内的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106030871A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580006487.7
申请日：2015-01-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/48 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0402 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料，其包含由导电性碳膜包覆硅系活性物质粒子的表面而成的导电性粉末，所述非水电解质二次电池用负极材料的特征在于，所述导电性碳膜的由拉曼光谱测量出的d频带的峰半值宽为100cm‑1以上。由此，能够提供一种非水电解质二次电池用负极材料、非水电解质二次电池用负极材料的制造方法、及非水电解质二次电池，所述负极材料维持通过使用硅系活性物质而得的高充放电容量，并且循环性优异。
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公开(公告)号：CN105229828A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480029539.8
申请日：2014-04-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/382 , H01M4/48 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2220/30
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池用负极材料，其包含硅复合体，该硅复合体是具有硅的微晶或微粒在与该微晶或微粒组成不同的物质中分散的结构的硅复合体，基于X射线衍射中归属于Si(220)的衍射峰的半值宽度，由Scherrer式求出的上述微晶或微粒的微晶的大小为8.0nm以下，根据本发明，能够提供具有优异的库仑效率的非水电解质二次电池用负极材料和非水电解质二次电池。
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公开(公告)号：CN105024058A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510195155.X
申请日：2015-04-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法、以及非水电解质二次电池用负极活性物质层、非水电解质二次电池用负极、非水电解质二次电池，所述非水电解质二次电池用负极材料可以增加电池容量，提高循环特性及电池初始效率。为了解决上述问题，提供一种非水电解质二次电池用负极材料，其含有负极活性物质粒子，其特征在于，前述负极活性物质粒子，含有至少一部分被碳被膜覆盖的硅化合物(SiOX:0.5≤x≤1.6)，并且利用飞行时间二次离子质谱仪在其最表层中检测出CyHz系化合物的片段，ζ电位为负。
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公开(公告)号：CN103123441B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210543905.4
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及刻蚀掩模膜的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述刻蚀掩模膜：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在施加于刻蚀掩模膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，以及计算第一刻蚀完成时间与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN101968605A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010270048.6
申请日：2010-05-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/14 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/80 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。
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