公开(公告)号：CN101066583B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200710100996.3

申请日：2007-05-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西浦隆幸 ,  石桥惠二

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/30

Abstract: 提供一种处理III族氮化物晶体表面的方法，该方法包括步骤：用包含磨粒的抛光浆料抛光III族氮化物晶体(1)的表面；其后用抛光液(27)抛光III族氮化物晶体(1)的表面至少一次，并且用抛光液(27)抛光的每个步骤都使用碱性抛光液或者酸性抛光液作为抛光液(27)。用碱性或者酸性抛光液抛光的步聚允许去除杂质，所述杂质诸如是在用包含磨粒的浆抛光之后残留在III族氮化物晶体表面上的磨粒。

公开(公告)号：CN101021410B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710005974.9

申请日：2007-02-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  田中仁子

IPC: G01B11/00 ,  G01B11/02 ,  G01B11/30 ,  G01C3/06 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B11/306

Abstract: 一种测量衬底的后表面翘曲的方法，包括衬底探测步骤(S1)、最佳配合面计算步骤(S5)以及翘曲计算步骤(S6)。此外，该测量衬底后表面翘曲的方法在衬底探测步骤(S1)之后和最佳配合面计算步骤(S5)之前还可以包括：噪声去除步骤(S2)和外周边部分去除步骤(S3)；外周边部分去除步骤(S3)和平滑步骤(S4)；或噪声去除步骤(S2)、外周边去除步骤(S3)以及平滑步骤(S4)。由此，可以提供一种测量衬底的后表面翘曲的方法，该衬底的后表面具有高表面粗糙度。

公开(公告)号：CN100595035C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200610077029.5

申请日：2006-04-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  西浦隆幸

IPC: B24B29/00 ,  B24B37/00 ,  B24B19/22 ,  H01L33/00 ,  H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L33/32 ,  C09G1/02 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: III族氮化物晶体膜的表面处理方法，III族氮化物晶体基材，具有外延层的III族氮化物晶体基材，和半导体设备III族氮化物晶体膜的表面处理方法，包括将III族氮化物晶体膜的表面进行抛光，其中抛光用的抛光液的pH值x和氧化-还原电位值y(mV)同时满足y≥-50x+1,000和y≤-50x+1,900的关系。

公开(公告)号：CN101504913A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910126956.5

申请日：2007-06-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L27/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及制造III族氮化物衬底晶片的方法和III族氮化物衬底晶片。单面平面处理的III族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于10μm厚度的热塑性蜡将多个III族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前(f)、向后(b)或向内(u)的OF或凹口的抛光板上、研磨生长状态的晶片、精磨已被研磨了的晶片、将精磨的晶片抛光成具有等于或小于200μm的水平宽度和等于或小于100μm的垂直深度的斜面的镜面晶片。

公开(公告)号：CN100485879C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710111857.0

申请日：2007-06-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/304 ,  H01L23/00 ,  B24B1/00

Abstract: 单面平面处理的III族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于10μm厚度的热塑性蜡将多个III族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前(f)、向后(b)或向内(u)的OF或凹口的抛光板上、研磨生长状态的晶片、精磨已被研磨了的晶片、将精磨的晶片抛光成具有等于或小于200μm的水平宽度和等于或小于100μm的垂直深度的斜面的镜面晶片。

公开(公告)号：CN1939992A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139930.0

申请日：2006-09-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  西浦隆幸

IPC: C09G1/02 ,  B24B29/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L33/0095

Abstract: 本抛光浆是用于化学地机械地抛光GaxIn1－xAsyP1－y晶体(0≤x≤1，0≤y≤1)表面的抛光浆，其特征在于本抛光浆含有由SiO2形成的磨料粒，本磨料粒是初级粒子在其中缔合的二级粒子，并且二级粒子平均粒径d2与初级粒子平均粒径d1的比值d2/d1是不小于1.6且不大于10。根据这样的抛光浆，能够以高抛光速度并有效地在GaxIn1－xAsyP1－y晶体上形成具有小表面粗糙度的晶体表面。

公开(公告)号：CN1905149A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610093021.8

申请日：2006-06-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广 ,  西浦隆幸 ,  石桥惠二

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/00 ,  G01N21/88

CPC classification number: G01N21/211

Abstract: 本发明提供能够高精度地评价表面的损伤的程度的化合物半导体构件的损伤评价方法及化合物半导体构件的制造方法以及损伤的程度小的氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。进行化合物半导体基板(10)的表面(10a)的分光偏振光分析测定。在利用分光偏振光分析测定得到的光学常数的光谱中，使用包括与化合物半导体基板的能带间隙对应的波长的波长区域的光谱，来评价化合物半导体基板(10)的表面(10a)的损伤。